wafer InP

PAM-XIAMEN menawarkan wafer VGF InP (Indium Phosphide) dengan kelas prima atau ujian termasuk jenis tidak bertopeng, jenis N atau separa penebat. Mobiliti wafer InP berbeza dalam jenis yang berbeza, yang tidak dipakai> = 3000cm2 / Vs, jenis N> 1000 atau 2000cm2V.s (bergantung pada kepekatan doping yang berbeza), jenis P: 60 +/- 10 atau 80 +/- 10cm2 / Vs (bergantung pada kepekatan doping Zn yang berbeza), dan yang separuh menghina> 2000cm2 / Vs, EPD Indium Phosphide berada di bawah 500 / cm2 biasanya.

  • Penerangan

Penerangan Produk

wafer InP

PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor InP wafer – Indium Phosphide which are grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) or VGF(Vertical Gradient Freeze) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111)or(100).And the dopants can be Sulphur,Sn(Tin), Zinc or customs. the Laser Mark as specified on backside of InP wafer along with primary flat. The orientation with slight deflection angle is available, such as (100)0.075°towards[110]]±0.025°

Indium phosphide (InP) adalah semikonduktor binari terdiri daripada indium dan fosforus. Ia mempunyai padu ( "zink blende") struktur kristal berpusat muka, sama dengan yang GaAs dan kebanyakan phosphide III-V semiconductors.Indium boleh disediakan daripada tindak balas fosforus putih dan indium iodida [penjelasan diperlukan] pada 400 ° C., [5] juga oleh gabungan langsung unsur-unsur tulen pada suhu tinggi dan tekanan, atau melalui penguraian terma campuran sebatian trialkyl indium dan phosphide. InP digunakan dalam berkuasa tinggi dan frekuensi tinggi elektronik [rujukan?] Kerana halaju elektron penting berkenaan dengan semikonduktor silikon dan galium arsenida yang lebih biasa.

Berikut adalah spesifikasi terperinci:
2 "(50.8mm) InP Wafer Spesifikasi
3 "(76.2mm) INP Wafer Spesifikasi
4 "(100mm) InP Wafer Specificatio
 
2″ InP Wafer Specification
Item Spesifikasi
Dopant N-type N-type P-type SI-type
Conduction Type Undoped Sulphur Zinc lron
Wafer Diameter 2 "
Wafer Orientation (100)±0.5°
Wafer Thickness 600±25um
Primary Flat Length 16±2mm
Secondary Flat Length 8±1mm
Carrier Concentration 3×1016cm-3 (0.8-6)x1018cm-3 (0.6-6)x1018cm-3 N/A
Mobility (3.5-4)x103cm2/V.s (1.5-3.5)x103cm2/V.s 50-70×103cm2/V.s >1000cm2/V.s
Resistivity N/A N/A N/A N/A
EPD <1000cm-2 <500cm-2 <1×103cm-2 <5×103cm-2
TTV <10 pagi
BOW <10 pagi
WARP <12um
Penandaan laser upon request
Suface finish P/E, P/P
Epi ready yes
Pakej Single wafer container or cassette
 

3″ InP Wafer Specification 

 

Item Spesifikasi
Dopant N-type N-type P-type SI-type
Conduction Type Undoped Sulphur Zinc lron
Wafer Diameter 3″
Wafer Orientation (100)±0.5°
Wafer Thickness 600±25um
Primary Flat Length 16±2mm
Secondary Flat Length 8±1mm
Carrier Concentration ≤3×1016cm-3 (0.8-6)x1018cm-3 (0.6-6)x1018cm-3 N/A
Mobility (3.5-4)x103cm2/V.s (1.5-3.5)x103cm2/V.s 50-70×103cm2/V.s >1000cm2/V.s
Resistivity N/A N/A N/A N/A
EPD <1000cm-2 <500cm-2 <1×103cm-2 <5×103cm-2
TTV <12um
BOW <12um
WARP <15um
Penandaan laser upon request
Suface finish P/E, P/P
Epi ready yes
Pakej Single wafer container or cassette

 

 4″ InP Wafer Specification 

 

Item Spesifikasi
Dopant N-type N-type P-type SI-type
Conduction Type Undoped Sulphur Zinc lron
Wafer Diameter 4 "
Wafer Orientation (100)±0.5°
Wafer Thickness 600±25um
Primary Flat Length 16±2mm
Secondary Flat Length 8±1mm
Carrier Concentration ≤3×1016cm-3 (0.8-6)x1018cm-3 (0.6-6)x1018cm-3 N/A
Mobility (3.5-4)x103cm2/V.s (1.5-3.5)x103cm2/V.s 50-70×103cm2/V.s >1000cm2/V.s
Resistivity N/A N/A N/A N/A
EPD <1000cm-2 <500cm-2 <1×103cm-2 <5×103cm-2
TTV <15um
BOW <15um
WARP <15um
Penandaan laser upon request
Suface finish P/E, P/P
Epi ready yes
Pakej Single wafer container or cassette

 

PL(Photoluminescence) Test of InP Wafer

We measure InP wafers by Peak Lambda, Peak int, and FWHM, the spectra mapping is as follows:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

The the typical values is see below data:

Peak Lambda(nm) Peak Int FWHM(nm)
1279.4 7.799 48.5
1279.8 5.236 44.6

 

Awak juga mungkin menyukai…