III-nitrida sesuai untuk bekerja dalam keadaan yang melampau kerana kekerasan sinaran yang sangat baik dan sifat suhu tinggi. Di dalamnya, fabrikasi pelbagai jenis pengesan foto (PD) berasaskan GaN telah dilaporkan sejak sedekad yang lalu. Selain itu, kekonduksian substrat silikon yang tinggi telah menarik perhatian kepada pembinaan pengesan foto berdasarkan GaN pada struktur epitaxial silikon (Si). Di antara semua struktur, struktur pengesan foto PIN menjadikan peranti dengan voltan kerosakan tinggi, arus gelap rendah, pemotongan tajam dan responsif yang tinggi.PAM-XIAMEN boleh menyediakan wafer semikonduktor, seperti struktur epitaxial pengesan foto PIN berasaskan Si untuk memenuhi keperluan anda. Untuk mendapatkan maklumat lanjut tentang wafer sila lihathttps://www.powerwaywafer.com/products.html.Spesifikasi struktur pengesan foto semikonduktor yang ditanam secara epitaksi pada substrat silikon disenaraikan sebagai contoh:
1. Wafer Epitaxial Pengesan Foto PIN berasaskan Si
No. 1 GaN pada Epistruktur Si PIN untuk Pengesan Foto
| lapisan | ketebalan | Kepekatan Doping |
| p++ | – | – |
| p+ | ~500nm | – |
| n-Gan | – | ~5E15cm-3 |
| n+-GaN | 1um | – |
| penampan | – | |
| Si substrat |
No.2 Si-based GaN PIN Photodetector Epitaxial Wafer
| lapisan | ketebalan | Kepekatan Doping |
| pGaN | 0.1~0.3um | – |
| i-GaN | – | – |
| nGaN | 1~1.5um | 1E18~5E18 |
| uGaN | – | |
| (Al, Ga)N penimbal | – | |
| AlN | – | |
| Si substrat |
2. Nitrida untuk Peranti Struktur Pengesan Foto
Gallium nitride (GaN) dan bahan aloinya (termasuk aluminium nitride, aluminium gallium nitride, indium gallium nitride, indium nitride) dicirikan oleh jurang jalur yang besar dan julat spektrum yang luas (meliputi dari jalur penuh ultraviolet hingga Inframerah), rintangan suhu tinggi dan rintangan kakisan yang baik, menjadikannya nilai aplikasi yang hebat dalam bidang optoelektronik dan mikroelektronik. AlxGa1-xSistem bahan N telah terbukti sangat sesuai sebagai bahan pengesan foto dalam julat panjang gelombang 200-365nm. Kejayaan ini telah membawa kepada pengkomersialan pengesan foto struktur sisi atau menegak berasaskan nitrida. Kecekapan struktur pengesan foto diperlukan sangat tinggi.
3. Mengenai PIN Photodetector
Pengesan foto PIN dibentuk dengan menambahkan lapisan lapisan intrinsik antara rantau jenis P dan kawasan jenis N bagi pengesan foto. Memandangkan lebar kawasan penyusutan yang ditambahkan pada lapisan intrinsik bertambah banyak, pengesan foto PIN dipertingkatkan. Persimpangan PN PIN struktur pengesan foto yang diterangkan di bawah adalah sisi, jadi ia dipanggil pengesan foto PIN sisi. Substrat Si untuk membuat pengesan foto PIN sisi dinyahdop, jadi kerintangan substrat adalah tinggi. Kawasan penyusutan terbentuk pada substrat Si intrinsik. Oleh kerana substrat intrinsik tidak didopkan, pengesan foto PIN mempunyai kawasan penyusutan yang agak luas, dan dengan itu mempunyai kecekapan kuantum yang agak besar dan responsif yang tinggi.
Walau bagaimanapun, untuk prinsip kerja pengesan foto PIN, keamatan medan elektrik berkurangan dengan cepat dari permukaan ke bahagian dalam dalam struktur sisi pengesan PIN, iaitu, kebanyakan keamatan medan elektrik tertumpu pada permukaan pengesan. Pada frekuensi rendah, tanggungjawab pengesan PIN sisi adalah agak tinggi, tetapi hanya pembawa fotogenerasi yang dijana di permukaan adalah pembawa pantas, yang boleh berfungsi pada kadar yang tinggi. Pembawa yang dihasilkan dalam substrat Si mencapai elektrod melalui pergerakan penyebaran, yang sangat melemahkan prestasi pengesan foto PIN.
Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!
Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel di victorchan@powerwaywafer.com dan powerwaymaterial@gmail.com.