Wafer SiC IGBT

Wafer SiC IGBT

PAM-XIAMEN boleh menawarkan substrat SiC dan wafer epitaksi untuk fabrikasi peranti IGBT. Kemunculan semikonduktor lebar jalur lebar generasi ketigawafer SiCtelah menunjukkan daya saing yang lebih kukuh dalam bidang voltan tinggi, suhu tinggi dan kuasa tinggi. n-IGBT (transistor bipolar get terlindung) dikembangkan lagi dengan menumbuhkan ndan p+Filem nipis SiC pada substrat SiC jenis-n sebagai lapisan hanyut dan pengumpul. Dan struktur terperinci wafer SiC IGBT dari PAM-XIAMEN ditunjukkan seperti berikut:

sic igbt wafer

1. Struktur SiC Berbilang Lapisan untuk Fabrikasi IGBT Saluran N

Lapisan Epi ketebalan Kepekatan Doping
nlapisan hanyut 2×1014cm-3
n lapisan penampan 3 um
p+lapisan suntikan pembawa minoriti
Substrat SiC, jenis-n    

 

2. Peluang Peranti IGBT berdasarkan Substrat SiC

IGBT ialah peranti teras penukaran kuasa, yang menyumbang secara berkesan kepada peneutralan karbon. Dalam bidang penjanaan dan penggunaan kuasa tenaga bersih, IGBT ialah peranti teras penyongsang fotovoltaik dan kuasa angin, dan digunakan secara meluas dalam sistem pemacu elektrik kenderaan tenaga baharu dan cerucuk pengecas. Modul SiC IGBT mengurangkan penggunaan kuasa dan membantu mencapai penjimatan tenaga dan pengurangan pelepasan. Jadi permintaan peranti SiC IGBT berasaskan teknologi wafer nipis IGBT akan berkembang pesat.

Permintaan untuk neutraliti karbon memacu perkembangan pesat penjanaan kuasa tenaga bersih dan peningkatan pesat dalam penembusan kenderaan elektrik. Dari segi penggunaan, neutraliti karbon mengemukakan keperluan yang lebih ketat untuk penggunaan elektrik perindustrian, yang memperluaskan lagi popularisasi peralatan penjimatan tenaga seperti penukar frekuensi. Sebagai teras penukaran kuasa, bandingkan dengan Si IGBT, fabrikasi wafer IGBT pada bahan SiC mempunyai kelebihan hebat dalam kenderaan tenaga baharu. Oleh itu, ruang pasaran adalah besar.

3. Aplikasi Peranti pada Wafer SiC IGBT

Pada masa ini, wafer epitaxial SiC digunakan terutamanya dalam penyongsang utama, OBC, DC/DC, dan pemampat dan IGBT. Antaranya, epi IGBT masih menjadi peranti kuasa arus perdana yang digunakan dalam bidang automotif. Portfolio produk SiC IGBT dalam bidang automotif adalah berdasarkan cip kosong, tiub tunggal, modul kuasa dan komponen. Penyelesaian berdasarkan teknologi IGBT wafer nipis boleh meliputi aplikasi kenderaan tenaga, termasuk penyongsang utama, pengecas on-board, pemanas PTC, pemampat, pam air dan pam minyak.

Dalam bidang penjanaan kuasa fotovoltaik dan angin, silikon karbida IGBT digunakan terutamanya dalam penyongsang, supaya elektrik kasar yang dihasilkan oleh fotovoltaik atau kuasa angin boleh diproses oleh IGBT menjadi elektrik halus yang boleh disambungkan dengan lancar ke Internet.

Dalam bidang kawalan industri dan bekalan kuasa, IGBT berdasarkan struktur 4H-SiC IGBT digunakan secara meluas dalam penyongsang, mesin servo, mesin kimpalan penyongsang dan bekalan kuasa UPS.

Di samping itu, dalam bidang peralatan rumah, Aksesori elektronik yang direka pada wafer epi SiC IGBT digunakan dalam barangan putih seperti penghawa dingin penyongsang dan mesin basuh penyongsang untuk membantu mencapai penjimatan tenaga dan pengurangan pelepasan.

powerwaywafer

Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel di [email protected] dan [email protected].

Kongsi catatan ini