SiC Wafer Reclaim

SiC Epitaxy SiC Epitaxy
SIC Permohonan SIC Permohonan
SiC Wafer Reclaim

Tuntutan Semula Wafer SiC

PAM-XIAMEN mampu menawarkan yang SiC berikut menuntut semula perkhidmatan wafer.

Kategori: tag:
  • Penerangan

Penerangan Produk

SiC Reclaim Wafer & Pemprosesan

PAM-XIAMEN mampu menawarkan yang SiC berikut menuntut semula perkhidmatan wafer.

SiC Reclaim Wafer:

PAM-XIAMEN dapat melalui proses tuntutan semula hak milik untuk menawarkan a SiC menuntut semula perkhidmatan wafer kepada pengeluar peranti LED, RF atau Power. Mampu mengeluarkan lapisan EPI, EPI GaN atau peranti, dan kemudian menggilap permukaannya, hingga ke keadaan siap Epi, yang pelanggan kami dapat epi mereka lagi, untuk mengurangkan kos. Kami malah dapat menjamin kekasaran permukaan <0.3nm mengikut keperluan pelanggan. Setiap wafer menggunakan CMP atau diketuk atau terukir untuk menghilangkan corak, calar dan kecacatan lain. Hasilnya adalah wafer yang bersih dan berkualiti tinggi yang siap digilap dan dibersihkan. Pada akhir proses penambakan semula, untuk memastikan wafer siap sepenuhnya mematuhi piawaian dan spesifikasi pelanggan, kami akan melakukan pemeriksaan kualiti terakhir sebelum pembungkusan. Kami memasukkan wafer yang ditambak semula ke dalam bekas. Bekas berisi beg dua dan dilabel. Sebagai langkah terakhir, kami menyediakan Sijil Kesesuaian dan / atau Sijil Analisis, seperti yang diperlukan, untuk mengesahkan kualiti produk.

Berikut adalah gambar AFM selepas CMP sebagai contoh:

Penyediaan Permukaan SiC:

PAM-XIAMEN telah berkembang menggunakan pengalamannya yang lama dalam proses pembersihan wafer silikon karbida, yang mampu memberikan pencemaran logam rendah yang bersih pada yang baru. Substrat SiC.

Awak juga mungkin menyukai…

  • Freestanding Gan substrat
    Baca Lebih

    Freestanding Gan substrat

    PAM-XIAMEN telah menubuhkan teknologi pembuatan untuk berdiri sendiri (galium nitrida) wafer Gan substrat, yang adalah untuk UHB-LED dan LD. Berkembang dengan teknologi hidrida fasa wap epitaxy (HVPE), substrat Gan kami mempunyai ketumpatan kecacatan rendah.

  • SiC Epitaxy
    Baca Lebih

    SiC Epitaxy
    Kami menyediakan filem adat nipis (silikon karbida) SiC epitaxy pada 6H atau 4H substrat untuk pembangunan peranti silikon karbida. SiC epi wafer digunakan terutamanya untuk diod Schottky, logam-oksida semikonduktor bidang kesan transistor, kesan medan simpang
  • Nanofabrication
    Baca Lebih

    Fotoresist Nanofabrikasi

    PAM-XIAMEN Tawaran plat photoresist dengan photoresist

  • SIC Permohonan
    Baca Lebih

    SIC Permohonan
    Oleh kerana SiC sifat fizikal dan elektronik, peranti Silicon Carbide berdasarkan dengan baik sesuai untuk optoelektronik pendek panjang gelombang, suhu tinggi, tahan radiasi, dan berkuasa tinggi / frekuensi tinggi peranti elektronik, berbanding dengan Si dan GaAs peranti
  • Germanium Wafer
    Baca Lebih

    Ge (Germanium) kristal tunggal dan Wafers
    PAM-XIAMEN menawarkan 2”, 3”, 4” dan 6” wafer germanium, yang merupakan singkatan kepada wafer Ge yang ditanam oleh VGF / LEC. Wafer Germanium jenis P dan N yang didop ringan boleh juga digunakan untuk eksperimen kesan Hall. Pada suhu bilik, germanium kristal rapuh dan mempunyai keplastikan yang sedikit. Germanium mempunyai sifat semikonduktor. germanium ketulenan tinggi didopkan dengan unsur trivalen (seperti indium, galium, boron) untuk mendapatkan semikonduktor germanium jenis P; dan unsur pentavalen (seperti antimoni, arsenik, dan fosforus) didopkan untuk mendapatkan semikonduktor germanium jenis N. Germanium mempunyai sifat semikonduktor yang baik, seperti mobiliti elektron tinggi dan mobiliti lubang tinggi.
  • GaAs Epi Wafer
    Baca Lebih

    GaAs Epiwafer

    PAM-XIAMEN is manufacturing various types of epi wafer III-V silicon doped n-type semiconductor materials based on Ga, Al, In, As and P grown by MBE or MOCVD. We supply custom GaAs epiwafer structures to meet customer specifications, please contact us for more information.

  • Substrat Wafer SiC (Silikon Karbida)
    Baca Lebih

    SiC Wafer Substrat

    Syarikat itu mempunyai barisan pengeluaran substrat wafer SiC(silikon karbida) lengkap yang menyepadukan pertumbuhan kristal, pemprosesan kristal, pemprosesan wafer, penggilap, pembersihan dan ujian. Pada masa kini kami membekalkan wafer SiC 4H dan 6H komersial dengan separa penebat dan kekonduksian dalam paksi atas atau luar paksi, saiz tersedia: 5x5mm2,10x10mm2, 2”,3”,4”, 6” dan 8″, menembusi teknologi utama seperti sebagai penindasan kecacatan, pemprosesan kristal benih dan pertumbuhan pesat, menggalakkan penyelidikan dan pembangunan asas berkaitan epitaksi silikon karbida, peranti, dsb.

     

  • wafer Inaswafer Inas
    Baca Lebih

    wafer Inas

    PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor InAs wafer – indium arsenide wafer which are grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111) or (100). In addition, InAs single crystal has high electron mobility and is an ideal material for making Hall devices.