SiC Wafer

Pam-Xiamen menawarkan SIC Wafer dan Epitaxy: SIC Wafer adalah bahan semikonduktor bandgap generasi ketiga dengan prestasi yang sangat baik. Ia mempunyai kelebihan bandgap yang luas, kekonduksian terma yang tinggi, medan elektrik kerosakan tinggi, suhu intrinsik yang tinggi, rintangan radiasi, kestabilan kimia yang baik dan kadar drift ketepuan elektron yang tinggi. SIC Wafer juga mempunyai prospek aplikasi yang hebat dalam aeroangkasa, transit kereta api, penjanaan kuasa fotovoltaik, penghantaran kuasa, kenderaan tenaga baru dan bidang lain, dan akan membawa perubahan revolusioner kepada teknologi elektronik kuasa. Si Face atau C Face adalah CMP sebagai gred epi-siap, yang dibungkus oleh gas nitrogen, masing-masing wafer berada dalam satu bekas wafer, di bawah 100 bilik kelas bersih.
Epi-ready SiC wafers has N type or Semi-insulating, its polytype are 4H or 6H in different quality grades, Micropipe Density (MPD): Free, <5/cm2, <10/cm2, <30/cm2,<100/cm2, and the available size is 2”,3”,4” and 6”.Regarding SiC Epitaxy, its Wafer to wafer thickness uniformity: 2% , and Wafer to wafer doping uniformity: 4%, available doping concentration are from undoped, E15,E16,E18,E18/cm3, n type and p type epi layer are both available, epi defects are below 20/cm2; All the substrate should be used production grade for epi growth;N-type epi layers <20 microns are preceded by n-type,  E18 cm-3, 0.5 μm buffer layer; N-type epi layers≥20 microns are preceded by n-type,  E18, 1-5 μm buffer layer; N-type doping is determined as an average value across the wafer (17 points) using Hg probe CV; Thickness is determined as an average value across the wafer (9 points) using FTIR.