Filem Nipis SiCOI

Silicon Carbide pada Penebat (SICOI) Filem tipis adalah bahan komposit yang inovatif, biasanya disediakan dengan melapisi lapisan nipis silikon karbida (SIC) yang berkualiti tinggi (500-600 nm, bergantung kepada aplikasi tertentu) pada silikon dioksida berasaskan silikon (SIO₂). SIC terkenal dengan kekonduksian terma yang sangat baik, voltan kerosakan tinggi, dan rintangan kimia yang luar biasa. Apabila bahan ini digabungkan dengan lapisan penebat, ia secara serentak dapat memenuhi keperluan aplikasi menuntut seperti kuasa tinggi, frekuensi tinggi, dan suhu tinggi. Struktur wafer Sicoi disenaraikan seperti berikut. Untuk maklumat tambahan wafer sicoi, sila bebas untuk berunding dengan pasukan jualan kami di[email protected].

1. Spesifikasi wafer sicoi

2. PenyediaanKemajuan untuk wafer sicoi

Penyediaan filem -filem nipis SICOI dapat dicapai melalui teknologi CMOS, seperti ikatan dan pemotongan pintar, membolehkan integrasi lancar dengan litar elektronik sedia ada.

2.1 bbertandingTteknologi

Kaedah penyediaan lain ialah teknologi ikatan, yang menggunakan tekanan antara wafer SIC dan SI dan menggunakan lapisan oksida terma dua wafer untuk ikatan. Walau bagaimanapun, lapisan pengoksidaan haba SIC boleh menyebabkan kecacatan tempatan di antara muka oksida SIC, yang mungkin mengakibatkan peningkatan kehilangan cahaya atau pembentukan perangkap caj. Di samping itu, lapisan silikon dioksida pada SIC biasanya disediakan oleh pemendapan wap kimia yang dipertingkatkan plasma (PECVD), yang juga boleh membawa masalah struktur tertentu.

Untuk mengatasi cabaran di atas, proses pembuatan cip 3C-SICOI baru telah dicadangkan, yang menggabungkan teknologi ikatan anodik dengan kaca borosilikat, dengan itu mengekalkan semua fungsi microfabrication silikon/CMOS dan SIC Photonics. Di samping itu, SIC amorf juga boleh disimpan secara langsung pada cip SIO ₂/SI melalui PECVD atau sputtering, dengan itu mencapai integrasi proses yang mudah. Kaedah ini serasi sepenuhnya dengan proses CMOS, seterusnya mempromosikan aplikasi SICOI dalam bidang fotonik.

 2.2 Potong Pintar (Potongan Ion)

Teknologi potong pintar telah digunakan untuk pengeluaran silikon berskala besar pada cip penebat (SOI). Walau bagaimanapun, dalam pemakaian SIC, implantasi ion boleh memperkenalkan kerosakan yang tidak dapat dipulihkan oleh penyepuh haba, mengakibatkan kerugian yang berlebihan dalam struktur fotonik. Di samping itu, penyepuh suhu tinggi di atas 1000 ° C tidak selalunya serasi dengan proses permohonan tertentu.

Untuk menyelesaikan masalah ini, teknik penggilingan dan pengilat kimia (CMP) boleh digunakan untuk secara langsung nipis gabungan SIC dan SIO₂/Si ke <1 μm, dengan itu memperoleh permukaan licin. Penipisan lebih lanjut dapat dicapai melalui etsa ion reaktif, yang dapat meminimumkan kerugian dalam struktur SICOI hingga ke tahap yang paling besar. Sementara itu, teknologi CMP yang dibantu oleh pengoksidaan basah telah terbukti dapat mengurangkan kekasaran permukaan dan kerugian penyebaran, sementara penyepuh suhu tinggi dapat mengoptimumkan kualiti cip.

Rajah 1 proses pemotongan ion ion

3. Kelebihan filem nipis Sicoi

Berbanding dengan silikon sedia ada pada penebat (SOI), silikon nitrida (SIN), dan lithium niobate pada platform bahan penebat (LNOI) 3, platform bahan SICOI mempamerkan kelebihan yang ketara dalam aplikasi optik dan menjadi platform bahan generasi seterusnya untuk teknologi kuantum. Kelebihan khusus adalah seperti berikut:

1) mempamerkan ketelusan yang sangat baik dalam julat panjang gelombang ~ 400 nm hingga ~ 5000 nm dan mencapai prestasi cemerlang dengan kehilangan gelombang <1 dB/cm;

2) menyokong pelbagai fungsi seperti modulasi elektro-optik, penukaran haba, penalaan kekerapan, dan lain-lain;

3) Ia mempamerkan sifat optik harmonik dan lain -lain yang lain dan boleh berfungsi sebagai platform sumber foton tunggal berdasarkan pusat warna.

4. Aplikasi Wafer Sicoi

Di samping itu, SIC pada penebat menggabungkan kelebihan kekonduksian terma yang tinggi dan voltan kerosakan tinggi SIC dengan prestasi pengasingan elektrik yang baik penebat, dan meningkatkan sifat optik substrat SIC asal. Ia digunakan secara meluas dalam pelbagai bidang berteknologi tinggi seperti fotonik bersepadu, optik kuantum, dan peranti kuasa.

Berdasarkan bahan ini, penyelidik telah membangunkan banyak komponen fotonik berkualiti tinggi, termasuk gelombang linear, resonator cincin mikro, gelombang kristal fotonik, resonator microdisk, modulator elektro-optik, interferometer zehnder mach (MZI), dan spliter rasuk. Komponen ini mempunyai ciri-ciri kehilangan rendah dan prestasi tinggi, memberikan sokongan teknikal yang kukuh untuk komunikasi kuantum, pengkomputeran foton, dan peranti kuasa frekuensi tinggi.

Sama ada anda memerlukan filem sicoi untuk penyelidikan atau untuk aplikasi perindustrian, sila hubungi kami e -mel di[email protected] dan [email protected].