PAM-XIAMEN mempunyai silikon boule untuk dijual, yang merupakan bahan mentah untuk pembuatan peranti silikon semikonduktor, membuat penyearah berkuasa tinggi, transistor berkuasa tinggi, dioda, alat pensuisan, dan lain-lain. Kristal silikon monokristalin dengan struktur kisi pada dasarnya lengkap mempunyai jurang jalur 1.11eV. Silikon kristal tunggal dengan arah yang berbeza mempunyai sifat yang berbeza, dan ia adalah bahan semikonduktor yang baik. Kesucian diperlukan mencapai 99,9999%, bahkan lebih dari 99,9999999%. Kaedah untuk pertumbuhan kristal silikon dibahagikan kepada kaedah Czochralski (CZ), kaedah lebur zon (FZ) dan kaedah epitaxy. Kaedah Czochralski dan kaedah lebur zon tumbuh batang silikon monokristalin, dan kaedah epitaxial tumbuh filem nipis silikon monokristalin. Yang paling biasa digunakan adalah kaedah CZ. Berikut adalah senarai penjualan jongkong silikon kristal tunggal untuk rujukan anda:
1. Senarai Si Kristal
| Nombor Ingot | Diameter Ingot | Jenis, Orientasi | Panjang Ingot (mm) | kerintangan | Seumur hidup | qty |
| PAM-XIAMEN-INGOT-01 | 104 | N (100) | 73 | 167000 | 1700 | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-02 | 103 | N (100) | 123 | >20000 | 1690 | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-09 | 103.8 | N111 | 170 | 14000 | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-60 | 103.3 | N111 | 90 | 15000 | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-61 | 103 | N111 | 80 | 18700 | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-62 | 105 | N100 | 165 | 810 | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-63 | MC200 | P110 | 253 | 0.355 | 2.82% | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-64 | MC200 | P110 | 255 | 0.363 | 3.03% | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-65 | MC200 | P110 | 215 | 0.355 | 3.66% | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-66 | MC200 | P110 | 271 | 0.289 | 2.48% | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-67 | MC200 | P110 | 243 | 0.313 | 3.51% | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-95 | 79 | N100 | 102 | 13000 | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-100 | 8 " | — | 300mm | — | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-101 | 8 " | — | 530mm | — | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-104 | Bahagian A 6 ″ dan sisi B 8 ″ | Elips | 90mm | — | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-105 | 240mm | menebuk lubang di tengah | 10mm | — | — | 4 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-120 | 6 " | NP100 | 295 | ＞5000 | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-121 | 6 " | NP / N100 | 294 | ＞5000 | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-122 | 6 " | — | 47mm | — | — | 1 |
2. Piawaian Industri Kristal Silikon Tunggal
The silicon crystal manufacturing process by PAM-XIAMEN meets the standards.
2.1 Pengelasan Silicon Monocrystal
Menurut proses pengeluaran, kristal tunggal silikon terbahagi kepada dua jenis kristal tunggal silikon Czochralski dan kristal tunggal silikon cair zon, iaitu CZ dan FZ (termasuk doping transmutasi neutron dan doping fasa gas).
Kristal silikon dibahagikan kepada jenis P dan jenis N mengikut jenis kekonduksian.
Kristal silikon tulen dapat dibahagikan kepada kristal (100), (111), (110) mengikut orientasi kristal, dan orientasi kristal silikon yang biasa digunakan adalah (100) atau (111).
Monokristal silikon terbahagi kepada tujuh spesifikasi diameter nominal: kurang dari 50.8 mm, 50.8 mm, 76.2 mm, 100 mm, 125 mm, 150 mm dan 200 mm dan spesifikasi diameter bukan nominal yang lain.
2.2 Ketahanan dan Jangka Hayat Pembawa Czochralski Silicon Crystal
Julat rintangan dan perubahan ketahanan radial kristal tunggal silikon Czochralski harus memenuhi keperluan relatif.
Keperluan sepanjang hayat pembawa Czochralski silicon boule crystal shall be determined through negotiation between the supplier and the buyer.
2.3 Orientasi dan Sisihan Kristal Silikon
Orientasi kristal kristal tunggal silikon ialah <100> atau <111>.
Sisihan orientasi kristal kristal Czochralski Si tidak boleh melebihi 2 °.
Penyimpangan orientasi kristal kristal tunggal silikon lebur di zon tidak boleh lebih besar daripada 5 °.
2.4 Permukaan Rujukan atau Pemotongan Ingot Kristal Silikon
Orientasi satah rujukan, ukuran panjang atau takat jongkong silikon harus memenuhi keperluan GB / T 12964.
2.5 Oxygen Content in Si Ingot Crystal
Kandungan oksigen interstisial kristal silikon Czochralski tidak boleh lebih besar daripada 1.18X 1018atom / cm3, dan keperluan khusus ditentukan oleh pembekal dan pembeli melalui rundingan. Keperluan kandungan oksigen kristal Czochralski Si yang banyak dicabut hendaklah dirundingkan dan ditentukan oleh kedua-dua pihak.
Kandungan oksigen interstitial zon P lebur zon atau kristal silikon jenis N tidak boleh lebih besar daripada 1.96X 1016atom / cm3.
2.6 Carbon Content of Silicon Crystal Boule
Kandungan karbon pengganti kristal silikon oleh Czochralski tidak boleh lebih dari 5 X 1016atom / cm3. Keperluan kandungan karbon dari jongkong silikon monokristalin yang sangat banyak harus dirundingkan dan ditentukan oleh pembekal dan pembeli.
Kandungan karbon pengganti zon kristal silikon lebur zon tidak boleh melebihi 3 X 1016atom / cm3.
2.7 Silicon Crystal Integrity
Ketumpatan dislokasi kristal tunggal silikon tidak boleh melebihi 100 / cm2, iaitu, tidak ada kehelan.
Kristal silikon mestilah bebas dari struktur berbentuk bintang, rangkaian heksagon, pusaran, lubang dan retakan, dll.
Kristal Si yang didoping dengan kuat dengan daya tahan kurang dari 0.02ohm-cm memungkinkan pemerhatian pinggiran kekotoran.
Ketumpatan kecacatan mikro dan keperluan kecacatan lain dari silikon kristal tunggal boleh dirundingkan antara pembekal dan pembeli.
2.8 Inspection Method for Silicon
Pengukuran diameter kristal Si dan penyimpangan yang dibenarkan harus dilakukan sesuai dengan ketentuan GB / T 14140.
Pemeriksaan kekonduksian jenis kristal silikon hendaklah dilakukan sesuai dengan ketentuan GB / T 1550.
Pengukuran ketahanan kristal tunggal silikon harus dilakukan sesuai dengan peraturan GB / T 1551, atau sesuai dengan peraturan GB / T 6616. Metode penimbangtaraan harus dilakukan sesuai dengan ketentuan GB / T 1551 .
Pengukuran perubahan ketahanan radial silikon kristal tunggal harus dilakukan sesuai dengan ketentuan GB / T 11073-2007.
Pengukuran jangka hayat pembawa kristal silikon monokristalin dilakukan sesuai dengan ketentuan GB / T1553 atau GB / T 26068, dan kaedah penimbangtaraan dilakukan sesuai dengan ketentuan GB / T1553.
Kaedah pemeriksaan untuk bahagian resistiviti zon mikro kristal silikon tunggal hendaklah dirundingkan dan ditentukan oleh pembekal dan pembeli.
Pengukuran orientasi kristal silikon dan penyimpangan orientasi kristal harus dilakukan sesuai dengan ketentuan GB / T1555 atau dirundingkan antara pembekal dan pembeli.
Pengukuran orientasi satah rujukan kristal silikon harus dilakukan sesuai dengan ketentuan GB / T 13388.
Pengukuran panjang permukaan rujukan produk silikon tunggal harus dilakukan sesuai dengan ketentuan GB / T 13387.
Pengukuran ukuran takik kristal silikon harus dilakukan sesuai dengan peraturan GB / T 26067.
Pengukuran kandungan oksigen kristal silikon dilakukan sesuai dengan peraturan GB / T 1557. Kaedah pengukuran kandungan oksigen kristal silikon Czochralski yang sangat banyak ditentukan ditentukan melalui perundingan antara pembekal dan pembeli.
Pengukuran kandungan karbon kristal tunggal silikon dilakukan sesuai dengan ketentuan GB / T1558. Kaedah pengukuran kandungan karbon boule kristal silikon Czochralski yang banyak dicabut ditentukan melalui rundingan antara pembekal dan pembeli.
Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel di victorchan@powerwaywafer.com dan powerwaymaterial@gmail.com.