Terapung-Zone Mono-Kristal Silicon

Silikon Mono-Kristal Zon Float

PAM-XIAMEN boleh menawarkan wafer silikon zon terapung, yang diperoleh melalui kaedah Zon Terapung. Rod silikon monohablur diperolehi melalui pertumbuhan zon terapung, dan kemudian memproses rod silikon monohablur menjadi wafer silikon, dipanggil wafer silikon zon terapung. Oleh kerana wafer silikon cair zon tidak bersentuhan dengan pijar kuarza semasa proses silikon zon terapung, bahan silikon berada dalam keadaan terampai. Oleh itu, ia kurang tercemar semasa proses lebur zon terapung silikon. Kandungan karbon dan kandungan oksigen lebih rendah, kekotoran kurang, dan kerintangan lebih tinggi. Ia sesuai untuk pembuatan peranti kuasa dan peranti elektronik voltan tinggi tertentu.

  • Penerangan

Penerangan Produk

PAM-XIAMEN boleh menawarkan wafer silikon zon terapung, yang diperoleh melalui kaedah Zon Terapung. Rod silikon monohablur diperolehi melalui pertumbuhan zon terapung, dan kemudian memproses rod silikon monohablur menjadi wafer silikon, dipanggil wafer silikon zon terapung. Oleh kerana wafer silikon cair zon tidak bersentuhan dengan pijar kuarza semasa proses silikon zon terapung, bahan silikon berada dalam keadaan terampai. Oleh itu, ia kurang tercemar semasa proses lebur zon terapung silikon. Kandungan karbon dan kandungan oksigen lebih rendah, kekotoran kurang, dan kerintangan lebih tinggi. Ia sesuai untuk pembuatan peranti kuasa dan peranti elektronik voltan tinggi tertentu.

1. Float zone silicon wafer specification 

ype Jenis pengaliran orientasi Diameter (mm) Kekonduksian (Ω • cm)
Rintangan tinggi N & P <100> & <111> 76.2-200 >1000
NTD N <100> & <111> 76.2-200 30-800
CFZ N & P <100> & <111> 76.2-200 1-50
GD N & P <100> & <111> 76.2-200 0.001-300

1.1 Floating zone silicon wafer specification

Parameter Ingot Item Penerangan
Kaedah berkembang FZ
orientasi <111>
Off-orientasi 4 ± 0.5 darjah ke <110> yang terdekat
Jenis / Dopant P / Boron
kerintangan 10-20 W.cm
RRV ≤15% (Max edge-Cen) / Sen

 

1.2 FZ silicon wafer specification

meter Item Penerangan
diameter 150 ± 0.5 mm
ketebalan 675 ± 15 um
Negara Flat utama 57.5 ± 2.5 mm
Orientation Flat utama <011> ± 1 darjah
Menengah Flat Negara Tiada
Orientation Flat menengah Tiada
TTV ≤5 um
Bow ≤40 um
Warp ≤40 um
Profil Tepi Piawaian SEMI
Permukaan Depan Penggilap Mekanikal Kimia
LPD ≥0.3 um @ ≤15 pcs
Permukaan Belakang Asid Terukir
Cip Tepi Tiada
Pakej Pembungkusan Vakum; Plastik Dalaman, Aluminium Luar

 

2. Float-zone mono-crystalline silicon classifications

2.1 FZ-Silicon

The mono-crystalline silicon with the characteristics of low foreign-material content, low defect density and perfect crystal structure is produced with the float zone silicon process; no foreign material is introduced during the float zone silicon crystal growth. The FZ-Silicon conductivity is usually above 1000 Ω-cm, and such a high resistivity float zone silicon is mainly used to produce the high inverse-voltage elements and photoelectronic devices. It also can be used for dry etching process. 

2.2 NTDFZ-Silicon

The mono-crystalline silicon with high-resistivity and uniformity can be achieved by neutron irradiation of FZ-silicon, to ensure the yield and uniformity of produced elements, and is mainly used to produce the silicon rectifier (SR), silicon control (SCR), giant transistor (GTR), gate-turn-off thyristor (GTO), static induction thyristor (SITH), insulate-gate bipolar transistor (IGBT), extra HV diode (PIN), smart power and power IC, etc; it is the main functional material for various frequency converters, rectifiers, large-power control elements, new power electronic devices, detectors, sensors, photoelectronic devices and special power devices.

FZ NTD Silicon Wafer with a Uniform Doping Concentration

2.3 GDFZ-Silicon

Utilizing the foreign-material diffusion mechanism, add the gas-phase foreign-material during the floating zone monocrystalline silicon process, to solve the doping problem of float-zone process from the root, and to get the GDFZ-silicon which is N-type or P-type, has the resistivity 0.001-300 Ω.cm, relative good resistivity uniformity and neutron irradiation. It is applicable for producing various semi-conductor power elements, insulate-gate bipolar transistor (IGBT) and high-efficiency solar cell, etc.

2.4 CFZ-Silicon

Silikon monokristalin dihasilkan dengan kombinasi proses Czochralski dan zon apungan, dan mempunyai kualiti antara silikon monokristalin CZ dan silikon monokristalin FZ; elemen khas boleh didoping, seperti Ga, Ge dan lain-lain. Wafer solar silikon CFZ generasi baru lebih baik daripada pelbagai wafer silikon dalam industri PV global pada setiap indeks prestasi; kecekapan penukaran panel solar adalah hingga 24-26%. Produk ini terutama digunakan dalam bateri solar dengan kecekapan tinggi dengan struktur khas, kontak belakang, HIT dan proses khas lain, dan lebih banyak digunakan dalam LED, elemen kuasa, automobil, satelit dan pelbagai produk dan bidang lain.

Kelebihan kami sepintas lalu

peralatan pertumbuhan epitaxy 1. lanjutan dan peralatan ujian.

2.Offer the highest quality with low defect density and good float zone silicon surface roughness.

3. kuat sokongan pasukan penyelidikan dan sokongan teknologi untuk pelanggan-pelanggan kami

Si MEMS Wafer Dikembangkan oleh FZ
4 ″ FZ Prime Silicon Wafer

4 "FZ Perdana Silicon Wafer

4 ″ FZ Prime Silicon Wafer-2

4 ″ FZ Prime Silicon Wafer-3

4 "FZ Perdana Silicon Wafer-4

4 "FZ Perdana Silicon Wafer-5

4 "FZ Perdana Silicon Wafer-6

4 "FZ Perdana Silicon Wafer-7

4 "FZ Perdana Silicon Wafer-8

4 ″ FZ Prime Silicon Wafer-9

2 "FZ Perdana Silicon Wafer

3 "FZ Perdana Silicon Wafer

6 "FZ Perdana Silicon Wafer

6 "FZ Perdana Silicon Wafer

6 ″ FZ Prime Silicon Wafer-1

6 ″ FZ Prime Silicon Wafer-2

6 ″ FZ Prime Silicon Wafer-3

5″ FZ Silicon wafers

6 ″ FZ Silicon Wafer

6 ″ FZ Silicon Wafer-1

6 "FZ Silicon Wafer-4

6 "FZ Silicon Wafer-5

6″ FZ Silicon Wafer-6

6″ FZ Silicon Wafer-7

6″ FZ Silicon Wafer-8

8 "FZ Perdana Silicon Wafer

3 "FZ Perdana Silicon Wafer Ketebalan: 350 ± 15um

4 Th Ketebalan FZ Prime Silicon Wafer: 400µm +/- 25µm

4 Th Ketebalan FZ Prime Silicon Wafer: 400µm +/- 25µm-2

4 ″ FZ Silicon Ingot dengan Diameter 100.7 ± 0.3mm

3 "FZ Silicon Wafer Ketebalan: 229-249μm -1

3 "FZ Silicon Wafer Ketebalan: 229-249μm -2

FZ Intrinsic wafer Silicon undoped

80 + 1mm FZ Si jongkong

80 + 1mm FZ Si Ingot-1

80 + 1mm FZ Si jongkong-2

80 + 1mm FZ Si jongkong-3

80 + 1mm FZ Si Ingot-4

80 + 1mm FZ Si Ingot-5

60 + 1mm FZ Si jongkong -1

60 + 1mm FZ Si jongkong -2

60 + 1mm FZ Si jongkong -3

60 + 1mm FZ Si Ingot -4

60 + 1mm FZ Si Ingot -5

60 + 1mm FZ Si Ingot -6

Saiz Blok Silikon 5x20mm

1 ″ FZ Silicon Ingot dengan Diameter 25mm

2 ″ FZ Silicon Ingot dengan Diameter 50mm

2, wafer FZ Si dengan SSP

2″ FZ Intrinsic Silicon Wafer

2″ FZ Intrinsic Si Wafer SSP

2″ FZ Intrinsic Si Wafer DSP

4″ FZ Intrinsic Silicon Wafer SSP

4″ FZ Intrinsic Silicon Wafer DSP

4″ FZ Intrinsic Si wafer

4″ FZ N type Si wafer

3 ″ FZ Silicon Ingot dengan Diameter 76mm

6 ″ FZ Silicon Wafer dengan Diameter 150mm, Kedua-dua Bahagian Terukir

6 ″ FZ Silicon Ingot dengan Diameter 150.7 ± 0.3mmØ

Awak juga mungkin menyukai…