Wafer digilap

Epitaxial Silicon Wafer Epitaxial Silicon Wafer
punaran Wafer punaran Wafer
Wafer digilap

Polished Wafer

PAM-XIAMEN boleh menawarkan wafer yang digilap, jenis n atau jenis p dengan orientasi pada <100>, <110> atau <111>. Wafer digilap FZ, terutamanya untuk pengeluaran penerus silikon (SR), penerus terkawal silikon (SCR), Transistor Gergasi (GTR), thyristor (GRO)

Kategori: Tag:, , , ,
  • Penerangan

Penerangan Produk

wafer yang digilap

PAM-XIAMEN boleh menawarkan wafer yang digilap, jenis n atau jenis p dengan orientasi pada <100>, <110> atau <111>. Lagi Spesifikasi, sila lihat jadual di bawah.

Kelebihan kami sepintas lalu

  • Peralatan pertumbuhan epitaksi lanjutan dan peralatan ujian.
  • Menawarkan kualiti tertinggi dengan ketumpatan kecacatan yang rendah dan kekasaran permukaan yang baik.
  • Sokongan pasukan penyelidikan yang kukuh dan sokongan teknologi untuk pelanggan kami

1. Spesifikasi Wafer Silikon Digilap

1.1 Spesifikasi Wafer Digilap FZ

Wafer silikon digilap FZ: terutamanya untuk pengeluaran penerus silikon (SR), penerus terkawal silikon (SCR), Transistor Gergasi (GTR), thyristor (GRO)

Jenis jenis pengaliran orientasi skop Diameter (mm) Kerintangan skop (Ω cm) Bijirin parameter geometri, logam permukaan
FZ N & P <100> & <111> 76.2-200 >1000 T≥260（um）
TTV≤2（um）
TIR≤2（um）
STIR≤1（um）(20*20)
Kebutiran≤10pcs(≥0.3um) , ≤20pcs(≥
logam permukaan≤5E10/cm2 BSD:Ketumpatan etchpit>1E106pcs/cm2 Poli:5000-12000 A
NTDFZ N <100> & <111> 76.2-200 30-800
CFZ N & P <100> & <111> 76.2-200 1-50
GDFZ N & P <100> & <111> 76.2-200 0.001-300

1.2 Spesifikasi Wafer Digilap CZ 

Jenis jenis pengaliran orientasi skop Diameter (mm) Kerintangan skop (Ω cm) Bijirin parameter geometri, logam permukaan
MCZ N & P <100> <110> & <111> 76.2-200 1-300 T≥260（um）
TTV≤2（um）
TIR≤2（um）
STIR≤1（um）(20*20)
Bijian≤10pcs(≥0.3um) ，≤20pcs(≥0.2um)
Logam permukaan≤5E10/cm2 BSD:Ketumpatan etchpit>1E106pcs/cm2LTO:3500~8000±250A
CZ N & P <100> <110> & <111> 76.2-200 1-300
MCZ banyak didopkan N & P <100>&<111> 76.2-200 0.001-1

 

2. Mengenai Wafer Digilap

Polysilicon gred elektronik ketulenan tinggi menjalani langkah-langkah menarik kristal, menghiris, menyerong, menjilat, mengetsa, menggilap dan pembersihan untuk menghasilkan wafer yang digilap, yang memenuhi sifat elektrik, fizikal permukaan, piawaian kekotoran dan spesifikasi lain. Wafer dengan proses khas seperti penyepuhlindapan, epitaksi dan SOI diproses berdasarkan wafer yang digilap.

Wafer digilap (PW) ialah cip silikon dengan kerataan atom iaitu wafer silikon digilap satu sisi atau dua sisi, menyumbang kira-kira 70% daripada aplikasi wafer silikon. Selepas jongkong silikon monohablur dihasilkan, ia dipotong menjadi kepingan nipis daripada silikon monohablur silinder jongkong, yang merupakan wafer unsur silikon ketulenan tinggi. Tujuan penggilap adalah untuk mengeluarkan lagi lapisan kerosakan yang tersisa pada permukaan yang diproses. Wafer silikon monohabluran yang digilap boleh digunakan terus untuk membuat peranti atau sebagai bahan substrat epitaxial. Wafer Si yang digilap digunakan secara meluas dalam litar bersepadu digital dan analog, memori, peranti kuasa dan cip lain.

 

Wafer Silikon Berdop Sb Jenis N untuk Pembuatan Litar Bersepadu

PAM XIAMEN menawarkan jongkong silikon MCZ dan wafer silikon.

PAM XIAMEN menawarkan wafer lithium Niobate hitam untuk optik dan Komponen SAW

Stoikiometri LPCVD Nitride pada Wafer Silikon

4″ wafer Prime CZ Si dengan satu sisi memercikkan ketebalan lapisan Cr/Au 10/50nm

Pembelauan Sifar Si Wafer Diameter 32mm untuk ukuran XRD

Silicon Nitride Waveguide – Substrat dan Perkhidmatan Disediakan

Nitron Tekanan Sangat Rendah pada Wafer Silikon

Wafer Silikon Nitrida Tekanan Rendah

Tekanan yang disasarkan LPCVD Nitride

Wafer Silikon dengan (211) Orientasi

Membelah Wafer Silikon

Wafer Silikon Gred Perdana

Sifat Wafer Silikon

Wafer Silikon untuk Litografi Lembut

Wafer Silikon Platform Cip Mikro-Bendalir PDMS

Ultra-nipis silikon wafer

Apakah Flat Wafer Silikon?

N-Type Silicon Substrat

Wafer Silikon Zon Terapung

Wafer Silikon Terbuka

P-jenis substrat silikon

Wafer Silikon Tersuai

Wafer Silikon Suria

PECVD Nitrida

litium niobate

Papak silikon yang digilap

Wafer Silikon 1″&1.5″

Wafer Silikon 125mm

Wafer Silikon 150mm&200mm

Wafer Silikon 25.4 (1 inci).

Wafer Silikon Berliang

Jongkong Silikon -1

Ingot Silikon -2

Ketebalan Wafer Silikon: 275+- 25µm

Ketebalan Wafer Silikon: 1000μm

2″ wafer silikon Ketebalan:1000 ±25μm

Ketebalan wafer Si: 675 ± 25 um

4″ Si wafer Ketebalan：500±20μm

3″ Si wafer Ketebalan: 380±20μm

Wafer Silikon 50.8mm (2 Inci)-1

Wafer Silikon 50.8mm (2 Inci)-2

Wafer Silikon 50.8mm (2 Inci)-3

Wafer Silikon 50.8mm (2 Inci)-4

Wafer Silikon 50.8mm (2 Inci)-5

Wafer Silikon 76.2mm (3 Inci)

Wafer Silikon 100mm (4 Inci)-1

Wafer Silikon 100mm (4 Inci)-2

Wafer Silikon 100mm (4 Inci)-3

Wafer Silikon 100mm (4 Inci)-4

Wafer Silikon 100mm (4 Inci)-5

Wafer Silikon 100mm (4 Inci)-6

Wafer Silikon 125mm (5 Inci)

150mm (6 inci) wafer Silicon

Wafer Silikon 200mm (8 Inci)

300mm Wafers Silicon

450mm Wafers Silicon

Wafer Silikon Dipotong dadu

(111) Wafer Silikon

(110) Wafer Silikon

(100) Wafer Silikon Berorientasikan-1

(100) Wafer Silikon Berorientasikan-2

(100) Wafer Silikon Berorientasikan-3

(100) Wafer Silikon Berorientasikan-4

(100) Wafer Silikon Berorientasikan-5

(112) Wafer Silikon Orientasi

2 "CZ Perdana Silicon Wafer

2 "CZ Perdana Silicon Wafer-1

2 ″ CZ Prime Silicon Wafer-2

2 ″ CZ Prime Silicon Wafer-4

3 "CZ Perdana Silicon Wafer

3 "CZ Perdana Silicon Wafer-1

4 "CZ Perdana Silicon Wafer-6

4 "CZ Perdana Silicon Wafer-7

4 "CZ Perdana Silicon Wafer-8

4 "CZ Perdana Silicon Wafer-9

4″CZ Prime Silicon Wafer-10

4 ″ CZ Prime Silicon Wafer-11

4 ″ CZ Prime Silicon Wafer-12

4 ″ CZ Prime Silicon Wafer-13

4 ″ CZ Prime Silicon wafer-15

4 ″ CZ Prime Silicon wafer-16

6 "CZ Perdana Silicon Wafer

6 "CZ Perdana Silicon Wafer-1

6″CZ Prime Silicon Wafer-2

6 ″ CZ Prime Silicon Wafer-3

6 ″ CZ Si Wafer

8 ″ CZ Prime Silicon Wafer

8 ″ CZ Prime Silicon Wafer-1

8″CZ Prime Silicon Wafer-2

2, FZ Intrinsic Silicon Wafer

2, wafer FZ Si dengan SSP

SSP Wafer Silikon Intrinsik 4″ FZ

4″ FZ Intrinsik Silicon Wafer DSP

4 ″ FZ Prime Silicon Wafer-9

6 ″ FZ Prime Silicon Wafer-2

6 ″ FZ Prime Silicon Wafer-1

5 ″ Wafer silikon FZ

6 ″ FZ Silicon Wafer

6 ″ FZ Silicon Wafer-1

6 "FZ Silicon Wafer-4

6 ″ FZ Silicon Wafer-7

6 ″ FZ Silicon Wafer-8

Silikon Jongkong-1

Jongkong Silikon-2

Jongkong Silikon-3

Silikon Ingot-4

Silikon Jongkong-5

Jongkong Silikon-6

Silicon Ingots-7

Silicon Ingots-8

12″ Wafer Silikon

8 ″ Wafer Silikon

8 "Silicon Wafer-2

8 "Silicon Wafer-3

6 ″ Silicon Wafer-1

6 "Silicon Wafer-2

6″ Silicon Wafer-3

5 "Silicon Wafer

4 "Silicon Wafer-1

4 ″ Silicon Wafer-2

4 ″ Silicon Wafer-3

4 "Silicon Wafer-4

4 "Silicon Wafer-1

4 ″ Silicon Wafer-2

4 ″ Silicon Wafer-3

4 "Silicon Wafer-4

4″ Wafer Silikon-5

4″ Wafer Silikon-6

4 "Silicon Wafer-7

4 ″ Silicon Wafer-8

4″ Silicon Wafer-9

4 ″ Silicon Wafer-10

4″ Wafer Silikon-11

4 ″ Silicon Wafer-12

4″ Silicon Wafer-13

4 "Silicon Wafer-14

4 ″ Silicon Wafer-15

4 "Silicon Wafer-16

4 "Silicon Wafer-17

4 "Silicon Wafer-18

3 "Silicon Wafer-1

3 ″ Silicon Wafer-2

3, Silicon Wafer-3

3 "Silicon Wafer-4

3 "Silicon Wafer-1

3 ″ Silicon Wafer-2

3, Silicon Wafer-3

3 "Silicon Wafer-4

3 ″ Silicon Wafer-5

3″ Wafer Silikon-6

3″ Wafer Silikon-7

3″ Wafer Silikon-8

3″ Wafer Silikon-9

3 ″ Silicon Wafer-10

3″ Silicon Wafer-11

3″ Silicon Wafer-12

3 ″ Silicon Wafer-13

3 "Silicon Wafer-14

3 "Silicon Wafer-15

3 "Silicon Wafer-16

3″ Silicon Wafer-17

3 ″ Silicon Wafer-18

3″ Silicon Wafer-19

3 ″ Silicon Wafer-20

3 "Silicon Wafer-21

2 ″ Silicon Wafer-1

2 ″ Silicon Wafer-1

2″ Silicon Wafer-2

2″ Silicon Wafer-3

2 ″ Silicon Wafer-4

2 ″ Silicon Wafer-1

2″ Silicon Wafer-2

2″ Silicon Wafer-3

2 ″ Silicon Wafer-4

2″ Wafer Silikon-5

2″ Wafer Silikon-6

2″ Wafer Silikon-7

2 ″ Silicon Wafer-8

2 "Silicon Wafer-9

2″ Silicon Wafer-10

2 "Silicon Wafer-11

2 ″ Silicon Wafer-12

2 ″ Silicon Wafer-13

2″ Silicon Wafer-14

2 "Silicon Wafer-15

1″ wafer silikon

2 ″ Wafer Silikon Oksida

3, Wafer Silikon Oksida

4 ″ Wafer Silikon Oksida

4 ″ Wafer jenis FZ N

Wafer Digilap Bermeterai Polihablur Belakang

Awak juga mungkin menyukai…

  • GaAs Wafer (Gallium Arsenide)
    Baca Lebih

    GaAs (galium arsenida) Wafers

    Sebagai pembekal substrat GaAs terkemuka, PAM-XIAMEN mengeluarkan Substrat Wafer GaAs(Gallium Arsenide) Epi-sedia termasuk jenis n separa konduktor, doped separa konduktor C dan jenis p dengan gred perdana dan gred tiruan. Kerintangan substrat GaAs bergantung kepada dopan, Si doped atau Zn doped ialah (0.001~0.009) ohm.cm, C doped ialah >=1E7 ohm.cm. Orientasi kristal wafer GaAs hendaklah (100) dan (111). Untuk orientasi (100), ia boleh dimatikan 2°/6°/15°. EPD wafer GaAs biasanya adalah <5000/cm2 untuk LED atau <500/cm2 untuk LD atau mikroelektronik.

  • Cz Silikon Monokristalin
    Baca Lebih

    Cz Mono-Kristal Silicon

    PAM-XIAMEN, pengeluar silikon pukal monohablur, boleh menawarkan wafer silikon monohablur <100>, <110> dan <111> dengan dopan N&P dalam 76.2~200 mm, yang ditanam dengan kaedah CZ. Kaedah Czochralski ialah kaedah pertumbuhan kristal, dirujuk sebagai kaedah CZ. Ia disepadukan dalam sistem haba tiub lurus, dipanaskan oleh rintangan grafit, mencairkan polysilicon yang terkandung dalam mangkuk kuarza ketulenan tinggi, dan kemudian memasukkan kristal benih ke dalam permukaan cair untuk kimpalan. Selepas itu, kristal benih yang berputar diturunkan dan cair. Badan disusup dan disentuh, secara beransur-ansur dinaikkan, dan selesai atau ditarik melalui langkah-langkah menekuk, menekuk, memikul, kawalan diameter yang sama, dan kemasan.

  • Freestanding Gan substrat
    Baca Lebih

    Freestanding Gan substrat

    PAM-XIAMEN telah mewujudkan teknologi pembuatan untuk wafer substrat GaN berdiri bebas (gallium nitride), iaitu untuk UHB-LED dan LD. Ditanam oleh teknologi epitaksi fasa wap hidrida (HVPE), substrat GaN kami mempunyai ketumpatan kecacatan yang rendah.

  • punaran Wafer
    Baca Lebih

    punaran Wafer

    Wafer silikon etsa yang ditawarkan oleh PAM-XIAMEN ialah wafer etsa jenis N atau P, yang mempunyai kekasaran rendah, pemantulan rendah dan pemantulan tinggi. Wafer etsa mempunyai ciri-ciri kekasaran yang rendah, glossiness yang baik dan kos yang agak rendah, dan secara langsung menggantikan wafer yang digilap atau wafer epitaxial yang mempunyai kos yang agak tinggi untuk menghasilkan unsur elektronik dalam beberapa bidang, mengurangkan kos.

  • Wafer silikon zon terapung
    Baca Lebih

    Terapung-Zone Mono-Kristal Silicon

    PAM-XIAMEN boleh menawarkan wafer silikon zon terapung, yang diperoleh melalui kaedah Zon Terapung. Rod silikon monohablur diperoleh melalui pertumbuhan zon terapung, dan kemudian memproses rod silikon monohablur menjadi wafer silikon, dipanggil wafer silikon zon terapung. Oleh kerana wafer silikon cair zon tidak bersentuhan dengan pijar kuarza semasa proses silikon zon terapung, bahan silikon berada dalam keadaan terampai. Oleh itu, ia kurang tercemar semasa proses lebur zon terapung silikon. Kandungan karbon dan kandungan oksigen lebih rendah, kekotoran kurang, dan kerintangan lebih tinggi. Ia sesuai untuk pembuatan peranti kuasa dan peranti elektronik voltan tinggi tertentu.

  • Ujian Wafer Monitor Wafer Dummy Wafer
    Baca Lebih

    Ujian Wafer Monitor Wafer Dummy Wafer

    Sebagai pengeluar wafer dummy, PAM-XIAMEN menawarkan wafer dummy silikon / wafer ujian / wafer monitor, yang digunakan dalam peranti pengeluaran untuk meningkatkan keselamatan pada permulaan proses pengeluaran dan digunakan untuk semakan penghantaran dan penilaian borang proses. Oleh kerana wafer silikon tiruan sering digunakan untuk eksperimen dan ujian, saiz dan ketebalannya adalah faktor penting dalam kebanyakan keadaan. Wafer tiruan 100mm, 150mm, 200mm atau 300mm tersedia.

  • Epitaxial Silicon Wafer
    Baca Lebih

    Epitaxial Silicon Wafer

    Wafer Epitaxial Silikon (Wafer Epi) ialah lapisan kristal tunggal silikon epitaxial yang didepositkan pada wafer silikon kristal tunggal (nota: ia tersedia untuk menumbuhkan lapisan lapisan silikon kristal poli di atas wafer silikon kristal tunggal yang didop tinggi, tetapi ia memerlukan lapisan penampan (seperti oksida atau poli-Si) di antara substrat Si pukal dan lapisan silikon epitaxial atas.Ia juga boleh digunakan untuk transistor filem nipis.

  • Substrat Wafer SiC (Silikon Karbida)
    Baca Lebih

    SiC Wafer Substrat

    Syarikat itu mempunyai barisan pengeluaran substrat wafer SiC(silikon karbida) lengkap yang menyepadukan pertumbuhan kristal, pemprosesan kristal, pemprosesan wafer, penggilap, pembersihan dan ujian. Pada masa kini kami membekalkan wafer SiC 4H dan 6H komersial dengan separa penebat dan kekonduksian dalam paksi atas atau luar paksi, saiz tersedia: 5x5mm2,10x10mm2, 2”,3”,4”, 6” dan 8″, menembusi teknologi utama seperti sebagai penindasan kecacatan, pemprosesan kristal benih dan pertumbuhan pesat, menggalakkan penyelidikan dan pembangunan asas berkaitan epitaksi silikon karbida, peranti, dsb.

     

Produk Berkaitan

  • Uji Silicon Wafer
    Baca Lebih

    12 "Ujian Gred Silicon Wafer

    PAM-XIAMEN menawarkan wafer silikon kosong 300mm (12 inci) tiruan, gred ujian, jenis n atau jenis p. Berbanding dengan pembekal wafer silikon yang lain, Powerway Wafer menawarkan perkhidmatan profesional dengan harga yang kompetitif.

  • Wafer Silikon 300mm gred perdana
    Baca Lebih

    12 "Perdana Gred Silicon Wafer

    PAM-XIAMEN menawarkan wafer silikon kosong 300mm (12 inci) dalam gred perdana, jenis n atau jenis p, dan ketebalan wafer silikon 300mm ialah 775±15. Berbanding dengan pembekal wafer silikon yang lain, harga wafer silikon Powerway Wafer lebih kompetitif dengan kualiti yang lebih tinggi. Wafer silikon 300mm mempunyai hasil yang lebih tinggi bagi setiap wafer berbanding wafer silikon diameter besar yang telap.

  • Wafer silikon oksida 12 "
    Baca Lebih

    12″ Wafer Silikon 300mm TOX ( Wafer Pengoksidaan Terma Si )

    PAM-XIAMEN menawarkan wafer silikon oksida 300mm dan wafer dioksida. Wafer silikon oksida haba atau wafer silikon dioksida ialah wafer silikon kosong dengan lapisan oksida yang ditanam melalui proses pengoksidaan kering atau basah. Lapisan oksida terma wafer silikon biasanya ditanam dalam relau tiub mendatar, dan julat suhu wafer silikon oksida biasanya 900 ℃ ~ 1200 ℃. Berbanding dengan lapisan oksida CVD, lapisan oksida wafer silikon mempunyai keseragaman yang lebih tinggi, kekompakan yang lebih baik, kekuatan dielektrik yang lebih tinggi dan kualiti yang lebih baik.