Single crystal germanium wafer with orientation (110) miscut toward <111> with 4 deg. or 12 deg. is provided without dopant. Due to the similar chemical properties with silicon, single crystal germanium has similar applications. While hall effect germanium wafer has higher sensitivity to gamma radiation, and is effective for detecting the applications of photo. Therefore, single crystal germanium wafer is the prime option for applications with high photodetction requirement, such as LEDs, fiber optics, solar cells and infrared optics. More about the wafer ge(110) dengan salah potong ke arah <111> sila lihat di bawah:

1. Spesifikasi Monocrystalline Ge dengan Miscut

Wafer Ge Kristal Tunggal No.1 (PAMP21040)

Wafer Ge (110) 4 inci dengan 4 darjah. pergi ke arah <111>

dinyahkodkan,

Ketebalan: 300±25um

sebelah tunggal digilap

Substrat Ge Kristal Tunggal No.2 (PAMP21256)

4 inci Ge (110), tersalah potong ke arah <111> dengan 12 darjah. wafer

dinyahkodkan,

Ketebalan: 300±25um

sebelah tunggal digilap

Orientasi kristal '(110) wafer dengan salah potong ke arah <111>' adalah sama seperti imej di bawah:

Wafer Germanium Kristal Tunggal dengan Orientasi (110) Salah Potong

2. Kriteria – Kriteria Difraksi sinar-X untuk Mengesan Orientasi Wafer Germanium Kristal Tunggal

Orientasi kristal wafer kristal tunggal germanium boleh ditentukan dengan kaedah pembelauan sinar-X. Khususnya, apabila pancaran sinar-X monokromatik dengan panjang gelombang λ adalah kejadian pada permukaan hablur germanium, dan sudut ragut θ antara satah kristal utama hablur itu mematuhi hukum Bragg, pembelauan sinar-X akan berlaku. Kaunter digunakan untuk mengesan garis pembelauan, dan orientasi kristal utama kristal boleh ditentukan mengikut kedudukan garis pembelauan. Orientasi kristal kristal tunggal germanium ditentukan oleh alat arah sinar-X. Secara amnya, sinaran Ka sasaran kuprum digunakan. Selepas penapis nikel, anggaran sinar-X monokromatik boleh diperolehi dengan panjang gelombang λ=0.154178nm. Formula Bragg:

adsin θ =nλ (1)

Dalam formula:

“θ” ialah sudut Bragg (sudut ragut), darjah (minit);

“λ” bermaksud panjang gelombang sinar-X, λCuKa=0.154178nm;

“n” ialah tahap gangguan, integer positif;

“d” ialah jarak antara satah hablur terbeza.

d=a/√h²+k²+l²(2)

Dalam formula:

“a” ialah pemalar kekisi, a=5.6575(Ge);

“h, k, l” mewakili indeks satah kristal (indeks Miller).

Rasuk X kejadian, rasuk X terbias dan normal permukaan pembelauan berada dalam satah yang sama, dan sudut antara rasuk X terbias dan rasuk X yang dipancarkan ialah 2θ.

Apabila sinaran CuKd digunakan sebagai rasuk-X kejadian (dalam=0.154178nm), sudut Bragg (sudut ragut) yang difraksi pada satah kristal indeks rendah germanium, menunjukkan seperti dalam jadual berikut:

Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel di victorchan@powerwaywafer.com dan powerwaymaterial@gmail.com.