Struktur Sel Suria Ditumbuhkan Secara Epitaksi pada Wafer InP

Struktur Sel Suria Ditumbuhkan Secara Epitaksi pada Wafer InP

Wafer epitaxial InP dengan struktur sel suria yang dipadankan dengan kekisi p-InGaAs substrat n-InP boleh disediakan oleh PAM-XIAMEN. Indium fosfida adalah salah satu kumpulan utama semikonduktor kompaun III-V untuk pembuatan sel suria berbilang kompaun. Sel suria berbilang kompaun ini terutamanya termasuk GaAs, InP, GaInP, AlGaInP, InGaAs, GaInNAs, CuInSe2, CuInGaSe, dsb. dan sel suria berlamina yang terdiri daripadanya. Spesifikasi berikut ditawarkan untuk rujukan, atau anda boleh memberikan kami reka bentuk struktur sel solar tersuai:

Struktur Sel Suria InGaAs/InP

Struktur Sel Suria InGaAs/InP

1. Struktur Sel Suria Heterojunction Pukal

PAM170725-INGAAS

Struktur 1. InP Epitaxial Structure untuk sel suria

Lapisan No. Kandungan penumpuan ketebalan
5 Lapisan Kenalan p++ InxGa1-xAs 1E19 sm-3 –
4 Lapisan Tingkap dan Pasif Permukaan Hadapan p+ AlxIn1-xAs – –
3 P Sisi Persimpangan PN, Penyerap Cahaya p+ InxGa1-xAs – –
2 Penyerap Cahaya InxGa1-xAs dinyahdop – –
1 Medan Permukaan Belakang n+ AlxIn1-xAs – 50nm
0 substrat n++ InP doping setinggi mungkin –

 

Struktur 2. Struktur Sel Suria InP/InGaAs Monocrystalline

Lapisan No.   Kandungan penumpuan ketebalan
3 Lapisan Kenalan p++ InxGa1-xAs – –
2 Lapisan Tingkap p+ AlxIn1-xAs – 50nm
1 P Sisi Persimpangan PN, Penyerap Cahaya p+ InxGa1-xAs 1E18 sm-3 –
0 substrat n++ InP doping setinggi mungkin –

 

2. Mengenai Lapisan Struktur Sel Suria Fotovoltaik

Sel suria ialah peranti yang menggunakan kesan fotovoltaik untuk menukar tenaga suria kepada tenaga elektrik arus terus melalui bahan semikonduktor (tenaga cahaya ditukar kepada tenaga elektrik). Sel suria komersial terutamanya termasuk sel suria silikon kristal (termasuk silikon monohablur dan silikon polihablur) dan sel suria kompaun semikonduktor (terutamanya sel suria GaAs).

Suhu kerja radiator haba suhu tinggi biasanya 1000°C~1500°C, jadi jurang jalur sel suria hendaklah 0.4eV~0.7eV. Pada masa ini, lebih banyak kajian dijalankan ke atas sel fotovoltaik terma termasuk sel Si, Ge, GaSb dan InGaAs. Antaranya, bahan InGaAs ialah bahan semikonduktor arsenida ternari biasa. Jurang jalurnya boleh diubah dengan pelarasan komposisinya. Pelarasan maksimum boleh mencapai 1.424ev gallium arsenide, dan minimum indium arsenide boleh mencapai 0.356ev. Oleh kerana julat pelarasannya yang luas bagi jurang jalur, ini boleh memenuhi keperluan jurang jalur yang diperlukan oleh sel fotovoltaik terma, jadi ia adalah untuk struktur sel solar filem nipis.

Bahan InGaAs sering menggunakan InP sebagai substrat. Sel suria dan struktur kristal bagi kekisi InGaAs yang dipadankan dengan substrat InP mempunyai jurang jalur 0.74eV. Bahan InGaAs dengan jurang jalur dalam julat 0.5eV-0.6eV adalah setanding dengan substrat wafer InP, dan ketidakpadanan adalah antara 1.0% dan 1.4%. Kaedah penimbal tegasan boleh mengurangkan ketumpatan kehelan yang tidak sesuai dengan berkesan dalam lapisan epitaxial, dan pada masa yang sama mengawal kehelan dalam lapisan penampan untuk mengelakkan pusat penggabungan semula yang disebabkan oleh kehelan, meningkatkan panjang resapan pembawa minoriti, dan dengan banyak meningkatkan jarak pendek. -ketumpatan arus litar.

Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel di victorchan@powerwaywafer.com dan powerwaymaterial@gmail.com.

2021-11-19

Kongsi catatan ini

Berkaitan Catatan

2″ silicon wafers Thickness:1000 ±25μm

PAM XIAMEN offers 2″ silicon wafers Thickness:1000 ±25μm. 2’’ silicon wafers Ra < 4 nm (100) Thickness1000 ±25μm Doped (no requirement for resistivity and type, resistivity and type will be shown on test report when shipment) 2 sides polished With flat (SEMI STD) For [...]

2019-08-22meta-author
Growth of InGaN layers on (1 1 1) silicon substrates by reactive sputtering

Growth of InGaN layers on (1 1 1) silicon substrates by reactive sputtering InGaN films were grown on (1 1 1) silicon substrates by reactive magnetron sputtering. It was demonstrated that the indium composition in the InGaN films can be controlled by varying the ratio of the applied radio-frequency [...]

2014-02-08meta-author
2″ Silicon Wafer-10

PAM XIAMEN offers 2″ Silicon Wafer. Material Orient. Diam. Thck (μm) Surf. Resistivity Ωcm Comment n-type Si:P [111] 2″ 300 P/P FZ >150 SEMI Prime n-type Si:P [111] 2″ 500 P/P FZ 130-150 SEMI Prime n-type Si:P [111] 2″ 300 P/P FZ 125-210 SEMI Prime n-type Si:P [111] 2″ 380 P/E FZ 100-300 SEMI Prime n-type Si:P [111] 2″ 450 P/P FZ 100-230 Prime, NO Flats n-type Si:P [111] ±0.5° 2″ 280 P/E FZ NTD 80-100 SEMI Prime, in hard cst {as ingot to process} n-type Si:P [111] 2″ 300 P/P FZ 70-95 SEMI Prime n-type Si:P [111-1°] 2″ 300 P/E FZ 69-77 SEMI Prime n-type Si:P [111] 2″ 300 P/P FZ >60 SEMI Prime n-type Si:P [111] 2″ 300 P/E FZ 60-90 SEMI Prime n-type Si:P [111] ±0.5° 2″ 280 P/E FZ NTD 55-75 SEMI Prime, in hard cst {as ingot [...]

2019-03-07meta-author
Growth of 3C–SiC films on Si substrates by vapor–liquid–solid tri-phase epitaxy

Growth of 3C–SiC films on Si substrates by vapor–liquid–solid tri-phase epitaxy Cubic SiC films (3C–SiC) were deposited on (111) Si substrates by a vapor–liquid–solid tri-phase growth method. In such a process a thin copper layer, which was evaporated on the Si substrate prior to the [...]

2015-05-07meta-author , ,
Substrat Silikon Karbida jenis P dan Peranti IGBT

Oleh kerana tekanan pertumbuhan yang tinggi dan suhu yang agak rendah, Al tidak mudah tersejat dan hilang dalam kaedah fasa cecair. Menambahkan Al pada fluks yang digunakan dalam kaedah fasa cecair boleh dengan mudah mendapatkan kristal silikon karbida (SiC) jenis P dengan kepekatan pembawa yang tinggi, menyelesaikan [...]

2021-04-08meta-author
Pengangkatan kimia dan ikatan wafer langsung struktur GaN/InGaN P–I–N yang ditanam pada ZnO

Sorotan •Pertumbuhan MOCVD sel suria p-GaN/i-InGaN/n-GaN (PIN) pada templat ZnO/Nilam. •Pencirian struktur yang mendalam tidak menunjukkan pengelasan belakang ZnO. • Pengangkatan kimia dan ikatan wafer struktur pada kaca apungan. •Pencirian struktur peranti pada kaca. Struktur p-GaN/i-InGaN/n-GaN (PIN) abstrak telah ditanam secara epitaksi pada substrat c-nilam penimbal ZnO oleh logam [...]

2016-02-03meta-author , ,