Struktur Sel Suria Ditumbuhkan Secara Epitaksi pada Wafer InP

Struktur Sel Suria Ditumbuhkan Secara Epitaksi pada Wafer InP

Wafer epitaxial InP dengan struktur sel suria yang dipadankan dengan kekisi p-InGaAs substrat n-InP boleh disediakan oleh PAM-XIAMEN. Indium fosfida adalah salah satu kumpulan utama semikonduktor kompaun III-V untuk pembuatan sel suria berbilang kompaun. Sel suria berbilang kompaun ini terutamanya termasuk GaAs, InP, GaInP, AlGaInP, InGaAs, GaInNAs, CuInSe2, CuInGaSe, dsb. dan sel suria berlamina yang terdiri daripadanya. Spesifikasi berikut ditawarkan untuk rujukan, atau anda boleh memberikan kami reka bentuk struktur sel solar tersuai:

Struktur Sel Suria InGaAs/InP

Struktur Sel Suria InGaAs/InP

1. Struktur Sel Suria Heterojunction Pukal

PAM170725-INGAAS

Struktur 1. InP Epitaxial Structure untuk sel suria

Lapisan No. Kandungan penumpuan ketebalan
5 Lapisan Kenalan p++ InxGa1-xAs 1E19 sm-3
4 Lapisan Tingkap dan Pasif Permukaan Hadapan p+ AlxIn1-xAs
3 P Sisi Persimpangan PN, Penyerap Cahaya p+ InxGa1-xAs
2 Penyerap Cahaya InxGa1-xAs dinyahdop
1 Medan Permukaan Belakang n+ AlxIn1-xAs 50nm
0 substrat n++ InP doping setinggi mungkin

 

Struktur 2. Struktur Sel Suria InP/InGaAs Monocrystalline

Lapisan No.   Kandungan penumpuan ketebalan
3 Lapisan Kenalan p++ InxGa1-xAs
2 Lapisan Tingkap p+ AlxIn1-xAs 50nm
1 P Sisi Persimpangan PN, Penyerap Cahaya p+ InxGa1-xAs 1E18 sm-3
0 substrat n++ InP doping setinggi mungkin

 

2. Mengenai Lapisan Struktur Sel Suria Fotovoltaik

Sel suria ialah peranti yang menggunakan kesan fotovoltaik untuk menukar tenaga suria kepada tenaga elektrik arus terus melalui bahan semikonduktor (tenaga cahaya ditukar kepada tenaga elektrik). Sel suria komersial terutamanya termasuk sel suria silikon kristal (termasuk silikon monohablur dan silikon polihablur) dan sel suria kompaun semikonduktor (terutamanya sel suria GaAs).

Suhu kerja radiator haba suhu tinggi biasanya 1000°C~1500°C, jadi jurang jalur sel suria hendaklah 0.4eV~0.7eV. Pada masa ini, lebih banyak kajian dijalankan ke atas sel fotovoltaik terma termasuk sel Si, Ge, GaSb dan InGaAs. Antaranya, bahan InGaAs ialah bahan semikonduktor arsenida ternari biasa. Jurang jalurnya boleh diubah dengan pelarasan komposisinya. Pelarasan maksimum boleh mencapai 1.424ev gallium arsenide, dan minimum indium arsenide boleh mencapai 0.356ev. Oleh kerana julat pelarasannya yang luas bagi jurang jalur, ini boleh memenuhi keperluan jurang jalur yang diperlukan oleh sel fotovoltaik terma, jadi ia adalah untuk struktur sel solar filem nipis.

Bahan InGaAs sering menggunakan InP sebagai substrat. Sel suria dan struktur kristal bagi kekisi InGaAs yang dipadankan dengan substrat InP mempunyai jurang jalur 0.74eV. Bahan InGaAs dengan jurang jalur dalam julat 0.5eV-0.6eV adalah setanding dengan substrat wafer InP, dan ketidakpadanan adalah antara 1.0% dan 1.4%. Kaedah penimbal tegasan boleh mengurangkan ketumpatan kehelan yang tidak sesuai dengan berkesan dalam lapisan epitaxial, dan pada masa yang sama mengawal kehelan dalam lapisan penampan untuk mengelakkan pusat penggabungan semula yang disebabkan oleh kehelan, meningkatkan panjang resapan pembawa minoriti, dan dengan banyak meningkatkan jarak pendek. -ketumpatan arus litar.

Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel di [email protected] dan [email protected].

Kongsi catatan ini