InP-DHBT tiga dimensi pada penyepaduan SiGe-BiCMOS melalui ikatan wafer berasaskan Benzocyclobutene untuk litar gelombang MM
Sorotan •Skim fabrikasi untuk litar Si-ke-InP heterogen pada tahap wafer diterangkan. •Ketepatan penjajaran wafer-ke-wafer lebih baik daripada 4–8 μm selepas ikatan diperolehi. •Saling bersambung dengan prestasi cemerlang sehingga 220 GHz ditunjukkan. •Penghalang paladium diperlukan apabila menggabungkan teknologi berasaskan Al dengan teknologi berasaskan emas. Abstrak Untuk mendapat manfaat daripada sifat material kedua-dua teknologi InP-HBT dan SiGe-BiCMOS, kami...