Wafer Epi Laser VCSEL

Wafer Epi Laser VCSEL

Wafer VCSEL sumur kuantum GaAs dengan panjang gelombang pelepasan 808nm tersedia untuk pam optik. VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) dibangunkan berdasarkan bahan semikonduktor gallium arsenide. Fabrikasi peranti VCSEL mempunyai kelebihan ukuran kecil, tempat keluaran bulat kecil, output mod bujur tunggal, arus ambang rendah, harga rendah, dan penyatuan yang mudah ke dalam array kawasan luas. Berikut adalah struktur lapisan epi 808nm VCSEL untuk rujukan anda, atau anda boleh menawarkan struktur lapisan disesuaikan PAM-XIAMEN untuk menilai sama ada ia boleh dilakukan atau tidak.

Wafer VCSEL

1. Struktur Epi Wafer 808nm VCSEL

Struktur Epi 808 nm VCSEL

Bahan lapisan lapisan Rpts Pecahan mol (x) PL (nm) Ketebalan (nm) Dopant Jenis Tahap doping
GaAs 20 C 3.0E19
AlxGaAs
AlxGaAs DBR
AlxGaAs 47
AlxGaAs
AlxGaAs
AlxGaAs U / D
AlxGaAs 0.3
AlGaInAs 793
AlxGaAs
AlGaInAs 2 6
AlxGaAs 4
AlxGaAs
AlxGaAs N
AlxGaAs
GaAs 0 Si
substrat 4 °menuju (110)

 

2. Mengapa Memilih 808nm VCSEL Epiwafer untuk Pengepaman Optik?

Di laser, sumber pam memainkan fungsi sumber pengujaan, dan wafer laser VCSEL dengan panjang gelombang pelepasan 808nm adalah komponen utama sumber pam. Prinsip kerja sumber pam ialah menggunakan diod laser pada wafer laser 808nm VCSEL untuk mengepam dengan menyuntik arus. Voltan dan arus kerja membuat keserasian dengan litar bersepadu, dengan itu menyatukan ambang tunggal, memperoleh output laser termodulasi berkelajuan tinggi. Keperluan laser untuk prestasi laser adalah sifat optik seragam, ketelusan optik yang sangat baik dan stabil. Dengan kata lain, wafer epi 808nm VCSEL sangat sesuai untuk laser keadaan pepejal yang dipam semikonduktor berkuasa tinggi.

2.1 Perbandingan antara Sumber Pam Laser VCSEL dan Sumber Pam Laser Tradisional

Through the comparison with the traditional side-emission 808nm laser pump source, VCSEL semiconductor device based on VCSEL wafer has a good wavelength stability. The wavelength temperature coefficient of 808nm VCSEL wafer is 0.07nm/°C, while that of the traditional one is 0.25-0.3nm/°C. In addition, the VCSEL laser wafer has the features of small divergence angle and round beam output. It is beneficial for collimation or focusing, reducing the cost and improving the reliability, simplifying the coupling link. VCSEL with the wafer epitaxial structure from PAM-XIAMEN, meeting the industrial standards, has the advantages of high reliability and wide operating temperature range. Using vcsel laser pump sources is the future trends of high performance solid state lasers and chip solid state lasers.

2.2 Advantages of VCSEL Wafer Epitaxial Structure for Optical Pump

Moreover, a high-efficiency heat dissipation method is required, so the traditional bottom-emitting VCSEL structure is no longer applicable. Tests carried out by PAM-XIAMEN found that the substrate material GaAs has a strong absorption at 808 nm. Therefore, VCSEL wafer at 808nm is more applicable for optical pumping.

Cip VCSEL yang dibuat pada wafer VCSEL mempunyai kecekapan penukaran elektro-optik hingga 45%, kebolehpercayaan tinggi, kualiti rasuk tinggi, jangka hayat, struktur padat dan kos rendah. Sebagai aksesori utama laser keadaan pepejal yang dipam semikonduktor, cip VCSEL 808nm telah disukai dan dipuji oleh pelanggan di pasaran.

3. Trend Aplikasi Wafer VCSEL

Dengan fokus pada industri VCSEL, terdapat sekurang-kurangnya empat tren aplikasi popular yang patut mendapat perhatian pengeluar wafer VCSEL:

  • Dengan peningkatan rawatan perubatan yang tidak invasif, permintaan untuk wafer VCSEL dalam rawatan perubatan laser semakin meningkat dari hari ke hari.
  • Trend pembangunan perkakasan pintar telah merambah ke banyak aspek industri optoelektronik, dan modul kamera pintar wafer 3D TOF VCSEL berasaskan GaAs telah muncul.
  • Teknologi AI secara beransur-ansur matang. LiDAR adalah bahagian yang sangat diperlukan untuk pemanduan pintar. Peranti teras LiDAR adalah VCSEL berdaya tinggi tahap kenderaan.
  • Dengan perkembangan teknologi 5G, terdapat permintaan pasaran yang besar untuk cip komunikasi optik dan dioda paket.

Dengan kemajuan pembuatan VCSEL dan proses fabrikasi VCSEL di dalam dan luar negara, susunan wafer 808 nm VCSEL berkembang ke arah ukuran besar, daya puncak tinggi, dan ketumpatan daya tinggi. Wafer VCSEL juga akan menjadi lebih sesuai untuk digunakan sebagai sumber cahaya pam untuk laser keadaan pepejal, bidang penyelidikan dan perniagaan.

Lebih lanjut mengenai wafer epi laser VCSEL, sila baca:

GaAs Epiwafer dengan AlGaAs Multilayer untuk Aplikasi Laser VCSEL

powerwaywafer

Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel di [email protected] dan [email protected].

Kongsi catatan ini