New research of SiC and GaN technology along with LED technology can be shared, and we can send you paper content if you want. Please see below article title:

No.1 Technologies for Power Electronics and Packaging (SiC & GaN)

1-1.The latest development of SiC power devices

1-2.New Progress of SiC high voltage power electronic devices and applications

1-3.SiC MOSFET Device Structure and Process Study

1-4.Electro-thermal Analysis of 1.2kV-100A SiC JBS Diodes Under Current Overload

1-5.Graphene-on-SiC for gas detection and bio-sensors

1-6.Packaging of high-voltage wide-bandgap power semiconductors

1-7.High power & high temperature IGBT and WIDE bandgap power semiconductor modual package

1-8.Design and TCAD Simulation of Widegap Semiconductor Devices

1-9.GaN Power Devices Beyond 650V and 150C

1-10.High-breakdown voltage GaN HEMTs fabricated on semi-insulating GaN substrates

1-11.A Gate Driver IC for E-mode GaN HEMTs with Reverse Conduction Detection

1-12.Development of Normally-off AlGaN/GaN HFETs for Power Electronics

1-13.High crystal quality GaN-on-Si to achieve excellent isolation and dynamic performance without carbon  doping

1-14.200mm/8-inch GaN power device and GaN-IC technology: a new opportunity for wafer suppliers, foundries and IDMs

1-15.200mm 40V-650V E-mode GaN-on-Si Power Technology: from Device, Package, Reliability to System

1-16.GaN, Power the Future

1-17.AlGaN/GaN heterostructure pH sensors with high Al composition in the barrier layer

1-18.In-situ Wafer Cleaning for Pre-Epitaxial Deposition for Next Generation Semiconductor Devices

 

No.2 Micro-LED and other Novel Display

2-1.A New Concept for Fabricating CMOS-driven, High-Performance MicroLED Displays

2-2.Study on three dimensional thermal transport in micro-LEDs at the level of kW/cm2

2-3.1 bin wavelength uniformity on 200 mm GaN-on-Si LED for micro LED application with precise strain-engineering

2-4.Integration of III-V LEDs with Silicon Thin Film Transistors for Micro-LED Displays

2-5.NAURA product solutions for Mini-LED and Micro-LED

2-6.Driving Micro LED to future Lighting and Display

2-7.Growth and fabrication of semi / non-polar LEDs and Micro-LEDs using nano-patterning technology

2-8.Imaging Light Measurement Device for Subpixel evaluation of Micro-LED and OLED Displays

2-9.China LED Display Application Industry Development Report 2018-2019

2-10.Enabling the Next Era of Display Technologies by Micro LED MOCVD Processing

2-11.Research Progress and Prospects of LED Chips for Next Generation Display Application

2-12.Influence of the Charge Transfer on the Lifetime of Quantum-Dot Light-Emitting Diodes

2-13.Low toxic quantum dots polymer nanocomposites for LED applications

2-14.Micro/Mini-LED: From Backlight to Direct-view Display

2-15.Application of COB Integrated Packaging Technology in UHD LED Display Field

2-16.Prospect analysis of the 4-in-1 technical approach in LED Display Field

2-17.Mini LED, Future Directions and Solutions – from Chipone Technology

2-18.Progress in Cooperation Between LCD and LED Industry

 

No.3 Technologies for Ultra-Wide Bandgap Semiconductor

3-1.An (AlxGa1-x)2O3 metal-semiconductor-metal VUV photodetector

3-2.Growth and Characterization of Ultra-Wide Bandgap Oxide Semiconductors

3-3.Progress of diamond ultra-wide-band-gap semiconductor material and devices

3-4.Application of Polycrystalline Diamond Micro-nano Powder in SiC Wafer Processing and Its Key Process  Technology

3-5.Epitaxial Growth of Hexagonal Boron Nitride Films on AlN/Sapphire Templates by MOVPE

3-6.Preparation and photoelectric properties of BN films by RF-sputtering

3-7.High quality h-BN thin films and their application as flexible buffer layer for III-nitrides epitaxy

 

No.4 The Technology in Substrate, Epitaxy and Wafer Growth Equipment (SiC&GaN)

4-1.Synchrotron x-ray diffraction-based visualization of lattice-plane tilting of a GaN substrate and epitaxial film

4-2.In situ coherent x-ray studies of surface dynamics during OMVPE of GaN

4-3.Modeling of SiC crystal growth and epitaxy and simulation of GaN Metal Organic Vapor Deposition

4-4.The effect of n-p electrodes upon the p-type conductivity of B0.375GaN/B0.45GaN QW/QB edge emitting  laser diode grown over sapphire  substrate

4-5.INDUSTRY4.0 as A Major Opportunity for Electronics Processes and Products

4-6.Interrelationship Between Equipment and PVT Crystal Growth in Silicon Carbide

4-7.Advanced Chemical Concentration Control for Fabrication of Devices Using SiC

4-8.The step growth mechanism for 4H-SiC with Improved Single Polytypes

4-9.Investigation of Defect Levels of Al/Ti 4H-SiC Schottky Structures by Deep Level Transient Spectroscopy

 

No.5  LED Chip, Packaging, and Modules

5-1.Possible Futures for LEDs and LED Packaging

5-2.Beyond Illumination | Latest Photonics Technology, Breakthrough and Application Trend

5-3.Violet Chip Excited White LEDs for Sun-Like Lighting and Horticulture Lighting

5-4.Research and application for warm white LED of high-efficiency tri-color rare earth Phosphors by purple light  Excitation

5-5.Recent progress of fluorescent materials for high-power LED

5-6.Simultaneously improve the luminous efficiency and color rendering index of GaN-based white light emitting diodes using metal localized surface plasmon resonance

5-7.Thermal Simulations of a UV LED module with nanosilver sintered die attach process on graphene coated  copper substrates

5-8.Recent progress on massive transfer and integration technologies of Mini & Micro-LEDs

5-9.Anisotropic Conductive Paste and Grip Ring Direct process for mini LED die attachment

5-10.Monolithic Integrated Device of GaN Micro-LED with Graphene Transparent Electrode and Graphene  Driving Transistor

5-11.GaN/Si LEDs: Towards Longer Wavelength and Smaller Current Density

5-12.Recent Advances in Achieving Ultra-High Efficiency InGaN-based LEDs

5-13.The effect of air-cavity structure on the process of vertical GaN-based light emitting diodes

5-14.A Wavelength Stabilized GaN based Laser Utilizing Distributed Bragg Reflector

 

No.6 RF Technology and 5G Mobile Communication

6-1.The Epi structure and Process Considerations of 6-inch GaN RF HEMT for 5G applications

6-2.High frequeny GaN HEMTs and MMICs

6-3.5G mm Wave

6-4.High-frequency GaN-on-Si transistors

6-5.Development and trend of 5G RF Devices and Circuits

6-6.High-linearity GaN HEMTs for millimeter-wave applications

6-7.A Highly Integrated Multi-Parameters RF Module for Microwave Semiconductor Testing

6-8.A Compact X-band Pallet Power Amplifier Using GaN MMIC and Discrete FETs with HMIC Technology

 

No.7 Solid- State Ultraviolet Device Technology

7-1.ALGAN nanowire UV LED using graphene as substrate and transparent bottom electrode

7-2.Recent Development of UV Photodetectors based on Wide Bandgap Semiconductors and Their Applications

7-3.Improvement of Light extraction of Deep UV LED using Novel package

7-4.Optimization of ALGAN Based UVC LED Structure with AMEC Prismo HiT3 MOCVD Platform

7-5.Characterization of high-quality AIN templates in industrial massive production

7-6. Numerical Modeling and experimental demonstration for Nitride and SiC optoelectronic and electronic  devices

7-7.Algan-based UV LED directly grown on 4-inch high-temperature annealed sputtered ALN template

7-8.Enhancement of Optical Confinement in Deep Ultraviolet Nanowire Laser Diode by Continuous-grading of n-AlxGa1-xN Lower Waveguide Layer.

7-9.Digital-alloyed Aln/GAN superlattices featuring with integral monolayer scale by hierarchical growth units

7-10.High-performance Sic Schottky barrier photodiode for DUV and EUV detection
No.8 Driving future technology

8-1.AIX g5wwc – ushering in a new era of SiC epitaxial mass production

8-2.Research and industrial development of large size silicon carbide single crystal growth

8-3.Silicon based nitriding technology for high power applications

8-4.New generation panel technology – microled display

8-5.Large scale epitaxial production of GaAs / InP lasers in the future

8-6.5g/AI era opportunities and challenges of extension OEM

8-7.Application and market trend of VCSEL in sensor field

8-8.Antimonide semiconductor materials and devices

 

No.9  SiC Power Semiconductor Technology Application Forum

9-1.Realization of high value of SiC MOSFET and its advantages for application

9-2.Product characteristics of SiC MOSFET and its application opportunities in power electronics

9-3.SiC Power MOSFET packaging process

9-4.Market analysis of power semiconductor

9-5.Independent core creation helps Chinese industry 4.0 — SiC Power semiconductor product release

About Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd

Found in 1990,Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) is a leading manufacturer of wide bandgap semiconductor material including SiC wafer and GaN wafer in China. PAM-XIAMEN develops advanced crystal growth and epitaxy technologies, manufacturing processes, engineered substrates and wafer epitaxy. PAM-XIAMEN’s technologies enable higher performance and lower cost manufacturing of semiconductor wafer.
Now PAM-XIAMEN offer SiC material and GaN material, therein, SiC wafer from substrate and epitaxy, GaN wafer including GaN substrate, GaN on sapphire, InGaN, InN, AlGaN and AlN epitaxial wafer with a wide range of deposition rates, various doping levels, wide composition ranges, and low defect densities. As well as GaN based LED wafer and AlGaN/GaN HEMT wafer.

Powerway Wafer Co.,Limited is a sub company of Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd specialize in dealing with overseas orders.

 

PAM-XIAMEN can offer you technology and wafer support, for more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com,
send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com