A Xiamen Powerway (PAM-XIAMEN), desenvolvedora e fabricante líder de wafers epitaxiais de semicondutores compostos, fornece wafer de laser AlGaInP/GaAs de 808nm. Os wafers epitaxiais de laser AlGaInP são materiais semicondutores de alta qualidade que podem emitir luz em lasers semicondutores. Depois de feitos no chip do laser, esses materiais são energizados e podem emitir luz. Em seguida, os sinais elétricos são convertidos em sinais ópticos. Você pode comprar a seguinte especificação ou personalizadowafer epitaxial de 808nmcom material AlGaInP para laser:
1. Estrutura Epitaxial AlGaInP / GaAs para Diodo Laser de 808nm
| Camada | Material | X | Y Tolerância de tensão | PL | Espessura | Tipo | Nível | |
| (ppm) | (nm) | (hum) | (cm-3) | |||||
| 8 | GaAs | 0.1 | P | >2.00E19 | ||||
| 7 | Ganho (x) P | 0.49 | – | – | P | |||
| 6 | [Al(x)Ga]In(y)P | – | – | – | – | P | ||
| 5 | Ganho (x) P | – | +/-500 | – | U / D | |||
| 4 | GaAs(x)P | – | – | 798 | – | U / D | ||
| 3 | Ganho (x) P | 0.49 | – | – | U / D | |||
| 2 | [Al(x)Ga]In(y)P | – | – | – | – | N | ||
| 1 | GaAs | 0.5 | N | |||||
| 0 | substrato GaAs | N | ||||||
Parâmetros AlGaInP / GaAs LD Wafer:
| Comprimento de onda LD (nm) | 808 |
| Tamanho | 3” |
| Wafer PL ou EL (nm) | 790+-5nm |
| Uniformidade PL (exclusão de borda de 6 mm) | +-1,5nm |
| XRD (para camadas grossas) | – |
| Eficiência LD Slop com Revestimento AR + HR (W/A) | >1.1 |
Fonte: PAM-XIAMEN
2. Aplicações e Desenvolvimento de Wafer Epitaxial Laser
Lasers semicondutores fabricados emWafers de diodo laser GaAsde PAM-XIAMEN pode ser amplamente utilizado em bombeamento a laser, fabricação avançada, comunicação de fibra óptica, armazenamento de dados, pesquisa científica e beleza médica e outros campos devido ao seu pequeno tamanho, peso leve, baixo limiar de corrente, alta eficiência de conversão eletro-óptica, e pode ser bombeado por injeção de corrente. Com o aumento contínuo da demanda do consumidor por alta largura de banda e 5G gradualmente comercial, a rede de comunicação continuará a ser atualizada, de modo que a demanda por chip a laser continuará a crescer, assim, o mercado de pastilhas de diodo laser vermelho AlGaInP aumentará.
Dependendo dos diferentes campos de aplicação, a alta potência não é mais o único indicador para avaliar o wafer de diodo laser visível AlGaInP:
Para o processamento industrial, além de aumentar a potência de saída, a qualidade e o brilho do feixe precisam ser otimizados ainda mais;
Ao processar diferentes materiais de laser, também é necessário considerar a banda de absorção e usar lasers de diferentes comprimentos de onda para combinação de feixes, o que requer pesquisa e desenvolvimento de lasers de alta potência com diferentes sistemas de materiais de substrato;
Para aumentar ainda mais a potência do feixe combinado do wafer de laser, é necessário aumentar ainda mais a densidade espectral do feixe combinado e estudar novas técnicas de combinação de feixe;
Para o campo de aplicação de bombeamento de amplificador de fibra monomodo ou saída por acoplamento de fibra monomodo, mantenha o desempenho monomodo, tenha a conveniência do acoplamento de fibra monomodo como objetivo principal e aumente a potência de saída o máximo possível neste base;
Nos campos de relógios atômicos bombeados, giroscópios a laser bombeados, lasers de metal alcalino bombeados, isótopo de laser separado, monitoramento de gás, comunicações de fibra óptica, comunicações a laser por satélite, etc., é necessário aumentar o wafer InGaInP de potência de saída do laser tanto quanto possível mantendo um único comprimento de onda ou largura de linha estreita;
Para aplicação do wafer AlGaInP LD com alta eficiência de absorção em uma determinada banda de absorção, como lasers de fibra de bomba e lasers de estado sólido, é necessário aumentar ao máximo a potência da banda útil para melhorar a eficiência da bomba e reduzir o calor desperdiçado . É necessário ajustar e otimizar o espectro de saída com base no aumento da potência de saída.
3. Perguntas frequentes sobre Laser Wafer
Q1：Eu pretendo fabricar mais de 10W LD, então você pode aconselhar um wafer de laser que possa ter 4mm de comprimento de cavidade?
R：Sim, você pode usar um comprimento de cavidade de 4mm com uma largura de 200um para LD de 10W.
Q2:O wafer de laser que eu quero é o comprimento de onda em torno de 973nm, então o comprimento de onda PL pode ser de 780nm
Você pode ajustar o comprimento de onda PL?
R: Sugerimos que você use o material AlGaInP, seu comprimento de onda PL deve ser 775-785nm.
Q3:Com sua experiência, um wafer de laser com comprimento de cavidade de 4 mm e largura de emissor de 185um é bom o suficiente para um chip LD de 10W?
A: Não pode chegar a 10W, max.8W.
Q4:Você pode sugerir outro wafer Epi que possa atingir 10W a 795nm?
R: Se você deseja atingir 10W, a seguinte estrutura deve ser usada:
estruturas LD de 808nm
P+ GaAs P>5E19, d=0,15μm
P-AlGaAs e AlGaAs não dopados d~1,5μm
AlGaInAs QW PL:975+-3nm não dopado
AlGaAs e N-AlGaAs não dopados, d~1,5μm
Tampão N GaAs
N GaAs substrato N=(1-4)*1018d=350~625μm(100)15° desligado<111>A
Q5: Maximum achievable power with a standard laser diode bar with 19×100 micrometers emitters and 1 mm cavity length from 808nm and other wafers?
A：Bar output power of 808nm laser wafer: **W;
976nm: **W;
1064nm: **W.
Please contact victorchan@powerwaywafer.com for specific data.
Q6: Uniformity of QW PL across the laser wafer?
A: The uniformity of emission of 808nm laser epiwafer is less than 3 nm.
Para obter mais informações, entre em contato conosco pelo e-mail victorchan@powerwaywafer.com e powerwaymaterial@gmail.com.