InGaP / GaAs Epi Wafer para células solares
Graças à tecnologia de junção de túnel GaAs, oferecemos epi wafers de células solares InGaP / GaAs de junção única e dupla, com diferentes estruturas de camadas epitaxiais (AlGaAs, InGaP) cultivadas em GaAs para aplicação em células solares. E agora oferecemosBolacha epi GaAscom junção de túnel InGaP da seguinte forma:
1. Epi-estrutura de células solares InGaP / GaAs
| Revestimento AR MgF2/ZnS | Au | Contato frontal | ||
| Au-Ge/Ni/Au | ||||
| n+-GaAs 0,3μm | ||||
| ┏ | n+-AlInP | - | <2×1018cm-3(Si) | Janela |
| InGaP | n+-InGaP | - | - | n |
| (Ex.=1,88eV) | p+-InGaP | - | - | p |
| célula superior | p+-InGaP | - | - | p+ |
| ┗ | p+-AlInP | - | - | BSF, barreira diferencial |
| Túnel | p+-InGaP | 0,015μm | - | TN(p+) |
| junção | n+-InGaP | - | - | TN(n+) |
| ┏ | n+-AlInP | 0,05μm | - | Janela, barreira diferencial |
| Célula inferior de GaAs (por exemplo = 1,43 eV) | n+-GaAs | - | - | n |
| p-GaAs | - | - | p | |
| ┗ | p+-InGaP | - | - | BSF |
| p+-GaAs | - | 7,0×1018cm-3(Zn) | ||
| p+-Substrato GaAs <1,0×1019cm-3(Zn) | substrato | |||
| Au | ||||
| Contato de volta | ||||
Note:LEDs, LASERs e células solares multijunções baseadas em InGaP/GaAs podem empregar junções de túnel para melhorar o desempenho. Calcular os efeitos dessa junção é complicado, mas existem maneiras de simular com precisão as características do chip e otimizar de maneira econômica o projeto da estrutura da célula solar.
2. Crescimento epitaxial de wafer de célula solar InGaP / GaAs
Com o desenvolvimento dos equipamentos MOCVD e MBE, a célula solar de junção dupla InGaP / GaAs pode ser cultivada emSubstratos de GaAscom correspondência de treliça, garantindo a qualidade do cristal do filme fino epitaxial. A subcélula pode usar materiais InAIP e AlGaAs como camada de janela e camada de campo posterior, o que pode efetivamente reduzir a velocidade de recombinação da superfície e da interface. Sob a condição de determinada composição, o band gap do InGaP pode ser alterado entre 1,82eV e 1,92eV ajustando parâmetros como temperatura de crescimento e taxa de crescimento, dependendo do grau de ordem da estrutura cristalina.
Combinadas com o projeto da espessura da camada absorvedora, as correntes fotogeradas geradas pelas subcélulas de duas junções InGaP e GaAs podem ser melhor combinadas. Com base nesses fatores, as células solares de junção dupla InGaP/GaAs apresentam alta eficiência de conversão. Células solares de película fina InGaP / GaAs de alta eficiência podem ser preparadas por tecnologia de transferência de substrato.
Quando o material epitaxial da célula solar de junção dupla GaInP / GaAs é cultivado por tecnologia de crescimento de baixa pressão, a pressão da câmara de reação deve ser mantida em 42torr e H2 de alta pureza é usado como gás de arraste. O crescimento do material da célula solar de dupla junção foi iniciado a uma temperatura constante de 650°C durante 4 minutos. A temperatura de crescimento do arseneto e do fosfeto é fixada em 620 °C, mas o crescimento da junção do túnel altamente dopada é propenso à difusão em alta temperatura, por isso é cultivado a uma temperatura baixa de 560 °C.
3. Perguntas frequentes sobre wafer epitaxial de InGaP / GaAs
Q:Você pode nos dizer como cortar o epi da célula solar de AlGaP/GaAs?
UMA:O epi wafer AlGaP/GaAs para célula solar pode ser cortado pelo riscador de wafer.
Para mais informações, entre em contato conosco pelo e-mail[email protected] e [email protected].