Lista wafer

Wafer de Silício e Epi Wafer de Silício

2019/2 Nitreto LPCVD estequiométrico em wafers de silício Nitreto de baixa tensão Wafers de silício Super Low Stress Nitron em wafers de silício Nitreto PECVD Tensão direcionada Nitreto LPCVD Guia de ondas de nitreto de silício - substratos e serviços fornecidos Wafers de silício personalizados Wafers Epi de silício Venda substratos de silício tipo P Tipo N Substratos de Silício Wafers de Silício Não Dopados Wafers de Silício de Zona Flutuante Wafers de Silício Ultra-Finos Wafers de Silício Solar Lingotes de Silício -1 Lingotes de Silício [...]

2019-02-15 Consulte Mais informação...

Filme fino LN no isolador

Filme fino de niobato de lítio (LN) no isolador Filmes de niobato de lítio (LN) de cristal único podem ser integrados em substrato de niobato de lítio. A estrutura pode ser utilizada em moduladores eletro-ópticos, guias de onda ópticos, ressonadores, dispositivos SAW, dispositivos de memória FRAM, etc. Filmes finos de niobato de lítio de cristal único são de grande importância para o desenvolvimento de circuitos fotônicos e dispositivos eletrônicos [...]

2018-08-22 Consulte Mais informação...

LNOI com eletrodo metálico

Niobato de lítio (LNOI) com eletrodo metálico Existem camadas de eletrodo metálico (Au, Pt, Al ou outros metais) entre a camada de SiO2 e o filme LN. Um campo elétrico pode ser aplicado no filme LN entre a camada do eletrodo metálico e a camada superior do eletrodo. Com base no efeito piezoelétrico, efeito de comutação de domínio ferroelétrico, [...]

2018-08-22 Consulte Mais informação...

Wafer Ultra Plano Wafer Ultra Fino

Wafer ultraplano Wafer ultrafino Melhoramos a uniformidade da espessura do wafer (TTV) por meio de serviços de desbaste de wafer e serviços de polimento químico-mecânico (CMP), que transferem wafers (como LN, LT, silício e quartzo) para wafers ultraplanos ou ultrafinos . Podemos produzir wafers de silício ultraplanos, wafers de quartzo ultraplanos, wafers LN ultrafinos, wafers LT ultrafinos para atender [...]

2018-08-22 Consulte Mais informação...

Bolacha de vidro

Somos um dos principais fornecedores mundiais de wafers de vidro, fornecemos wafers de vidro finos e ultrafinos e substratos feitos de diferentes materiais, como Borofloat, sílica fundida e quartzo, BK7, cal sodada etc. para MEMS, fibra óptica AWG, LCD aplicação de painéis e substratos OLED. Estas bolachas são [...]

2018-07-11 Consulte Mais informação...

Único cristal

Cristal único CeO2 Cristal Fe3O4 Cristal SnO2 Cristal Cu2O Cristal Fe2O3 Cristal MnO Cristal PrScO3 Substrato de cristal NdScO3 Substrato de cristal NdScO3 Substrato de cristal GdScO3 Substrato de cristal DyScO3 Substrato de cristal SOI Wafer Ti Terminal SrTiO3 HOPG （grafite pirolítica altamente orientada） ZnO / cAl2O3 Filme AIN em safira fer

2018-07-10 Consulte Mais informação...

Epi/Filme Fino em Substrato

Epi / Filme Fino em Substrato GaN Substrato / Modelo SiO2 + Si3N4 em Wafer de Silício Substrato GaAs / AlGaAs em GaAs (Si) Substrato Filme SiC 4H em 4H-SiC Substrato AlN Filme Fino Substrato Filme de Alumínio Substrato Nitreto de Silício em Corning 7980 Substrato La0.7Sr0 .3MnO3 + PbZr (x) Ti (1-x) O3 em substrato de Nb (SrTiO3) Diamante em substrato de wafer de silício Filme condutor Ag （nanowir de prata planarizado） substrato Filme FTO em substratos Nitreto de silício em substrato de silício Substrato de filme La0.5Sr0.5TiO3 Au-revestido [...]

2018-07-10 Consulte Mais informação...

Substratos Supercondutores

Superconductor Substrates Crystal Structure M.P. Density Thermal Expansion Dielectric constant Growth Tech. & max. size standard 1or 2 sides epi polished wafer oC g/ cm3   LSAT Cubic 1840 6.74 10 22 CZ 20x20x0.5mm (LaAlO3)0.3 -(Sr2AlTaO8)0.7 a=3.868 Å Ø35mm 10x10x0.5mm LaAlO3 Rhombo. 2100 6.51 9.2 24.5 CZ Ø3″x0.5mm a=3.790 Å Ø3″ Ø2″x0.5mm c=13.11 Å   Ø1″x0.5mm     10x10x0.5mm MgO Cubic 2852 3.58 12.8 9.8 Flux Ø2″x0.5mm a=4.21 Å Ø2″ 10x10x0.5mm NdGaO3 Orthor. 1600 7.57 7.8 25 CZ Ø2″x0.5mm a=5.43 Å Ø2″ 10x10x0.5mm b=5.50 Å     c=7.71 Å     SrTiO3 Cubic 2080 5.12 10.4 300 vernuil 10x10x0.5mm a=3.90 Å Ø30mm SrLaAlO4 Tetrag. 1650 16.8 CZ 10x10x0.5mm a=3.756 Å Ø20mm c=12.63 Å   YAlO3 Orthor. 1870 4.88 2 ~ 10 16`20 CZ 10x10x0.5mm a=5.176 Å b=5.307 Å Ø30mm c=7.355 Å   YSZ Cubic ~2500 5.8 10.3 27 Flux Ø2″x0.5mm a=5.125 Å Ø2″ 10x10x0.5m

2018-07-10 Consulte Mais informação...

Substratos para Deposição de Filme de Nitreto III-V

Substratos para deposição de filme de nitreto III-V Estrutura cristalina MP Densidade Malha incompatível com a tecnologia de crescimento de expansão térmica GaN. .& Tamanho máximo Tamanho padrão do substrato (mm) oC g/cm3 (10-6/k) SiC (6H como exemplo) Hexagonal ~2700 3,21 3,5% atori. 10,3 CVD Ø2″ x 0,3,Ø3″x0,3 a=3,073 Å 20x20x0,3,15x15x0,3 c=15,117 Å Ø3“ 10x10x0,3,5x5x0,3 subl. 1 lado epi polido Al2O3 Hexagonal 2030 3,97 14% atori. 7,5 CZ Ø50 x 0,33 a=4,758 Å Ø25 x 0,50 c=12,99 Å Ø2” 10x10x0,5 1 ou 2 lados epi polido LiAlO2 Tetragonal 1900 ~ 2,62 1,4% atori. / CZ 10x10x0,5 a=5,17 Å Ø20 mm 1 ou 2 lados epi [...]

2018-07-10 Consulte Mais informação...

Lista de carboneto de silício

Silicon Carbide List   4″ 4H Silicon Carbide Item No. Type Orientation Thickness   Grade Micropipe Density Surface Usable area 　  N-Type  S4H-100-N-SIC-350-A 4″ 4H-N 0°/4°±0.5° 350±25um A  <10/cm2 P/P >90% S4H-100-N-SIC-350-B 4″ 4H-N 0°/4°±0.5° 350±25um B < 30/cm2 P/P >85% S4H-100-N-SIC-350-D 4″ 4H-N 0°/4°±0.5° 350±25um D  <100/cm2 P/P >75% S4H-100-N-SIC-370-L 4″ 4H-N 0°/4°±0.5° 370±25um D * L/L >75% S4H-100-N-SIC-440-AC 4″ 4H-N 0°/4°±0.5° 440±25um D * As-cut >75% S4H-100-N-SIC-C0510-AC-D 4″ 4H-N 0°/4°±0.5° 5~10mm D  <100/cm2 As-cut * S4H-100-N-SIC-C1015-AC-C 4″ 4H-N 0°/4°±0.5° 5~10mm C  <50/cm2 As-cut * 3″ 4H Silicon Carbide Item No. Type Orientation Thickness   Grade Micropipe Density Surface Usable area 　          N-Type  S4H-76-N-SIC-350-A 3″ 4H-N 0°/4°±0.5° 350±25um A  <10/cm2 P/P >90% S4H-76-N-SIC-350-B 3″ 4H-N 0°/4°±0.5° 350±25um B < 30/cm2 P/P >85% S4H-76-N-SIC-350-D 3″ 4H-N 0°/4°±0.5° 350±25um D  <100/cm2 P/P >75% S4H-76-N-SIC-370-L 3″ 4H-N 0°/4°±0.5° 370±25um D * L/L >75% S4H-76-N-SIC-410-AC 3″ 4H-N 0°/4°±0.5° 410±25um D * As-cut >75% S4H-76-N-SIC-C0510-AC-D 3″ 4H-N 0°/4°±0.5° 5~10mm D  <100/cm2 As-cut * S4H-76-N-SIC-C1015-AC-D 3″ 4H-N 0°/4°±0.5° 10~15mm D  <100/cm2 As-cut * S4H-76-N-SIC-C0510-AC-C 3″ 4H-N 0°/4°±0.5° 5~10mm C  <50/cm2 As-cut * S4H-76-N-SIC-C1015-AC-C 3″ 4H-N 0°/4°±0.5° 10~15mm C  <50/cm2 As-cut * 　 SEMI-INSULATING  S4H-76-SI-SIC-350-A 3″ 4H-SI 0°/4°±0.5° 350±25um A  <10/cm2 P/P >90% S4H-76-SI-SIC-350-B 3″ 4H-SI 0°/4°±0.5° 350±25um B < 30/cm2 P/P >85% S4H-76-SI-SIC-350-D 3″ 4H-SI 0°/4°±0.5° 350±25um D  <100/cm2 P/P >75% 2″ 4H Silicon Carbide Item No. Type Orientation Thickness   Grade Micropipe Density Surface Usable area 　 N-Type  S4H-51-N-SIC-330-A 2″ 4H-N 0°/4°±0.5° 330±25um A  <10/cm2 C/P >90% S4H-51-N-SIC-330-B 2″ 4H-N 0°/4°±0.5° 330±25um B < 30/cm2 C/P >85% S4H-51-N-SIC-330-D 2″ 4H-N 0°/4°±0.5° 330±25um D  <100/cm2 C/P >75% S4H-51-N-SIC-370-L 2″ 4H-N 0°/4°±0.5° 370±25um D * L/L >75% S4H-51-N-SIC-410-AC 2″ 4H-N 0°/4°±0.5° 410±25um D * As-cut >75% S4H-51-N-SIC-C0510-AC-D 2″ 4H-N 0°/4°±0.5° 5~10mm D  <100/cm2 As-cut * S4H-51-N-SIC-C1015-AC-D 2″ 4H-N 0°/4°±0.5° 10~15mm D  <100/cm2 As-cut * S4H-51-N-SIC-C0510-AC-C 2″ 4H-N 0°/4°±0.5° 5~10mm C  <50/cm2 As-cut * S4H-51-N-SIC-C1015-AC-C 2″ 4H-N 0°/4°±0.5° 10~15mm C  <50/cm2 As-cut * 2″ 6H Silicon Carbide Item No. Type Orientation Thickness   Grade Micropipe Density Surface Usable area 　 N-Type  S6H-51-N-SIC-330-A 2″ 6H-N 0°/4°±0.5° 330±25um A  <10/cm2 C/P >90% S6H-51-N-SIC-330-B 2″ 6H-N 0°/4°±0.5° 330±25um B < 30/cm2 C/P >85% S6H-51-N-SIC-330-D 2″ 6H-N 0°/4°±0.5° 330±25um D  <100/cm2 C/P >75% S6H-51-N-SIC-370-L 2″ 6H-N 0°/4°±0.5° 370±25um D * L/L >75% S6H-51-N-SIC-410-AC 2″ 6H-N 0°/4°±0.5° 410±25um D * As-cut >75% S6H-51-N-SIC-C0510-AC-D 2″ 6H-N 0°/4°±0.5° 5~10mm D  <100/cm2 As-cut * S6H-51-N-SIC-C1015-AC-D 2″ 6H-N 0°/4°±0.5° 10~15mm D  <100/cm2 As-cut * S6H-51-N-SIC-C0510-AC-C 2″ 6H-N 0°/4°±0.5° 5~10mm C  <50/cm2 As-cut * S6H-51-N-SIC-C1015-AC-C 2″ 6H-N 0°/4°±0.5° 10~15mm C  <50/cm2 As-cut * 　 SEMI-INSULATING  S6H-51-SI-SIC-330-A 2″ 6H-SI 0°/4°±0.5° 330±25um A  <10/cm2 C/P >90% S6H-51-SI-SIC-330-B 2″ 6H-SI 0°/4°±0.5° 330±25um B < 30/cm2 C/P >85% S6H-51-SI-SIC-330-D 2″ 6H-SI 0°/4°±0.5° 330±25um D  <100/cm2 C/P >75% S6H-51-SI-SIC-370-L 2″ 6H-SI 0°/4°±0.5° 370±25um D * L/L >75% S6H-51-SI-SIC-410-AC 2″ 6H-SI 0°/4°±0.5° 410±25um D * As-cut >75% S6H-51-SI-SIC-C0510-AC-D 2″ 6H-SI 0°/4°±0.5° 5~10mm D  <100/cm2 As-cut * S6H-51-SI-SIC-C1015-AC-D 2″ 6H-SI 0°/4°±0.5° 10~15mm D  <100/cm2 As-cut * Please see below sub-catalogue: 6H n type SiC 4H N Type SiC 4H Semi-insulating SiC SiC Ingots Lapped Wafers Polishing Wafer As a SiC wafer supplier,we offer Silicon carbide list for your reference, if you need price detail, please contact our sales team. Note: *** As manufacturer, we also accept small quantity for researcher or foundry. ***Delivery time: it depends on stock we have, if we have stock, we can ship to you soon.  

2018-05-23 Consulte Mais informação...