Wafer InP (Fosfeto de Índio) com grau principal ou de teste, incluindo não dopado, tipo N ou semi-isolante

InP wafer

A PAM-XIAMEN oferece wafer VGF InP (Fosfeto de Índio) com grau principal ou de teste, incluindo baixo teor de dope, tipo N ou semi-isolante. A mobilidade do wafer InP é diferente em diferentes tipos, baixo dopado>=3000cm2/Vs, tipo N>1000 ou 2000cm2V.s (depende da concentração de dopagem diferente), tipo P: 60+/-10 ou 80+/-10cm2 /Vs(depende de diferentes concentrações de dopagem de Zn), e semi-insultuoso>2000cm2/Vs, o EPD de O Fosfeto de Índio está abaixo de 500/cm2 normalmente.

Description

Descrição

InP wafer

PAM-XIAMEN, um fornecedor líder de wafer InP, oferece wafer InP Compound Semiconductor –Indium Phosphideque são cultivados por LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) ou VGF (Vertical Gradient Freeze) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante. A orientação do wafer InP (111) ou (100) está disponível. E os dopantes podem ser Enxofre, Sn(Estanho), Zinco ou alfândega. A marca do laser conforme especificada na parte traseira do wafer InP junto com o plano primário. A orientação com leve ângulo de deflexão está disponível, como (100)0,075° em direção a [110]]±0,025°.

Fosfeto de índio (InP) é um semicondutor binário composto de índio e fósforo. Possui uma estrutura cristalina cúbica de face centrada (“mistura de zinco”), idêntica à do GaAs e da maioria dos semicondutores III-V. O fosfeto de índio pode ser preparado a partir da reação de fósforo branco e iodeto de índio [esclarecimento necessário] a 400 °C, também por combinação direta dos elementos purificados em alta temperatura e pressão, ou por decomposição térmica de uma mistura de um composto de trialquil índio e fosfeto. As pastilhas de fosfeto de índio são usadas em eletrônicos de alta potência e alta frequência devido à velocidade superior do elétron em relação aos semicondutores mais comuns, silício e arsenieto de gálio. O tamanho do wafer InP que podemos oferecer é 2”, 3” e 4”, e a espessura do wafer InP será de 350 ~ 625um.

Aqui está a especificação detalhada:

Especificação de wafer InP de 2 ″

Item	Especificações
dopante	N-tipo	N-tipo	P-tipo	tipo SI
Tipo de Condução	pouco dopado	Enxofre	Zinco	ferro
Diâmetro da bolacha	2 "
Orientação de wafer	(100) ± 0,5 °
Espessura da bolacha	Mín.:325 Máx.:375
Comprimento Plano Primário	16±2mm
Comprimento Plano Secundário	8±1mm
Concentração de Portadores	3×1016cm-3	(0,8-6)x1018cm-3	(0,6-6)x1018cm-3	N / D
Mobilidade	(3,5-4)x103cm2/Vs	(1,5-3,5)x103cm2/Vs	50-70×103cm2/Vs	>1000cm2/Vs
Resistividade	N / D	N / D	N / D	N / D
EPD	<1000cm-2	<500cm-2	<1×103cm-2	<5×103cm-2
TTV	<10um
ARCO	<10um
URDIDURA	<12um
Marcação a laser	a pedido
Acabamento superficial	P/E, P/P
Preparado para Epi	sim
Pacote	Recipiente ou cassete de wafer único

Especificação de wafer InP tipo P de 2 ″

Item	Parâmetro	UOM
Material	InP
Tipo de Conduta/Dopante	SCP/Zn
Grau	Primordial
Diâmetro:	50,5±0,4	milímetros
Orientação:	(100) ± 0,5 °
Ângulo de orientação:	/
Espessura:	Mín.:325 Máx.:375	hum
Concentração de Transportadora:	Mín.:0,6E18 Máx.:3E18	cm^-3
Resistividade:	Mín.：/ Máx.：/	ohm.cm
Mobilidade:	Mín.：/ Máx.：/	cm^-2/V.s
EPD:	Ave＜：1000 Máx.＜：/	cm^-2
TTV:	Máx.: 10	hum
TIR:	Máx.: 10	hum
ARCO:	Máx.: 10	hum
Urdidura:	Máx.: 15	hum
Opção plana:	EJ
Orientação Plana Primária:	(0-1-1)
Comprimento plano primário:	16 ± 1	milímetros
Orientação Plana Secundária:	(0-11)
Comprimento plano secundário:	7±1	milímetros
Superfície:	Lado 1: Polido Lado 2: gravado
Arredondamento de bordas	0,25 (em conformidade com os padrões SEMI)	mmR
Contagem de partículas:	/
Pacote	recipiente individual cheio de N₂
Epi-ready	Sim
Marcação a laser	Parte traseira plana principal
Observação:	Especificações especiais serão discutidas separadamente

Especificação de wafer InP de 3 ″

Item	Especificações
dopante	N-tipo	N-tipo	P-tipo	tipo SI
Tipo de Condução	pouco dopado	Enxofre	Zinco	ferro
Diâmetro da bolacha	3 "
Orientação de wafer	(100) ± 0,5 °
Espessura da bolacha	600±25um
Comprimento Plano Primário	16±2mm
Comprimento Plano Secundário	8±1mm
Concentração de Portadores	≤3×1016cm-3	(0,8-6)x1018cm-3	(0,6-6)x1018cm-3	N / D
Mobilidade	(3,5-4)x103cm2/Vs	(1,5-3,5)x103cm2/Vs	50-70×103cm2/Vs	>1000cm2/Vs
Resistividade	N / D	N / D	N / D	N / D
EPD	<1000cm-2	<500cm-2	<1×103cm-2	<5×103cm-2
TTV	<12um
ARCO	<12um
URDIDURA	<15um
Marcação a laser	a pedido
Acabamento superficial	P/E, P/P
Preparado para Epi	sim
Pacote	Recipiente ou cassete de wafer único

Especificação de wafer InP de 4 ″

Item	Especificações
dopante	N-tipo	N-tipo	P-tipo	tipo SI
Tipo de Condução	pouco dopado	Enxofre	Zinco	ferro
Diâmetro da bolacha	4 "
Orientação de wafer	(100) ± 0,5 °
Espessura da bolacha	600±25um
Comprimento Plano Primário	16±2mm
Comprimento Plano Secundário	8±1mm
Concentração de Portadores	≤3×1016cm-3	(0,8-6)x1018cm-3	(0,6-6)x1018cm-3	N / D
Mobilidade	(3,5-4)x103cm2/Vs	(1,5-3,5)x103cm2/Vs	50-70×103cm2/Vs	>1000cm2/Vs
Resistividade	N / D	N / D	N / D	N / D
EPD	<1000cm-2	<500cm-2	<1×103cm-2	<5×103cm-2
TTV	<15um
ARCO	<15um
URDIDURA	<15um
Marcação a laser	a pedido
Acabamento superficial	P/E, P/P
Preparado para Epi	sim
Pacote	Recipiente ou cassete de wafer único

Especificação de wafer InP dopado com S de 6 ″

Wafer de cristal único InP de 6 polegadas (150 mm)(PAM07282026)
Parâmetro	Valor
Diâmetro	150±0,3 mm
Espessura	675±25um
Método de crescimento	VGF
Grau	Nota principal (pronto para Epi)
dopante	S
Orientação	(100)0,075° em direção a <110>±0,05°
Ângulo de orientação	225
Entalhe	[010] ± 2°
Profundidade do entalhe	1,00-1,25 mm
Ângulo de entalhe	89°-95°
CC	(2-8)E18/cm³
Resistividade	N / D
Mobilidade	≥1000cm²/v·s
EPD-AVE	≤2000/cm²
TTV	≤10um
TIR	≤10um
Arco	≤15um
Urdidura	≤15um
Marcação a laser	Parte frontal perto do entalhe
Face frontal	Polido
Rosto traseiro	Polido
Contagem de partículas	N / D

Teste PL (Fotoluminescência) deFosfeto de índioBolacha

Medimos wafers InP por Peak Lambda, Peak int e FWHM, o mapeamento de espectro é o seguinte:

mapeamento de espectro do wafer InP

Sobre o aplicativo InP Wafer

Como um novo tipo de material semicondutor composto, a participação no mercado de wafers InP está aumentando gradualmente. Devido às excelentes propriedades do fosfeto de índio, o desempenho dos dispositivos de fonte de energia de micro-ondas, amplificadores de micro-ondas e FETs de porta fabricados em material InP será melhor do que aqueles fabricados em materiais de arsenieto de gálio existentes. Os lasers de heterojunção de fosfeto de índio também são fontes de luz extremamente promissoras em comunicações de fibra óptica.

A fabricação de wafers InP para dispositivos, como dispositivos microeletrônicos de ondas milimétricas crescentes e materiais de dispositivos optoeletrônicos para comunicações de fibra óptica, é amplamente utilizada. Com a melhoria contínua do desempenho do dispositivo e a redução do tamanho do dispositivo, os requisitos de qualidade para pastilhas de fosfeto de índio estão cada vez mais elevados. Portanto, o processo do wafer InP está sendo otimizado gradativamente.

Os valores típicos são os dados abaixo: