PAM-XIAMEN pode fornecerBolacha de GaAscom DEP menor que 5.000/cm2.
P: Você poderia informar EPD garantido para substrato e epi abaixo?
Bolachas de arsenieto de gálio, P/E 2″Ø×380±25µm,
LEC SI c doped GaAs:-[100]±0.5°, n-type Ro=(0.8E8-0.9E8)Ohmcm,
Polido em um lado, verso fosco gravado, 2 planos,
LT-GaAs EPI: 1-2µm, resistividade >1E7 Ohm-cm, vida útil da portadora <1ps,
Selado sob nitrogênio em cassete de wafer único.
A: Densidade de Luxação<1×10^6cm-2
O EPD (etch pit densidade) é uma medida da qualidade de wafers semicondutores. É bem conhecido na indústria de arsenieto de gálio (GaAs) que o nível de EPD de um substrato é muito importante para a confiabilidade dos dispositivos de portadores minoritários e para o rendimento dos dispositivos fabricados. Na produção de dispositivos eletrônicos GaAs, como transistores bipolares de heterojunção (HBTs) e transistores de pseudo-alta mobilidade eletrônica (pHEMTs), o EPD do substrato GaAs é um fator que determina o rendimento do dispositivo.
Então, como medir a EPD do substrato GaAs? Um método padrão é sugerido para testar a densidade do poço de gravação em wafer polido GaAs de baixa densidade de deslocamento, como segue:
Este método se aplica à medição de EPD de wafers circulares de GaAs com diâmetros de 2 polegadas e 3 polegadas e EPD inferior a 5.000/cm2.
1. Princípios do Método para Medir EPD de Substarte GaAs Polido
Depois que o wafer de GaAs é gravado com hidróxido de potássio fundido, o número de pontos de corrosão é observado e registrado com um microscópio.
2. Instrumentos para Determinação da DAP
Microscópio: O campo de medição da área de visão deve ser de 0,01 cm2ou maior.
3. Reagentes Químicos
# Ácido sulfúrico (p=1,84 g/mL), concentração 95%~98%, excelente grau puro;
# Peróxido de hidrogênio (p=1,00 g/mL), concentração >=30%, nota excelente;
# Hidróxido de potássio, concentração >=85%, excelente grau de pureza.
4. Etapas de medição da EPD
1) As posições de contagem para wafers GaAs de 2 polegadas de diâmetro e wafers de 3 polegadas são mostradas nas Figuras 1 e 2, respectivamente. O ponto de contagem está no centro de cada grade. Para um wafer de 2 polegadas de diâmetro, o comprimento do lado da grade é de 5 mm, o número total de pontos de contagem é 69 e o 35º ponto está localizado no centro do wafer. Para um wafer de 3 polegadas de diâmetro, o comprimento do lado da grade é de 10 mm, o número total de pontos de contagem é 37 e o 19º ponto está localizado no centro do wafer.
2) Conte e registre o número de pontos de corrosão cujo centro está dentro do campo de visão de medição. Se as covas forem muito densas para serem contadas, aumente a ampliação. Em seguida, conte o número de poços de corrosão e registre os resultados junto com a ampliação do microscópio.
3) Repita a operação descrita em 2) para todos os outros pontos contados, nomeadamente pontos 2 a 69 para pastilhas de arseneto de gálio de 2 polegadas e 2 a 37 pontos para pastilhas de 3 polegadas.
Fig. 1 Posições de contagem para wafers GaAs de 2 ″ de diâmetro
Fig. 2 Posições de contagem para wafers GaAs de 3 ″ de diâmetro
5. Calculando a densidade do poço de gravação
A EPD de cada campo de medição é igual ao número de pontos de corrosão naquele campo dividido pela área do campo, ou seja:
DAP=W/S……………………………… (1)
Na fórmula:
W — o número de pontos de gravação, número;
S — área do campo de visão, cm2.
Exemplo: O tamanho de um campo de medição é 0,1 cm x 0,1 cm e sua área de campo de visão é 0,01 cm2.
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