com base GaN LED epitaxial Wafer
GaN do PAM-XIAMEN (nitreto de gálio) à base de LED bolacha epitaxial é de alto brilho diodos emissores de luz ultra-azul e verde (LED) e diodos laser (LD) de aplicação.
- Descrição
Descrição do produto
O wafer epitaxial LED é um substrato aquecido a uma temperatura adequada. O material de wafer de LED é a pedra angular do desenvolvimento de tecnologia para a indústria de iluminação de semicondutores. Diferentes materiais de substrato requerem tecnologia de crescimento de wafer epitaxial LED diferente, tecnologia de processamento de chip e tecnologia de embalagem de dispositivo. O substrato para LED epi wafer determina a rota de desenvolvimento da tecnologia de iluminação de semicondutores. Para alcançar a eficiência luminosa, os fornecedores de wafer epitaxial prestam mais atenção ao wafer epitaxial LED baseado em GaN, uma vez que o preço do wafer epitaxial é de baixo custo e a densidade do defeito do wafer epi é pequena. A vantagem do LED epi wafer no substrato GaN é a realização de alta eficiência, grande área, lâmpada única e alta potência, o que torna a tecnologia de processo simplificada e melhora a grande taxa de rendimento. As perspectivas de desenvolvimento do mercado de pastilhas LED epi são otimistas.
1. Lista de wafer de LED
Wafer Epitaxial LED |
||||||||
Item | Tamanho | Orientação | Emissão | Comprimento de onda | Espessura | Substrato | Superfície | área útil |
PAM-50-LED-AZUL-F | 50 milímetros | 0°±0,5° | luz azul | 445-475nm | 425um+/-25um | Sapphire | P/L | > 90% |
PAM-50-LED-AZUL-PSS | 50 milímetros | 0°±0,5° | luz azul | 445-475nm | 425um+/-25um | Sapphire | P/L | > 90% |
PAM-100-LED-AZUL-F | 100 milímetros | 0°±0,5° | luz azul | 445-475nm | / | Sapphire | P/L | > 90% |
PAM-100-LED-AZUL-PSS | 100 milímetros | 0°±0,5° | luz azul | 445-475nm | / | Sapphire | P/L | > 90% |
PAM-150-LED-AZUL | 150 milímetros | 0°±0,5° | luz azul | 445-475nm | / | Sapphire | P/L | > 90% |
PAM-100-LED-AZUL-SIL | 50 milímetros | 0°±0,5° | luz azul | 445-475nm | / | Silício | P/L | > 90% |
PAM-100-LED-AZUL-SIL | 100 milímetros | 0°±0,5° | luz azul | 445-475nm | / | Silício | P/L | > 90% |
PAM-150-LED-AZUL-SIL | 150 milímetros | 0°±0,5° | luz azul | 445-475nm | / | Silício | P/L | > 90% |
PAM-200-LED-AZUL-SIL | 200 milímetros | 0°±0,5° | luz azul | 445-475nm | / | Silício | P/L | > 90% |
PAM-50-LED-GREEN-F | 50 milímetros | 0°±0,5° | luz verde | 510-530nm | 425um+/-25um | Sapphire | P/L | > 90% |
PAM-50-LED-GREEN-PSS | 50 milímetros | 0°±0,5° | luz verde | 510-530nm | 425um+/-25um | Sapphire | P/L | > 90% |
PAM-100-LED-GREEN-F | 100 milímetros | 0°±0,5° | luz verde | 510-530nm | / | Sapphire | P/L | > 90% |
PAM-100-LED-GREEN-PSS | 100 milímetros | 0°±0,5° | luz verde | 510-530nm | / | Sapphire | P/L | > 90% |
PAM-150-LED-VERDE | 150 milímetros | 0°±0,5° | luz verde | 510-530nm | / | Sapphire | P/L | > 90% |
PAM-100-LED-RED-GAAS-620 | 100 milímetros | 15°±0,5° | luz vermelha | 610-630nm | / | GaAs | P/L | > 90% |
PAM210527-LED-660 | 100 milímetros | 15°±0,5° | luz vermelha | 660nm | / | GaAs | P/L | > 90% |
PAM-210414-850nm-LED | 100 milímetros | 15°±0,5° | IR | 850nm | / | GaAs | P/L | > 90% |
PAMP21138-940LED | 100 milímetros | 15°±0,5° | IR | 940nm | / | GaAs | P/L | > 90% |
PAM-50-LED-UV-365-PSS | 50 milímetros | 0°±0,5° | UVA | 365 nm | 425um+/-25um | Sapphire | ||
PAM-50-LED-UV-405-PSS | 50 milímetros | 0°±0,5° | UVA | 405 nm | 425um+/-25um | Sapphire | ||
PAM-50-LED-UVC-275-PSS | 50 milímetros | 0°±0,5° | UVC | 275nm | 425um+/-25um | Sapphire | ||
PAM-50-LD-UV-405-SIL | 50 milímetros | 0°±0,5° | UV | 405nm | / | Silício | P/L | > 90% |
PAM-50-LD-BLUE-450-SIL | 50 milímetros | 0°±0,5° | luz azul | 450nm | / | Silício | P/L | > 90% |
Como fabricante de wafer epitaxial de LED, a PAM-XIAMEN pode oferecer wafer de LED Epi GaN ativado e não ativado para aplicação de LED e diodos laser (LD), como para pesquisas de micro LED ou wafer ultrafino ou LED UV ou fabricantes de LED. A pastilha epitaxial LED em GaN é cultivada por MOCVD com PSS ou safira plana para luz de fundo LCD, móvel, eletrônica ou UV (ultravioleta), com emissão azul ou verde ou vermelha, incluindo área ativa InGaN/GaN e camadas AlGaN com poço GaN/AlGaN barreira para diferentes tamanhos de chip.
2. InGaN/GaN(nitreto de gálio) LED Epitaxial Wafer
GaN em Al2O3-2” epi wafer Specification (LED epitaxial wafer)
Branco: 445~460 nm |
Azul: 465~475 nm |
Verde: 510~530 nm |
Técnica 1. Crescimento - MOCVD
diâmetro 2.Wafer: 50,8 milímetros
3. Material de substrato de wafer: Substrato de safira estampado (Al2O3) ou safira plana
4.Wafer tamanho padrão: 3X2X1.5μm
3. Estrutura da bolacha:
estrutura camadas | Espessura (μm) |
p-GaN | 0.2 |
p-AlGaN | 0.03 |
InGaN / GaN (área activa) | 0.2 |
n-GaN | 2.5 |
u- GaN | 3.5 |
Al2O3 (Substrato) | 430 |
4. Parâmetros de wafer para fazer chips:
los | Cor | Chip Tamanho | Características | Aparência | |
PAM1023A01 | Azul | 10mil x 23mil | Iluminação | ||
Vf = 2.8 ~ 3.4V | backlight LCD | ||||
Po = 18 ~ 25mW | aparelhos móveis | ||||
Wd = 450 ~ 460nm | Consumidor eletrônico | ||||
PAM454501 | Azul | 45mil x 45mil | Vf = 2.8 ~ 3.4V | iluminação geral | |
Po = 250 ~ 300 mW | backlight LCD | ||||
Wd = 450 ~ 460nm | exibição ao ar livre |
5. Aplicação de wafer epitaixal LED:
* Se você precisar saber mais informações detalhadas do Blue LED Epitaxial Wafer, entre em contato com nossos departamentos de vendas
Iluminação
luz de fundo LCD
aparelhos móveis
Consumidor eletrônico
6. Especificação do LED Epi Wafer como exemplo:
Especificação PAM190730-LED
- tamanho: 4 polegadas
– WD: 455 ± 10nm
- brilho: > 90mcd
– VF: < 3,3 V
– Espessura n-GaN: <4.1㎛
– espessura de u-GaN: <2,2㎛
– substrato: substrato de safira com padrão (PSS)
7.GaAs (arseneto de gálio)Material de bolacha de LED:
Em relação GaAs wafer LED, eles são cultivados por MOCVD, veja abaixo comprimento de onda de GaAs LED bolacha:
Vermelho: 585nm, 615nm, 620 ~ 630nm
Amarelo: 587 ~ 592nm
Amarelo/Verde: 568 ~ 573nm
8. Definition of LED Epitaxial Wafer:
O que oferecemos é wafer epi LED nu ou wafer não processado sem processos de litografia, contatos n e metais, etc. E você pode fabricar o chip LED usando seu equipamento de fabricação para diferentes aplicações, como pesquisa nano optoeletrônica.
Remark:
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!
Por estas GaAs detalhe LED especificações wafer, visite:GaAs Epi bolacha por LED
Para UV LED especificações wafer, visite:UV LED Epi Wafer
Para wafer LED em especificações de silício, por favor visite:LED Wafer on Silicon
Para especificações Azul GaN LD Wafer, visite: Azul GaN LD Wafer
For Violet GaN LD Wafer, please visit: 405nm GaN Laser Diode Wafer
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