com base GaN LED epitaxial Wafer

com base GaN LED epitaxial Wafer

GaN do PAM-XIAMEN (nitreto de gálio) à base de LED bolacha epitaxial é de alto brilho diodos emissores de luz ultra-azul e verde (LED) e diodos laser (LD) de aplicação.

  • Descrição

Descrição do produto

O wafer epitaxial LED é um substrato aquecido a uma temperatura adequada. O material de wafer de LED é a pedra angular do desenvolvimento de tecnologia para a indústria de iluminação de semicondutores. Diferentes materiais de substrato requerem tecnologia de crescimento de wafer epitaxial LED diferente, tecnologia de processamento de chip e tecnologia de embalagem de dispositivo. O substrato para LED epi wafer determina a rota de desenvolvimento da tecnologia de iluminação de semicondutores. Para alcançar a eficiência luminosa, os fornecedores de wafer epitaxial prestam mais atenção ao wafer epitaxial LED baseado em GaN, uma vez que o preço do wafer epitaxial é de baixo custo e a densidade do defeito do wafer epi é pequena. A vantagem do LED epi wafer no substrato GaN é a realização de alta eficiência, grande área, lâmpada única e alta potência, o que torna a tecnologia de processo simplificada e melhora a grande taxa de rendimento. As perspectivas de desenvolvimento do mercado de pastilhas LED epi são otimistas.

1. Lista de wafer de LED

Wafer Epitaxial LED

Item Tamanho Orientação Emissão Comprimento de onda Espessura Substrato Superfície área útil
PAM-50-LED-AZUL-F 50 milímetros 0°±0,5° luz azul 445-475nm 425um+/-25um Sapphire P/L > 90%
PAM-50-LED-AZUL-PSS 50 milímetros 0°±0,5° luz azul 445-475nm 425um+/-25um Sapphire P/L > 90%
PAM-100-LED-AZUL-F 100 milímetros 0°±0,5° luz azul 445-475nm / Sapphire P/L > 90%
PAM-100-LED-AZUL-PSS 100 milímetros 0°±0,5° luz azul 445-475nm / Sapphire P/L > 90%
PAM-150-LED-AZUL 150 milímetros 0°±0,5° luz azul 445-475nm / Sapphire P/L > 90%
PAM-100-LED-AZUL-SIL 50 milímetros 0°±0,5° luz azul 445-475nm / Silício P/L > 90%
PAM-100-LED-AZUL-SIL 100 milímetros 0°±0,5° luz azul 445-475nm / Silício P/L > 90%
PAM-150-LED-AZUL-SIL 150 milímetros 0°±0,5° luz azul 445-475nm / Silício P/L > 90%
PAM-200-LED-AZUL-SIL 200 milímetros 0°±0,5° luz azul 445-475nm / Silício P/L > 90%
PAM-50-LED-GREEN-F 50 milímetros 0°±0,5° luz verde 510-530nm 425um+/-25um Sapphire P/L > 90%
PAM-50-LED-GREEN-PSS 50 milímetros 0°±0,5° luz verde 510-530nm 425um+/-25um Sapphire P/L > 90%
PAM-100-LED-GREEN-F 100 milímetros 0°±0,5° luz verde 510-530nm / Sapphire P/L > 90%
PAM-100-LED-GREEN-PSS 100 milímetros 0°±0,5° luz verde 510-530nm / Sapphire P/L > 90%
PAM-150-LED-VERDE 150 milímetros 0°±0,5° luz verde 510-530nm / Sapphire P/L > 90%
PAM-100-LED-RED-GAAS-620 100 milímetros 15°±0,5° luz vermelha 610-630nm / GaAs P/L > 90%
PAM210527-LED-660 100 milímetros 15°±0,5° luz vermelha 660nm / GaAs P/L > 90%
PAM-210414-850nm-LED 100 milímetros 15°±0,5° IR 850nm / GaAs P/L > 90%
PAMP21138-940LED 100 milímetros 15°±0,5° IR 940nm / GaAs P/L > 90%
PAM-50-LED-UV-365-PSS 50 milímetros 0°±0,5° UVA 365 nm 425um+/-25um Sapphire
PAM-50-LED-UV-405-PSS 50 milímetros 0°±0,5° UVA 405 nm 425um+/-25um Sapphire
PAM-50-LED-UVC-275-PSS 50 milímetros 0°±0,5° UVC 275nm 425um+/-25um Sapphire
PAM-50-LD-UV-405-SIL 50 milímetros 0°±0,5° UV 405nm / Silício P/L > 90%
PAM-50-LD-BLUE-450-SIL 50 milímetros 0°±0,5° luz azul 450nm / Silício P/L > 90%


Como fabricante de wafer epitaxial de LED, a PAM-XIAMEN pode oferecer wafer de LED Epi GaN ativado e não ativado para aplicação de LED e diodos laser (LD), como para pesquisas de micro LED ou wafer ultrafino ou LED UV ou fabricantes de LED. A pastilha epitaxial LED em GaN é cultivada por MOCVD com PSS ou safira plana para luz de fundo LCD, móvel, eletrônica ou UV (ultravioleta), com emissão azul ou verde ou vermelha, incluindo área ativa InGaN/GaN e camadas AlGaN com poço GaN/AlGaN barreira para diferentes tamanhos de chip.

2. InGaN/GaN(nitreto de gálio) LED Epitaxial Wafer

GaN em Al2O3-2” epi wafer Specification (LED epitaxial wafer)

Branco: 445~460 nm
Azul: 465~475 nm
Verde: 510~530 nm

Técnica 1. Crescimento - MOCVD
diâmetro 2.Wafer: 50,8 milímetros
3. Material de substrato de wafer: Substrato de safira estampado (Al2O3) ou safira plana
4.Wafer tamanho padrão: 3X2X1.5μm

3. Estrutura da bolacha:

estrutura camadas Espessura (μm)
p-GaN 0.2
p-AlGaN 0.03
InGaN / GaN (área activa) 0.2
n-GaN 2.5
u- GaN 3.5
Al2O3 (Substrato) 430

 

4. Parâmetros de wafer para fazer chips:

los Cor Chip Tamanho Características Aparência
PAM1023A01 Azul 10mil x 23mil Iluminação
Vf = 2.8 ~ 3.4V backlight LCD
Po = 18 ~ 25mW aparelhos móveis
Wd = 450 ~ 460nm Consumidor eletrônico
PAM454501 Azul 45mil x 45mil Vf = 2.8 ~ 3.4V iluminação geral
Po = 250 ~ 300 mW backlight LCD
Wd = 450 ~ 460nm exibição ao ar livre

 

5. Aplicação de wafer epitaixal LED:

* Se você precisar saber mais informações detalhadas do Blue LED Epitaxial Wafer, entre em contato com nossos departamentos de vendas

Iluminação
luz de fundo LCD
aparelhos móveis
Consumidor eletrônico

6. Especificação do LED Epi Wafer como exemplo:

Especificação PAM190730-LED
- tamanho: 4 polegadas
– WD: 455 ± 10nm
- brilho: > 90mcd
– VF: < 3,3 V
– Espessura n-GaN: <4.1㎛
– espessura de u-GaN: <2,2㎛
– substrato: substrato de safira com padrão (PSS)

7.GaAs (arseneto de gálio)Material de bolacha de LED:

Em relação GaAs wafer LED, eles são cultivados por MOCVD, veja abaixo comprimento de onda de GaAs LED bolacha:
Vermelho: 585nm, 615nm, 620 ~ 630nm
Amarelo: 587 ~ 592nm
Amarelo/Verde: 568 ~ 573nm

8. Definition of LED Epitaxial Wafer:

O que oferecemos é wafer epi LED nu ou wafer não processado sem processos de litografia, contatos n e metais, etc. E você pode fabricar o chip LED usando seu equipamento de fabricação para diferentes aplicações, como pesquisa nano optoeletrônica.

 

Remark:
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!

Por estas GaAs detalhe LED especificações wafer, visite:GaAs Epi bolacha por LED

Para UV LED especificações wafer, visite:UV LED Epi Wafer  

 AlGaN UV LED Wafer

Para wafer LED em especificações de silício, por favor visite:LED Wafer on Silicon

Para especificações Azul GaN LD Wafer, visite: Azul GaN LD Wafer

For Violet GaN LD Wafer, please visit: 405nm GaN Laser Diode Wafer

GaN LED Epi em Sapphire

Bolacha de LED infravermelho de 850 nm e 940 nm

850-880nm e 890-910nm vermelho infravermelho AlGaAs/GaAs LED Epi-Wafer

630nm GaAs LED Wafer

Wafers GaN para fabricar dispositivos de LED

Estrutura de LED GaN Epitaxy em Substrato de Safira Plano ou PSS

Crescimento epitaxial de GaN em safira para LED

Formação de poços em forma de V em filmes de nitreto cultivados por deposição de vapor químico metalorgânico

Si-based GaN PIN Photodetector Structure

For more foundry services, please visit: GaN Foundry Services for LED Fabrication

Você também pode gostar ...