O laser Fabry-Perot (FP-LD) é o laser semicondutor mais comum. Atualmente, a tecnologia de fabricação de FP-LD usada na comunicação de fibra óptica tem sido bastante madura, e a estrutura de camada ativa de múltiplos poços quânticos de dupla heterojunção, portadora e estrutura limitada por luz é amplamente utilizada. PAM-XIAMEN, um dos principais fornecedores de epitaxia, pode oferecer FPpastilha de diodo lasercom espectro de laser de 698nm. Mais especificamente, a estrutura é mostrada na tabela abaixo. Além disso, podemos desenvolver estruturas específicas de laser FP com comprimento de onda específico para atender às suas necessidades.
1. Especificação de 698nm GaInAsP / AlGaInP FP Laser Chip Wafer
PAM180911 – FPLD
Camada No. | Material | Fração molar (x) | Fração molar (y) | Espessura (um) | dopante | Tipo | PL (nm) | Tensão (ppm) | CV Nível (cm-3) | Grupo | Repetir |
13 | GaAs | – | – | P | >2E19 | ||||||
12 | Ganho (x) P | 0.49 | 0.05 | – | – | – | – | ||||
11 | Al (x) InP | – | – | – | – | – | – | ||||
10 | Al (x) InP | – | – | Zinco | – | – | – | ||||
9 | Al(x)GaIn(y)P | 0.6 | 0.49 | – | não dopado | – | – | ||||
8 | Al(x)GaIn(y)As | tbd | tbd | tbd | – | – | tbd | tbd | – | – | |
7 | GaIn(x)As(y)P | tbd | tbd | tbd | – | U / D | 690nm | tbd | – | – | |
6 | Al(x)GaIn(y)As | tbd | tbd | tbd | – | – | tbd | tbd | – | – | |
5 | Al(x)GaIn(y)P | 0.6 | 0.49 | 0.05 | – | – | 800 | ||||
4 | Al (x) InP | – | – | Si | – | – | – | ||||
3 | Al (x) InP | – | – | – | – | – | 1,00E+18 | ||||
2 | Ganho (x) P | – | – | – | – | 800 | – | ||||
1 | GaAs | 0.5 | – | N | |||||||
0 | Substrato |
2. O que é Laser Semicondutor Fabry-Perot?
O diodo laser FP é um dispositivo emissor de luz semicondutor e é projetado com a cavidade FP como ressonador e emitindo luz coerente de modo multilongitudinal. O ressonador FP, ou seja, a cavidade plana paralela (ressonador), é um tipo de ressonador óptico, composto de dois espelhos planos paralelos e é frequentemente usado em lasers semicondutores. Este é o primeiro ressonador óptico proposto na história do desenvolvimento da tecnologia laser e é a base do interferômetro Fabry-Perot.
O comprimento de onda do laser FP é muito amplo, desde a luz visível até o infravermelho médio e o infravermelho distante. Para o comprimento de onda de saída mais longo, eles podem ser realizados como lasers de cascata quântica.
Remark:
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!
Para obter mais informações, entre em contato conosco pelo e-mail victorchan@powerwaywafer.com e powerwaymaterial@gmail.com.