O wafer epitaxial GaAs (arseneto de gallim) com crescimento específico para pilhas de diodos de alta tensão (HV) pode ser fornecido pelo PAM-XIAMEN. A estrutura de arseneto de gálio fornece a densidade de potência necessária, eficiência e confiabilidade para sistemas extremamente compactos. pastilhas de diodo GaAs atendem aos requisitos de eletrônica de potência em aplicações industriais modernas, geração de energia a partir de energias renováveis ou veículos totalmente elétricos ou híbridos. Especialmente na faixa de média e alta tensão entre 600 e 1700 volts, o crescimento epitaxial de GaAs aumenta a eficiência energética, além de reduzir o peso, tamanho e custo total do sistema completo correspondente. A seguir está a especificação da epitaxia de GaAs com um crescimento incomum e muito espesso:
1. Especificação de GaAs Epitaxy
| GaAs Homoepitaxia para diodos HV PAMP16076-GAAS | ||||
| Camada | Material | Concentração de doping | Espessura | Marca |
| Substrato | GaAs n-dopado | 2×1018 cm-3 | – | espessura não relevante > 250 mícrons |
| Episódio 1 | GaAs n-dopado | – | 5 mícrons | – |
| Episódio 2 | GaAs p-dopado | (1-3)E15 | – | – |
| Epi 3 | GaAs p-dopado | – | – | – |
Notes for GaAs homoepitaxial films:
Thickness deviation of each layer: +/-10%;
Concentration deviation of each layer: +/-30%;
Total thickness: 15um.
LPE (liquid phase epitaxy) technology solutions can make the growing process of diode structure with high efficiency, and high quality GaAs epilayers can be obtained.
2. P-Type Doping GaAs Epitaxy on GaAs Substrate
GaAs epi wafer with high p-type doping concentration is widely used in devices such as bipolar transistors. Among p-type doped GaAs semiconductor materials, Be is an ideal p-type dopant source with many advantages. Be used as a dopant source can prepare highly doped GaAs epiwafer with controllable doping concentration to meet the requirements of the device. At the same time, Be is also a typical p-type doping source in AlGaAs, InGaAs material system devices. Be used as a p-type doping source for high-concentration doping has good advantages in device applications, such as low-resistance heterojunction bipolar transistors, p-type unalloyed ohmic contacts, etc.
Há um grande número de ligações pendentes na superfície do GaAs, e os óxidos de GaAs e As são facilmente formados quando expostos ao ar. Esses óxidos formarão centros de recombinação não radiativos e reduzirão as propriedades de luminescência dos materiais GaAs. Portanto, reduzir o centro de recombinação não radiativa da superfície e a densidade do estado da superfície de materiais de GaAs é de grande importância para melhorar o desempenho de luminescência de dispositivos baseados em GaAs. A passivação de enxofre é um método de tratamento eficaz para melhorar as propriedades luminescentes de GaAs. Depois que a epitaxia GaAs é submetida ao tratamento de passivação de enxofre, a camada de óxido na superfície é removida e, ao mesmo tempo, Ga e As na superfície se combinam com S para formar sulfeto, o que reduz a densidade do estado superficial, melhora a recombinação de radiação na superfície do crescimento epitaxial de arsenieto de gálio, e melhora as propriedades de fotoluminescência da epitaxia em GaAs.
3. Crescimento instável em GaAs (001) Homoepitaxia
Usamos força atômica e microscopia de tunelamento de varredura para estudar a epitaxia de GaAs (001) cultivadas em MBE. Quando as condições de crescimento epitaxial favorecem a nucleação da ilha, pode-se verificar a evolução de multicamadas. Com o aumento da espessura das epiestruturas de GaAs, as feições crescem em todas as dimensões e o ângulo de inclinação se mantém em 1°. Não ocorrem colisões em superfícies cultivadas em fluxo de passo. Supomos que as características das multicamadas de epitaxia de GaAs dependem da nucleação da ilha e da existência de barreira de degrau devido ao modo de crescimento instável.
Para obter mais informações, entre em contato conosco pelo e-mail victorchan@powerwaywafer.com e powerwaymaterial@gmail.com.