Os materiais GaAs semicondutores são usados ​​principalmente em dispositivos ativos de comunicação óptica, diodos emissores de luz semicondutores (LEDs), células solares de alta eficiência e dispositivos Hall. Além disso, os dispositivos optoeletrônicos de GaAs têm aplicações importantes em eletrodomésticos, instrumentos industriais, monitores de tela grande, equipamentos de automação de escritório, gerenciamento de tráfego, etc. Para cultivar cristais únicos de GaAs, são necessários policristais de GaAs.PAM-XIAMENpode fornecer arsenieto de gálio policristalino. Consulte a tabela a seguir para obter os parâmetros específicos do wafer policristalino GaAs:

1. Especificação do Wafer Policristalino GaAs

A bolacha policristalina de GaAs pode ser usada para o crescimento de cristal único de GaAs.

Além disso, o wafer policristalino pode ser usado como material de janela infravermelha. E estudos descobriram que o revestimento de janela infravermelha de GaAs policristalino com anti-reflexo (AR) terá melhor transmitância.

2. Challenges and Solutions for Polycrystalline GaAs Synthetized by Horizontal Method

Como o arseneto de gálio é um composto binário, a pressão de vapor do arsênico é alta e o gálio e o arsênico são fáceis de oxidar, o policristal sintético de GaAs é propenso a defeitos como deformação do quartzo, oxidação do policristal e cauda rica em gálio. Para superar esses defeitos, podemos otimizar a fórmula da matéria-prima, o controle de pressão de vapor de arsênico e o projeto de campo de temperatura de resfriamento do forno. Específico como segue:

1) Em termos de matéria-prima, além de garantir estritamente que a proporção molar de gálio para arsênico seja de 1:1, uma proporção molar adicional de 0,5% de arsênico é adicionada.

2) O controle de pressão de vapor de arsênico é usado principalmente para observar o estado do vapor de arsênico no tubo de quartzo e a forma da parede do tubo de quartzo através da janela do corpo do forno, de modo a ajustar a taxa de sublimação de arsênico. Se o vapor de arsênico no tubo de quartzo parecer nevoeiro denso e o tubo de quartzo mostrar sinais de expansão, isso indica que a pressão do vapor de arsênico é muito alta, neste momento, a temperatura na extremidade do arsênico pode ser reduzida adequadamente em 5 ~ 8 ℃ para diminuir a taxa de sublimação de arsênico. Pelo contrário, se o vapor de arsênico no tubo de quartzo for fino e o tubo de quartzo encolher, a temperatura na extremidade do arsênico pode ser aumentada adequadamente em 5 ~ 8 ℃, acelerando a sublimação do arsênico e restaurando a forma completa original do tubo de quartzo .

3) Para o problema de quebra do tubo de quartzo e oxidação policristalina causada pelo resfriamento do forno, o projeto de otimização do programa de resfriamento de temperatura no final de alta temperatura é adotado principalmente. Após a síntese de gálio e arsênico, o fio de aquecimento na extremidade de alta temperatura não pode ser resfriado ao mesmo tempo, mas começa a partir do primeiro fio de aquecimento próximo à zona de temperatura média. O processo de resfriamento lento libera gradativamente as tensões internas do tubo de quartzo, evitando assim a ocorrência de trincas e até mesmo estouro durante o processo de resfriamento do tubo de quartzo.

O arsenieto de poligálio obtido após o processo otimizado tem brilho metálico óbvio, sem oxidação na superfície e não existe nenhum gálio rico na extremidade cortada. Os parâmetros de mobilidade e concentração de portadores obtidos estão em conformidade com os requisitos da preparação de cristal único de GaAs.

Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!

Para mais informações, por favor contacte-nos e-mail emvictorchan@powerwaywafer.com e powerwaymaterial@gmail.com.