A bolacha de GaAs é um importante semicondutor composto III-V, uma estrutura de treliça de esfalerita com constante de rede de 5,65 x 10-10m, ponto de fusão de 1237 C e intervalo de banda de 1,4 elétron-volts. A bolacha de arsenieto de gálio pode ser transformada em materiais semi-isolantes com resistividade superior ao silício e germânio em três ordens de grandeza, que pode ser usada para fabricar substratos de circuito integrado, detectores infravermelhos, detectores de fótons gama e assim por diante. Como sua mobilidade eletrônica é 5 a 6 vezes maior que a do silício, ele tem sido amplamente utilizado na fabricação de dispositivos de micro-ondas e circuitos digitais de alta velocidade. Dispositivos semicondutores feitos de GaAs têm as vantagens de alta frequência, alta temperatura, bom desempenho em baixa temperatura, baixo ruído e forte resistência à radiação. Além disso, também pode ser usado para fabricar dispositivos de transferência – dispositivos de efeito de volume.
(Arseneto de Gálio) GaAs Wafer e Epitaxy:GaAs wafer, tipo N, tipo P ou semi-isolante, tamanho de 2″ a 6″; GaAs epi wafer para HEMT, pHEMT, mHEMT e HBT
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Epi bolacha por Laser Diode
O wafer de epitaxia LD baseado em GaAs, que pode gerar emissão estimulada, é amplamente utilizado para fabricar diodo laser, uma vez que as propriedades superiores do wafer epitaxial GaAs tornam o dispositivo um baixo consumo de energia, alta eficiência, longa vida útil e etc. Além do arseneto de gálio LD epi wafer , os materiais semicondutores comumente usados são sulfeto de cádmio (CdS), fosfeto de índio (InP) e sulfeto de zinco (ZnS).
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GaAs (gálio arsenieto) Bolachas
Como fornecedor líder de substrato de GaAs, a PAM-XIAMEN fabrica substrato de wafer de GaAs (arsenieto de gálio) pronto para Epi, incluindo semicondutor tipo n, semicondutor C dopado e tipo p com grau principal e grau fictício. A resistividade do substrato GaAs depende dos dopantes, dopado com Si ou dopado com Zn é (0,001 ~ 0,009) ohm.cm, dopado com C é> = 1E7 ohm.cm. A orientação do cristal wafer GaAs deve ser (100) e (111). Para orientação (100), pode estar 2°/6°/15° desligado. O EPD do wafer GaAs normalmente é <5000/cm2 para LED ou <500/cm2 para LD ou microeletrônica.
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GaAs Epiwafer
A PAM-XIAMEN está fabricando vários tipos de materiais semicondutores tipo n dopados com silício epi wafer III-V baseados em Ga, Al, In, As e P cultivados por MBE ou MOCVD. Fornecemos estruturas personalizadas de epiwafer GaAs para atender às especificações do cliente, entre em contato conosco para obter mais informações.
