GaAs Epiwafer

PAM-XIAMEN is manufacturing various types of epi wafer III-V silicon doped n-type semiconductor materials based on Ga, Al, In, As and P grown by MBE or MOCVD. We supply custom GaAs epiwafer structures to meet customer specifications, please contact us for more information.

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Descrição do produto

GaAs Epi wafer 

As a leading GaAs epi wafer foundry, PAM-XIAMEN are manufacturing various types of epiwafer III-V silicon doped n-type semiconductor materials based on Ga, Al, In, As and P grown by MBE or MOCVD, which make a low gallium arsenide epi wafer defect. We supply custom GaAs epiwafer structures to meet customer specifications, please contact us for more information.

We have numbers of the United States Veeco’s GEN2000, GEN200 large-scale production of epitaxial equipment production line, full set of XRD; PL-Mapping; Surfacescan, and other world-class analysis and testing equipment. The company has more than 12,000 square meters of supporting plant, including world class super-clean semiconductor and a related research and development of the younger generation of clean laboratory facilities.

Specification for all new and featured products of MBE III-V compound semiconductor epitaxial wafer:

substrato material Capacidade de materiais Aplicação
GaAs GaAs baixa temperatura THz
GaAs GaAs / GaAlAs / GaAs / GaAs Schottky Diode
InP InGaAs detector PIN
InP InP / InP / InGaAsP / InP / InGaAs Laser
GaAs GaAs / AlAs / GaAs  
InP InP / INASP / InGaAs / INASP  
GaAs GaAs / InGaAsN / AlGaAs  
/ GaAs / AlGaAs
InP InP / InGaAs / InP fotodetectores
InP InP / InGaAs / InP  
InP InP / InGaAs  
GaAs GaAs / InGaP / GaAs / AlInP Célula solar
/ InGaP / AlInP / InGaP / AlInP
GaAs GaAs / GaInP / GaInAs / GaAs / AlGaAs / GalnP / GalnAs Célula solar
/ GalnP / GaAs / AlGaAs / AllnP / GalnP / AllnP / GalnAs
InP InP / GaInP  
GaAs GaAs / AlInP  
GaAs GaAs / AlGaAs / GalnP / AlGaAs / GaAs Laser 703nm
GaAs GaAs / AlGaAs / GaAs  
GaAs GaAs / AlGaAs / GaAs / AlGaAs / GaAs HEMT
GaAs GaAs / AlAs / GaAs / AlAs / GaAs mHEMT
GaAs GaAs / DBR / AlGaInP / MQW / AlGaInP / GAP wafer LED, iluminação de estado sólido
GaAs GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP 635nm, 660nm, 808nm, 780nm, 785nm,
/ Substrato GaAsP / GaAs / GaAs 950nm, 1300nm, 1550nm Laser
GaSb ALSB / GaInSb / InAs detector de IR, o PIN de detecção, cemera IR
silício InP ou GaAs em Silicon Alta velocidade IC / microprocessadores
InSb Berílio dopado InSb  
/ N dopado InSb / Te dopado InSb /

 

Gallium arsenide is currently one of the most important compound semiconductor materials with the highest mature epi wafer technology. GaAs material has the characteristics of large forbidden band width, high electron mobility, direct band gap, high luminous efficiency. Due to all all these epi wafer advantages, GaAs epitaxy is currently the most important material used in the field of optoelectronics. Meanwhile, it is also an important microelectronic material. According to the difference in electrical conductivity, GaAs epi wafer materials can be divided into semi-insulating (SI) GaAs and semiconductor (SC) GaAs.

In the field of epitaxial wafers, the epi wafer market share of RF and laser applications is very large.

 

Para mais especificação de detalhe, consulte o seguinte:

camada LT-epi GaAs sobre substrato de GaAs

Filme fino LT GaAs para fotodetectores e fotomisturadores

Low Temperature Grown InGaAs 

GaAs Schottky Diodo Epitaxial Wafers

InGaAs / InP bolacha epi para PIN

InGaAsP / InGaAs sobre substratos de InP

InGaAs APD Wafers with High Performance

 

GaAs / AlAs wafer

InGaAsN epitaxialmente em GaAs ou wafers InP

Estrutura para fotodetectores InGaAs

InP / InGaAs / InP bolacha epi

InGaAs Estrutura bolacha

AlGaP / GaAs Epi bolacha por célula solar

células solares tripla junção

Estrutura da célula solar cultivada epitaxialmente em wafer InP

GaAs Epitaxy

GaInP / InP bolacha epi

AlInP / GaAs epi bolacha

Growth of GaAsSb / InGaAs Type-II Superlattice

 

estrutura de camadas de laser 703nm

wafers de laser 808nm

wafers de laser 780nm

 

GaAs PIN epi bolacha

AlGaAs / GaAs PIN Epitaxial Wafer

1550nm GaInAsP / InP PIN Photodiode Structure

Estrutura do fotodiodo InGaAs

GaAs / AlGaAs / GaAs epi bolacha

GaAs Based Epitaxial bolacha por LED e LD, por favor, veja abaixo desc.
GaAs pHEMT epi wafer (GaAs, AlGaAs, InGaAs), please see below desc.
GaAs mHEMT epi bolacha(MHEMT: metamórfica alta mobilidade de electrões transistor)
GaAs HBT epi bolacha (GaAs HBT é transistores de junção bipolar, os quais são compostos por, pelo menos, dois semicondutores diferentes, o que é por GaAs tecnologia baseada.) De efeito de campo metal-semicondutor transistor (MESFET)
 
efeito de campo Heterojunction transistor (HFET)
Alta mobilidade de electrões transistor (HEMT)
Pseudomórfica transistor de elevada mobilidade electrónica (PHEMT)
Ressonante túnel diodo (IDT)
PiN diodo
dispositivos de efeito de Hall
díodo capacitância variável (VCD)
GaAs substrate, 50 nm of InAlP, and then 2.5 microns of GaAs PAM210406-INALP

 

Agora vamos listar algumas especificações:

GaAs HEMT epiwafer, size:2~6inch
 Item   Especificações  Observação
Parâmetro composição de Al / Na composição / A resistência de folha Entre em contato com o nosso departamento de tecnologia
mobilidade Recepção / Concentração 2DEG
tecnologia de medição difração de raios-X / corrente Eddy Entre em contato com o nosso departamento de tecnologia
salão Un-contact
válvula típica struture dependente Entre em contato com o nosso departamento de tecnologia
5000 ~ 6500cm2 / V ‡ S / 0,5 ~ 1,0 x 1,012 centímetro-2
tolerância padrão 0,01 ± / ± 3% / nenhum Entre em contato com o nosso departamento de tecnologia
GaAs (arsenieto de gálio) pHEMT epiwafer, size:2~6inch
 Item   Especificações  Observação
Parâmetro composição de Al / Na composição / A resistência de folha Entre em contato com o nosso departamento de tecnologia
mobilidade Recepção / Concentração 2DEG
tecnologia de medição difração de raios-X / corrente Eddy Entre em contato com o nosso departamento de tecnologia
salão Un-contact
válvula típica struture dependente Entre em contato com o nosso departamento de tecnologia
5000 ~ 6800cm2 / V ‡ S / 2,0 ~ 3,4 vezes 1,012 centímetro-2
tolerância padrão 0,01 ± / ± 3% / nenhum Entre em contato com o nosso departamento de tecnologia
Remark:GaAs pHEMT: Compared with GaAs HEMT, GaAs PHEMT also incorporates InxGa1-xAs,where InxAs  is constrained to x < 0.3 for GaAs-based devices. Structures grown with the same lattice constant as HEMT, but different band gaps are simply referred to as lattice-matched HEMTs.
GaAs mHEMT epiwafer, size:2~6inch
 Item   Especificações  Observação
Parâmetro Em resistência composição / Folha Entre em contato com o nosso departamento de tecnologia
mobilidade Recepção / Concentração 2DEG
tecnologia de medição difração de raios-X / corrente Eddy Entre em contato com o nosso departamento de tecnologia
salão Un-contact
válvula típica struture dependente Entre em contato com o nosso departamento de tecnologia
8000~10000cm2/V ·S/2.0~3.6x 1012cm-2
tolerância padrão ± 3% / nenhum Entre em contato com o nosso departamento de tecnologia
InP HEMT epiwafer, size:2~4inch
 Item   Especificações  Observação
Parâmetro Na resistência Composição / Folha de mobilidade / Salão Entre em contato com o nosso departamento de tecnologia

  

Remark: GaAs(Gallium arsenide) is a compound semiconductor material,a mixture of two elements, gallium (Ga) and arsenic (As). The uses of Gallium arsenide are varied and include being used in LED/LD, field-effect transistors (FETs), and integrated circuits (ICs)

aplicações do dispositivo

RF Switch, Power and low-noise amplifiers, Hall sensor, modulador óptico

estações de telefone celular ou de base: sem fio

Automotive radar, MMIC, RFIC, Comunicações de fibra óptica

GaAs Epi bolacha por LED serie / IR:

A inscrição 1.Config.geral:

1.1 Método Crescimento: MOCVD
1.2 GaAs epi wafer for Wireless Networking

1.3wafer GaAs epi para LED/ IR e LD / PD

2.Epi especificações wafer:

2.1 tamanho da bolacha: 2” de diâmetro

2.2 GaAs Epi Wafer Structure(from top to bottom):

P + GaAs

p-GAP

p-AlGaInP

MQW-AlGaInP

n-AlGaInP

DBR n-ALGaAs / AlAs

Amortecedor

substrato GaAs

Sepcification 3.Chip (Base de Dados em 9mil * fritas 9mil)

3.1 Parâmetro

Chip Tamanho 9mil * 9mil

Espessura 190 ± 10um

diâmetro eléctrodo 90um ± 5um

3.2 caracteres óptico-eléctricos (Ir = 20mA, 22 ℃)

Comprimento de onda de 620 ~ 625nm

tensão direta 1.9 ~ 2.2V

≥10v inversa tensão

Inversa 0-1uA atual

3,3 caracteres intensidade da luz (Ir = 20 mA, 22 ℃)

IV (MCD) 80-140

3.4 Epiwafer avelength

Item

Unidade

Red

Amarelo

Amarelo verde

Descrição

Comprimento de onda (λD)

nm

585615620 ~ 630

587 ~ 592

568 ~ 573

SE = 20 mA

Métodos de crescimento: MOCVD, MBE

epitaxia = crescimento de película com uma relação cristalográfica entre o filme e o substrato homoepitaxy (autoepitaxy, isoepitaxy) = película e substrato são mesmo material heteroepitaxy = película e substrato são materiais diferentes. Parapara mais informações sobre os métodos de crescimento, por favor, clique no seguinte:https://www.powerwaywafer.com/technology.html

InGaAs Epitaxy Sensor / Detector:

Shortwave Infrared InGaAs Sensor

InGaAs SWIR Detector

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