GaAs (gálio arsenieto) Bolachas

GaAs (gálio arsenieto) Bolachas

As a leading GaAs substrate supplier, PAM-XIAMEN manufactures Epi-ready GaAs(Gallium Arsenide) Wafer Substrate including semi-conducting n type, semi-conductor undoped and p type with prime grade and dummy grade. The GaAs substrate resistivity depends on dopants, Si doped or Zn doped is (0.001~0.009) ohm.cm, undoped one is >=1E7 ohm.cm. The GaAs wafer crystal orientation should be (100) and (111). For (100) orientation, it can be 2°/6°/15° off. The EPD of GaAs wafer normally is <5000/cm2 for LED or <500/cm2 for LD or microelectronics.

  • Descrição

Descrição do produto

(arsenieto de gálio) GaAs Wafer

PAM-XIAMEN develops and manufactures compound semiconductor substrates-gallium arsenide crystal and wafer. We has used advanced crystal growth technology, vertical gradient freeze(VGF) and GaAs wafer manufacturing process, established a production line from crystal growth, cutting, grinding to polishing processing and built a 100-class clean room for GaAs wafer cleaning and packaging. Our GaAs wafers include 2~6 inch ingot/wafers for LED, LD and Microelectronics applications. We are always dedicated to improve the quality of currently GaAs wafer substrates and develop large size substrates. The GaAs wafer size offered is in 2”, 3”, 4” and 6”, and the thickness should be 220-700um. Moreover, the GaAs wafer price from us is competitive.

1. GaAs Wafer Specifications

1.1 (GaAs)arsenieto de gálioWafers para aplicações de LED

Item Especificações Observações
Tipo de condução SC / n-tipo SC / tipo-p com Zn narcótico Disponível
Método crescimento VGF  
dopante Silício Zn disponível
wafer Diamter 2, 3 e 4 polegadas Lingote ou como corte availalbe
Orientação de cristais (100) 2 °/ 6 ° / 15 ° fora (110) Outros misorientation disponíveis
DO EJ ou US  
Concentração transportadora (0,4 ~ 2,5) E18 / cm3  
Resistividade à TA (1,5 ~ 9) E-3 Ohm.cm  
Mobilidade 1500 ~ 3000cm2 / V.s  
Etch Pit Densidade <5000 / cm2  
Marcação a laser a pedido  
Acabamento de superfície P / E ou P / P  
Espessura 220 ~ 450um  
epitaxia Pronto Sim  
Pacote recipiente de bolacha única ou cassete

 

1.2 (GaAs)arsenieto de gálioWafers para aplicações LD

Item Especificações Observações
Tipo de condução SC / n-tipo  
Método crescimento VGF  
dopante Silício  
wafer Diamter 2, 3 e 4 polegadas Lingote ou como disponível de corte
Orientação de cristais (100) 2 °/ 6 ° / 15 ° fora (110) Outros misorientation disponíveis
DO EJ ou US  
Concentração transportadora (0,4 ~ 2,5) E18 / cm3  
Resistividade à TA (1,5 ~ 9) E-3 Ohm.cm  
Mobilidade 1500 ~ 3000 cm2 / V.s  
Etch Pit Densidade <500 / cm2  
Marcação a laser a pedido  
Acabamento de superfície P / E ou P / P  
Espessura 220 ~ 350um  
epitaxia Pronto Sim  
Pacote recipiente de bolacha única ou cassete

 

1.3 (GaAs)arsenieto de gálioWafers, semi-isolante para Microeletrônica Applications

Item Especificações Observações
Tipo de condução Isolante  
Método crescimento VGF  
dopante não dopado  
wafer Diamter 2, 3 e 4 polegadas  Ingot available
Orientação de cristais (100)+/- 0.5°  
DO EJ, US ou entalhe  
Concentração transportadora n / D  
Resistividade à TA > 1E7 Ohm.cm  
Mobilidade > 5000 cm2 / V.s.  
Etch Pit Densidade <8000 / cm2  
Marcação a laser a pedido  
Acabamento de superfície P / P  
Espessura 350 ~ 675um  
epitaxia Pronto Sim  
Pacote recipiente de bolacha única ou cassete

 

1.4 6″ (150mm)(GaAs)arsenieto de gálioWafers, semi-isolante para Microeletrônica Applications

Item Especificações Observações
Tipo de condução Semi-isolante  –
crescer Método VGF  –
dopante não dopado  –
Tipo N  –
Diamater (mm) 150 ± 0,25  –
Orientação (100)0°±3.0°  –
Orientação NOTCH 〔010〕±2°  –
NOTCH Deepth (mm) (1-1.25)mm   89°-95°  –
Concentração transportadora please consult our sales team  –
Resistividade (ohm.cm) >1.0×107 or 0.8-9 x10-3  –
Mobilidade (cm2 / vs) please consult our sales team  –
Luxação please consult our sales team  –
Espessura (mm) 675 ± 25  –
Exclusão de ponta para Bow e urdidura (mm) please consult our sales team  –
Curva (m) please consult our sales team  –
Urdidura (m) ≤20.0  –
TTV (m) ≤10.0  –
TIR (m) ≤10.0  –
LFPD (m) please consult our sales team  –
polimento P / P Epi-Ready  –

 

1.5 2″(50.8mm) LT-GaAs (Low arsenieto Galium Grown-Temperature) Especificações Wafer

Item Especificações
Tipo de condução Semi-isolante
crescer Método VGF
dopante não dopado
Tipo N
Diamater (mm) 150 ± 0,25
Orientação (100)0°±3.0°
Orientação NOTCH 〔010〕±2°
NOTCH Deepth (mm) (1-1.25)mm   89°-95°
Concentração transportadora please consult our sales team
Resistividade (ohm.cm) >1.0×107 or 0.8-9 x10-3
Mobilidade (cm2 / vs) please consult our sales team
Luxação please consult our sales team
Espessura (mm) 675 ± 25
Exclusão de ponta para Bow e urdidura (mm) please consult our sales team
Curva (m) please consult our sales team
Urdidura (m) ≤20.0
TTV (m) ≤10.0
TIR (m) ≤10.0
LFPD (m) please consult our sales team
polimento P / P Epi-Ready
 
* Também pode fornecer poli GaAs cristal bar, 99,9999% (6N).

 

2. GaAs Wafer Market & Application

Gallium arsenide is an important semiconductor material. It belongs to group III-V compound semiconductors and the zinc blende crystal lattice structure, with a lattice constant of 5.65×10-10m, a melting point of 1237°C, and a band gap of 1.4 electron volts. Gallium arsenide can be made into semi-insulating high-resistance materials, which can be used to make integrated circuit substrates, infrared detectors, gamma photon detectors, etc. Because its electron mobility is 5 to 6 times greater than silicon, SI GaAs substrate has been importantly used in the fabrication of microwave devices and high-speed digital circuits. Semiconductor devices fabricated on gallium arsenide have the advantages of high frequency, high temperature, low temperature performance, low noise, and strong radiation resistance, which make the GaAs substrate market enlarge.

 

3. Test certificate of GaAs wafer can include below analysis if necessary:

1/Surface roughness of Gallium Arsenide including front side and backside(nanometers).

2/Doping concentration of Gallium Arsenide(cm-3)

3/EPD of Gallium Arsenide(cm-2)

4/Mobility of Gallium Arsendie(V.sec)

5/X-ray diffraction analysis (rocking curves) of Gallium Arsenide: Diffraction reflection curve half-width

6/Low-temperature photoluminescence (emission spectra in the range 0.7-1.0 μm) of Gallium Arsenide: The fraction of exciton photoluminescence in the emission spectrum of the near-IR range at a temperature of 4K or 5 K and an optical excitation density of 1 W / cm2

7/Transmission rate or Absorption coefficient: for instant, we can measure absorption coefficient of single crystal undoped GaAs at 1064nm: <0.6423 cm-1, and this corresponds to a transmission minimum of 33.2% for an exactly 6.5mm thick blank at 1064nm.

 

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