Por que os data centers escolhem o material semicondutor GaN?

Por que os data centers escolhem o material semicondutor GaN?

Com o desenvolvimento da computação em nuvem, mobilidade, Internet das Coisas, aprendizado de máquina, etc., a demanda por armazenamento de big data e processamento de computação também aumentou significativamente. Mais processamento de dados significa mais consumo de energia, levando à construção de centros de dados adicionais e infraestrutura de suporte. Com a expansão dos data centers em todo o mundo, há a necessidade de gerenciar os data centers de forma mais confiável e eficiente. O nitreto de gálio (GaN), especialmente o GaN HEMT epi wafer, é um dos materiais semicondutores ideais para data center, que pode ser oferecido pela PAM-XIAMEN. Para mais wafer GaN HEMT, consultehttps://www.powerwaywafer.com/gan-wafer/gan-hemt-epitaxial-wafer.html.GaN Wafer

Como um semicondutor de banda larga, a maior característica do nitreto de gálio (GaN) é a alta eficiência de conversão de energia. Especialmente em cenários de alto consumo de energia, como data centers, o GaN trará efeitos significativos de economia de energia devido à sua alta eficiência. É por isso que escolha o material GaN para data centers. Mais especificamente da seguinte forma:

Atualmente, existem mais de 7 milhões de data centers em operação em todo o mundo, consumindo o equivalente a 2% do consumo global de eletricidade em 2019. Desse total, cerca de 30% da eletricidade é usada para resfriar a instalação. Portanto, aumentando a eficiência do servidor e reduzindo as perdas de energia e calor, é possível obter economias de energia significativas; custos de eletricidade e CO2emissões podem ser reduzidas.

Centro de dados

Data Center

1. Economia de energia com GaN

O maior custo operacional de um data center é a energia com que os servidores funcionam, que pode chegar a 40% do custo operacional total. Normalmente, cerca de 5% a 10% da energia elétrica é desperdiçada. Além disso, até 2020, espera-se que o consumo de energia do data center aumente para aproximadamente 140 bilhões de quilowatts-hora por ano, o que se traduz em US$ 13 bilhões em contas anuais de eletricidade e quase 150 milhões de toneladas de emissões de carbono.

Espera-se que os avanços no projeto de energia usando GaN em vez de transistores de silício reduzam o uso de energia em vários por cento. Além dos benefícios de economia de energia, essas tecnologias podem facilitar a adoção de menos ou menores fontes de alimentação no data center, reduzindo assim a necessidade de espaço e energia do data center.

2. Melhorando a eficiência com GaN

O consumo de energia em um data center é uma combinação complexa de perda de energia e resfriamento. Em um data center, a energia fornecida aos servidores requer várias conversões e cerca de 30% da energia é perdida devido à ineficiência.

A tecnologia GaN pode aumentar a eficiência geral do data center para 84%. Dispositivos GaN usados ​​para conversão de energia de corrente alternada (AC) para corrente contínua (DC) e, em seguida, para conversão de energia de corrente contínua (DC) de cargas, podem aumentar a eficiência geral do original de 77% para 84%, mantendo o data center funcionando apropriadamente.

3. Economia de custos pelo GaN

É relatado que os dispositivos GaN podem reduzir os custos de energia em mais de US$ 2.300 por rack e economizar mais de US$ 240 milhões em custos operacionais gerais. As densidades de energia do data center aumentarão em mais de 25%, adicionando US$ 1,4 bilhão em oportunidades de receita para operadores de data center em todo o mundo, enquanto adiando quase US$ 1,1 bilhão em despesas de capital por atrasar a construção do data center.

As próximas enormes quantidades de dados estão impulsionando a necessidade de uma infraestrutura de data center cada vez mais escalável, eficiente e flexível. Os sistemas de energia que usam dispositivos de nitreto de gálio (GaN) oferecem maior eficiência de conversão de energia. Os investimentos nessa tecnologia de alto desempenho significam maior eficiência energética e de espaço ao criar sistemas de energia menores, mais leves, de menor custo e mais eficientes. A tecnologia de nitreto de gálio (GaN) permitirá que os operadores de data centers não apenas administrem melhor seus negócios, mas também desempenhem um papel importante na mudança do mundo da energia e dos dados.

Portanto, usar o material semicondutor GaN para criar sistemas de energia menores, mais leves, de menor custo e mais eficientes pode oferecer maior eficiência de conversão de energia, atendendo às necessidades de desenvolvimento de data centers.

Para obter mais informações, entre em contato conosco pelo e-mail victorchan@powerwaywafer.com e powerwaymaterial@gmail.com.

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