com base GaN LED epitaxial Wafer
GaN do PAM-XIAMEN (nitreto de gálio) à base de LED bolacha epitaxial é de alto brilho diodos emissores de luz ultra-azul e verde (LED) e diodos laser (LD) de aplicação.
- Descrição
Descrição do produto
O wafer epitaxial de LED é um substrato aquecido a uma temperatura apropriada. O material wafer LED é a base do desenvolvimento tecnológico para a indústria de iluminação de semicondutores. Diferentes materiais de substrato requerem diferentes tecnologias de crescimento de wafer epitaxial de LED, tecnologia de processamento de chips e tecnologia de embalagem de dispositivos. O substrato para epi wafer LED determina a rota de desenvolvimento da tecnologia de iluminação de semicondutores. Para obter eficiência luminosa, os fornecedores de wafer epitaxial prestam mais atenção ao wafer epitaxial LED baseado em GaN, uma vez que o preço do wafer epitaxial é de baixo custo e a densidade de defeitos do wafer epi é pequena. A vantagem do epi wafer LED no substrato GaN é a realização de alta eficiência, grande área, lâmpada única e alta potência, o que simplifica a tecnologia do processo e melhora a grande taxa de rendimento. As perspectivas de desenvolvimento do mercado de epi wafer LED são otimistas.
1. Lista de wafers de LED
Bolacha Epitaxial LED |
||||||||
Item | Tamanho | Orientação | Emissão | Comprimento de onda | Grossura | Substrato | Superfície | Área útil |
PAM-50-LED-AZUL-F | 50 milímetros | 0°±0,5° | luz azul | 445-475nm | 425um+/-25um | Sapphire | P/L | > 90% |
PAM-50-LED-AZUL-PSS | 50 milímetros | 0°±0,5° | luz azul | 445-475nm | 425um+/-25um | Sapphire | P/L | > 90% |
PAM-100-LED-AZUL-F | 100 milímetros | 0°±0,5° | luz azul | 445-475nm | / | Sapphire | P/L | > 90% |
PAM-100-LED-AZUL-PSS | 100 milímetros | 0°±0,5° | luz azul | 445-475nm | / | Sapphire | P/L | > 90% |
PAM-150-LED-AZUL | 150 milímetros | 0°±0,5° | luz azul | 445-475nm | / | Sapphire | P/L | > 90% |
PAM-100-LED-AZUL-SIL | 50 milímetros | 0°±0,5° | luz azul | 445-475nm | / | Silício | P/L | > 90% |
PAM-100-LED-AZUL-SIL | 100 milímetros | 0°±0,5° | luz azul | 445-475nm | / | Silício | P/L | > 90% |
PAM-150-LED-AZUL-SIL | 150 milímetros | 0°±0,5° | luz azul | 445-475nm | / | Silício | P/L | > 90% |
PAM-200-LED-AZUL-SIL | 200 milímetros | 0°±0,5° | luz azul | 445-475nm | / | Silício | P/L | > 90% |
PAM-50-LED-VERDE-F | 50 milímetros | 0°±0,5° | luz verde | 510-530nm | 425um+/-25um | Sapphire | P/L | > 90% |
PAM-50-LED-VERDE-PSS | 50 milímetros | 0°±0,5° | luz verde | 510-530nm | 425um+/-25um | Sapphire | P/L | > 90% |
PAM-100-LED-VERDE-F | 100 milímetros | 0°±0,5° | luz verde | 510-530nm | / | Sapphire | P/L | > 90% |
PAM-100-LED-VERDE-PSS | 100 milímetros | 0°±0,5° | luz verde | 510-530nm | / | Sapphire | P/L | > 90% |
PAM-150-LED-VERDE | 150 milímetros | 0°±0,5° | luz verde | 510-530nm | / | Sapphire | P/L | > 90% |
PAM-100-LED-VERMELHO-GAAS-620 | 100 milímetros | 15°±0,5° | luz vermelha | 610-630nm | / | GaAs | P/L | > 90% |
PAM210527-LED-660 | 100 milímetros | 15°±0,5° | luz vermelha | 660nm | / | GaAs | P/L | > 90% |
PAM-210414-850nm-LED | 100 milímetros | 15°±0,5° | IR | 850nm | / | GaAs | P/L | > 90% |
PAMP21138-940LED | 100 milímetros | 15°±0,5° | IR | 940nm | / | GaAs | P/L | > 90% |
PAM-50-LED-UV-365-PSS | 50 milímetros | 0°±0,5° | UVA | 365 nm | 425um+/-25um | Sapphire | ||
PAM-50-LED-UV-405-PSS | 50 milímetros | 0°±0,5° | UVA | 405 nm | 425um+/-25um | Sapphire | ||
PAM-50-LED-UVC-275-PSS | 50 milímetros | 0°±0,5° | UVC | 275nm | 425um+/-25um | Sapphire | ||
PAM-50-LD-UV-405-SIL | 50 milímetros | 0°±0,5° | UV | 405nm | / | Silício | P/L | > 90% |
PAM-50-LD-AZUL-450-SIL | 50 milímetros | 0°±0,5° | luz azul | 450nm | / | Silício | P/L | > 90% |
As a LED epitaxial wafer manufacturer, PAM-XIAMEN can offer activated and unactivated GaN Epi LED wafer for LED and laser diodes (LD) application,such as For micro LED or ultra thin wafer or UV LED researches or LED manufacturers. LED epitaxial wafer on GaN is grown by MOCVD with PSS or flat sapphire for LCD back light, mobile, electronic or UV(ultraviolet), with blue or green or red emission, including InGaN/GaN active area and AlGaN layers with GaN well/AlGaN barrier for different chip sizes.
2. InGaN/GaNWafer epitaxial de LED à base de (nitreto de gálio)
GaN em Al2O3-2” epi wafer Specification (LED epitaxial wafer)
Branco: 445~460nm |
Azul: 465~475nm |
Verde: 510~530nm |
Técnica 1. Crescimento - MOCVD
diâmetro 2.Wafer: 50,8 milímetros
3.Material de substrato wafer: Substrato de safira estampado (Al2O3) ou safira plana
4.Wafer tamanho padrão: 3X2X1.5μm
3. Estrutura do wafer:
estrutura camadas | Espessura (μm) |
p-GaN | 0.2 |
p-AlGaN | 0.03 |
InGaN / GaN (área activa) | 0.2 |
n-GaN | 2.5 |
u- GaN | 3.5 |
Al2O3 (Substrato) | 430 |
4. Parâmetros do wafer para fazer chips:
los | Cor | Chip Tamanho | Características | Aparência | |
PAM1023A01 | Azul | 10mil x 23mil | Iluminação | ||
Vf = 2.8 ~ 3.4V | backlight LCD | ||||
Po = 18 ~ 25mW | aparelhos móveis | ||||
Wd = 450 ~ 460nm | Consumidor eletrônico | ||||
PAM454501 | Azul | 45mil x 45mil | Vf = 2.8 ~ 3.4V | iluminação geral | |
Po = 250 ~ 300 mW | backlight LCD | ||||
Wd = 450 ~ 460nm | exibição ao ar livre |
5. Aplicação de wafer epitaixal LED:
*Se você precisar saber mais informações detalhadas sobre o Wafer Epitaxial LED Azul, entre em contato com nossos departamentos de vendas
Iluminação
luz de fundo LCD
aparelhos móveis
Consumidor eletrônico
6. Especificação do LED Epi Wafer como exemplo:
Especificação PAM190730-LED
- tamanho: 4 polegadas
– WD: 455 ± 10nm
– brilho: > 90mcd
– VF: < 3,3V
– Espessura n-GaN: <4,1㎛
– Espessura de u-GaN: <2,2㎛
– substrato: substrato de safira padronizado (PSS)
7. Material de wafer LED baseado em GaAs (arsenieto de gálio):
Em relação GaAs wafer LED, eles são cultivados por MOCVD, veja abaixo comprimento de onda de GaAs LED bolacha:
Vermelho: 585nm, 615nm, 620 ~ 630nm
Amarelo: 587 ~ 592 nm
Amarelo/Verde: 568 ~ 573 nm
8. Definição de Wafer Epitaxial de LED:
O que oferecemos é wafer epi LED nu ou wafer não processado sem processos de litografia, contatos de n e metais, etc. E você pode fabricar o chip LED usando seu equipamento de fabricação para diferentes aplicações, como pesquisa em nano optoeletrônica.
Observação:
O governo chinês anunciou novos limites à exportação de materiais de gálio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs e GaSb) e materiais de germânio usados para fabricar chips semicondutores. A partir de 1º de agosto de 2023, a exportação desses materiais só será permitida se obtivermos licença do Ministério do Comércio chinês. Esperamos sua compreensão e cooperação!
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