com base GaN LED epitaxial Wafer

com base GaN LED epitaxial Wafer

GaN do PAM-XIAMEN (nitreto de gálio) à base de LED bolacha epitaxial é de alto brilho diodos emissores de luz ultra-azul e verde (LED) e diodos laser (LD) de aplicação.

  • Descrição

Descrição do produto

O wafer epitaxial de LED é um substrato aquecido a uma temperatura apropriada. O material wafer LED é a base do desenvolvimento tecnológico para a indústria de iluminação de semicondutores. Diferentes materiais de substrato requerem diferentes tecnologias de crescimento de wafer epitaxial de LED, tecnologia de processamento de chips e tecnologia de embalagem de dispositivos. O substrato para epi wafer LED determina a rota de desenvolvimento da tecnologia de iluminação de semicondutores. Para obter eficiência luminosa, os fornecedores de wafer epitaxial prestam mais atenção ao wafer epitaxial LED baseado em GaN, uma vez que o preço do wafer epitaxial é de baixo custo e a densidade de defeitos do wafer epi é pequena. A vantagem do epi wafer LED no substrato GaN é a realização de alta eficiência, grande área, lâmpada única e alta potência, o que simplifica a tecnologia do processo e melhora a grande taxa de rendimento. As perspectivas de desenvolvimento do mercado de epi wafer LED são otimistas.

1. Lista de wafers de LED

Bolacha Epitaxial LED

Item Tamanho Orientação Emissão Comprimento de onda Grossura Substrato Superfície Área útil
PAM-50-LED-AZUL-F 50 milímetros 0°±0,5° luz azul 445-475nm 425um+/-25um Sapphire P/L > 90%
PAM-50-LED-AZUL-PSS 50 milímetros 0°±0,5° luz azul 445-475nm 425um+/-25um Sapphire P/L > 90%
PAM-100-LED-AZUL-F 100 milímetros 0°±0,5° luz azul 445-475nm / Sapphire P/L > 90%
PAM-100-LED-AZUL-PSS 100 milímetros 0°±0,5° luz azul 445-475nm / Sapphire P/L > 90%
PAM-150-LED-AZUL 150 milímetros 0°±0,5° luz azul 445-475nm / Sapphire P/L > 90%
PAM-100-LED-AZUL-SIL 50 milímetros 0°±0,5° luz azul 445-475nm / Silício P/L > 90%
PAM-100-LED-AZUL-SIL 100 milímetros 0°±0,5° luz azul 445-475nm / Silício P/L > 90%
PAM-150-LED-AZUL-SIL 150 milímetros 0°±0,5° luz azul 445-475nm / Silício P/L > 90%
PAM-200-LED-AZUL-SIL 200 milímetros 0°±0,5° luz azul 445-475nm / Silício P/L > 90%
PAM-50-LED-VERDE-F 50 milímetros 0°±0,5° luz verde 510-530nm 425um+/-25um Sapphire P/L > 90%
PAM-50-LED-VERDE-PSS 50 milímetros 0°±0,5° luz verde 510-530nm 425um+/-25um Sapphire P/L > 90%
PAM-100-LED-VERDE-F 100 milímetros 0°±0,5° luz verde 510-530nm / Sapphire P/L > 90%
PAM-100-LED-VERDE-PSS 100 milímetros 0°±0,5° luz verde 510-530nm / Sapphire P/L > 90%
PAM-150-LED-VERDE 150 milímetros 0°±0,5° luz verde 510-530nm / Sapphire P/L > 90%
PAM-100-LED-VERMELHO-GAAS-620 100 milímetros 15°±0,5° luz vermelha 610-630nm / GaAs P/L > 90%
PAM210527-LED-660 100 milímetros 15°±0,5° luz vermelha 660nm / GaAs P/L > 90%
PAM-210414-850nm-LED 100 milímetros 15°±0,5° IR 850nm / GaAs P/L > 90%
PAMP21138-940LED 100 milímetros 15°±0,5° IR 940nm / GaAs P/L > 90%
PAM-50-LED-UV-365-PSS 50 milímetros 0°±0,5° UVA 365 nm 425um+/-25um Sapphire
PAM-50-LED-UV-405-PSS 50 milímetros 0°±0,5° UVA 405 nm 425um+/-25um Sapphire
PAM-50-LED-UVC-275-PSS 50 milímetros 0°±0,5° UVC 275nm 425um+/-25um Sapphire
PAM-50-LD-UV-405-SIL 50 milímetros 0°±0,5° UV 405nm / Silício P/L > 90%
PAM-50-LD-AZUL-450-SIL 50 milímetros 0°±0,5° luz azul 450nm / Silício P/L > 90%


As a LED epitaxial wafer manufacturer, PAM-XIAMEN can offer activated and unactivated GaN Epi LED wafer for LED and laser diodes (LD) application,such as For micro LED or ultra thin wafer or UV LED researches or LED manufacturers. LED epitaxial wafer on GaN is grown by MOCVD with PSS or flat sapphire for LCD back light, mobile, electronic or UV(ultraviolet), with blue or green or red emission, including InGaN/GaN active area and AlGaN layers with GaN well/AlGaN barrier for different chip sizes.

2. InGaN/GaNWafer epitaxial de LED à base de (nitreto de gálio)

GaN em Al2O3-2” epi wafer Specification (LED epitaxial wafer)

Branco: 445~460nm
Azul: 465~475nm
Verde: 510~530nm

Técnica 1. Crescimento - MOCVD
diâmetro 2.Wafer: 50,8 milímetros
3.Material de substrato wafer: Substrato de safira estampado (Al2O3) ou safira plana
4.Wafer tamanho padrão: 3X2X1.5μm

3. Estrutura do wafer:

estrutura camadas Espessura (μm)
p-GaN 0.2
p-AlGaN 0.03
InGaN / GaN (área activa) 0.2
n-GaN 2.5
u- GaN 3.5
Al2O3 (Substrato) 430

 

4. Parâmetros do wafer para fazer chips:

los Cor Chip Tamanho Características Aparência
PAM1023A01 Azul 10mil x 23mil Iluminação
Vf = 2.8 ~ 3.4V backlight LCD
Po = 18 ~ 25mW aparelhos móveis
Wd = 450 ~ 460nm Consumidor eletrônico
PAM454501 Azul 45mil x 45mil Vf = 2.8 ~ 3.4V iluminação geral
Po = 250 ~ 300 mW backlight LCD
Wd = 450 ~ 460nm exibição ao ar livre

 

5. Aplicação de wafer epitaixal LED:

*Se você precisar saber mais informações detalhadas sobre o Wafer Epitaxial LED Azul, entre em contato com nossos departamentos de vendas

Iluminação
luz de fundo LCD
aparelhos móveis
Consumidor eletrônico

6. Especificação do LED Epi Wafer como exemplo:

Especificação PAM190730-LED
- tamanho: 4 polegadas
– WD: 455 ± 10nm
– brilho: > 90mcd
– VF: < 3,3V
– Espessura n-GaN: <4,1㎛
– Espessura de u-GaN: <2,2㎛
– substrato: substrato de safira padronizado (PSS)

7. Material de wafer LED baseado em GaAs (arsenieto de gálio):

Em relação GaAs wafer LED, eles são cultivados por MOCVD, veja abaixo comprimento de onda de GaAs LED bolacha:
Vermelho: 585nm, 615nm, 620 ~ 630nm
Amarelo: 587 ~ 592 nm
Amarelo/Verde: 568 ~ 573 nm

8. Definição de Wafer Epitaxial de LED:

O que oferecemos é wafer epi LED nu ou wafer não processado sem processos de litografia, contatos de n e metais, etc. E você pode fabricar o chip LED usando seu equipamento de fabricação para diferentes aplicações, como pesquisa em nano optoeletrônica.

 

Observação:
O governo chinês anunciou novos limites à exportação de materiais de gálio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs e GaSb) e materiais de germânio usados ​​para fabricar chips semicondutores. A partir de 1º de agosto de 2023, a exportação desses materiais só será permitida se obtivermos licença do Ministério do Comércio chinês. Esperamos sua compreensão e cooperação!

Por estas GaAs detalhe LED especificações wafer, visite:GaAs Epi bolacha por LED

Para UV LED especificações wafer, visite:UV LED Epi Wafer  

Bolacha LED UV AlGaN

Para wafer LED em especificações de silício, por favor visite:LED Wafer on Silicon

Para especificações Azul GaN LD Wafer, visite: Azul GaN LD Wafer

Para Violet GaN LD Wafer, visite:bolacha de diodo laser 405nm GaN

GaN LED Epi em safira

Bolacha LED infravermelha de 850 nm e 940 nm

850-880nm e 890-910nm AlGaAs infravermelho vermelho /GaAs LED Epi-Wafer

bolacha do diodo emissor de luz de 630nm GaAs

Wafers GaN para fabricar dispositivos LED

Epitaxia de estrutura LED GaN em substrato de safira plano ou PSS

Crescimento epitaxial GaN em safira para LED

Formação de poços em forma de V em filmes de nitreto cultivados por deposição de vapor químico metalorgânico

Estrutura do fotodetector GaN PIN baseado em Si

Para mais serviços de fundição, visite:Serviços de fundição GaN para fabricação de LED

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