substrato de GaN autoportante

Independente de GaN substrato

PAM-XIAMEN estabeleceu a tecnologia de fabricação para autoportante (de nitreto de gálio) lâmina de substrato de GaN, que é para UHB-LED e LD. Crescido por tecnologia de hidreto de epitaxia em fase de vapor (HVPE), O nosso substrato de GaN tem baixa densidade de defeitos.

  • Descrição

Descrição do produto

substrato de GaN autoportante

As a leading GaN substrate supplier, PAM-XIAMEN has established the manufacturing technology for freestanding (Gallium Nitride)GaN substrato de bolacha  which is Bulk GaN substrate for UHB-LED, LD and fabrication as MOS-based devices. Grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) technology, our substrato de GaN for III-nitride devices has  low defect density and less or free macro defect density. The GaN substrate thickness is 330~530μm.

In addition to power devices, gallium nitride semiconductor substrates are increasingly used in the manufacture of white light LEDs because the GaN LED substrates provide improved electrical characteristics and their performance exceeds current devices. Moreover, the rapid development of gallium nitride substrate technology has led to the development of high-efficiency GaN free standing substrates with low defect density and free macro defect density. Therefore, such GaN substrates can be increasingly used to white LEDs. As a result, the bulk GaN substrate market is growing rapidly. By the way, bulk GaN wafer can be used for testing vertical power device concepts.

Especificação de substrato autoportante GaN

 Aqui mostra especificação de detalhe:

4″ N type Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Item PAM-FS-GaN100-N+
Tipo de condução N type/Si doped
Tamanho 4″(100)+/-1mm
Espessura 480+/-50
Orientação C-eixo (0001) +/- 0.5o
Primária Plano Local (10-10)+/-0.5o
Comprimento Plano primária 32+/-1mm
Secundário Plano Local (1-210)+/-3o
Comprimento Plano secundário 18+/-1mm
Resistividade (300K) <0.05Ω·cm
Densidade deslocamento <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
ARCO <=+/-30um
Acabamento de superfície Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Superfície de volta: Terra 1.Fine
2.Polished.
Área Útil ≥ 90 %

 

4″ N type Undoped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Item PAM-FS-GaN100-N-
Tipo de condução N type/undoped
Tamanho 4″(100)+/-1mm
Espessura 480+/-50
Orientação C-eixo (0001) +/- 0.5o
Primária Plano Local (10-10)+/-0.5o
Comprimento Plano primária 32+/-1mm
Secundário Plano Local (1-210)+/-3o
Comprimento Plano secundário 18+/-1mm
Resistividade (300K) <0.5Ω · cm
Densidade deslocamento <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
ARCO <=+/-30um
Acabamento de superfície Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Superfície de volta: Terra 1.Fine
2.Polished.
Área Útil ≥ 90 %

 

4″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Item PAM-FS-GaN100-SI
Tipo de condução Semi-Insulating
Tamanho 4″(100)+/-1mm
Espessura 480+/-50
Orientação C-eixo (0001) +/- 0.5o
Primária Plano Local (10-10)+/-0.5o
Comprimento Plano primária 32+/-1mm
Secundário Plano Local (1-210)+/-3o
Comprimento Plano secundário 18+/-1mm
Resistividade (300K) >10^6Ω·cm
Densidade deslocamento <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
ARCO <=+/-30um
Acabamento de superfície Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Superfície de volta: Terra 1.Fine
2.Polished.
Área Útil ≥ 90 %

 

2″ Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Item PAM-FS-GaN50-N+
Tipo de condução N type/Si doped
Tamanho 2 "(50,8) +/- um milímetro
Espessura 400+/-50
Orientação C-eixo (0001) +/- 0.5o
Primária Plano Local (10-10)+/-0.5o
Comprimento Plano primária 16 +/- 1 milímetro
Secundário Plano Local (1-210)+/-3o
Comprimento Plano secundário 8 +/- 1 milímetro
Resistividade (300K) <0.05Ω·cm
Densidade deslocamento <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15um
ARCO <=+/-20um
Acabamento de superfície Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
                             Back Surface:1.Fine ground 
                                                    2.Polished.
Usable Area  ≥ 90 % 


 

2″ Undoped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Item PAM-FS-GaN50-N-
Tipo de condução N type/undoped
Tamanho 2 "(50,8) +/- um milímetro
Espessura 400+/-50
Orientação C-eixo (0001) +/- 0.5o
Primária Plano Local (10-10)+/-0.5o
Comprimento Plano primária 16 +/- 1 milímetro
Secundário Plano Local (1-210)+/-3o
Comprimento Plano secundário 8 +/- 1 milímetro
Resistividade (300K) <0.5Ω · cm
Densidade deslocamento <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15um
ARCO <=+/-20um
Acabamento de superfície Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
                             Back Surface:1.Fine ground 
                                                      2.Polished.
Usable Area  ≥ 90 % 


 

2″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Item PAM-FS-GaN50-SI
Tipo de condução Semi-Insulating
Tamanho 2 "(50,8) +/- um milímetro
Espessura 400+/-50
Orientação C-eixo (0001) +/- 0.5o
Primária Plano Local (10-10)+/-0.5o
Comprimento Plano primária 16 +/- 1 milímetro
Secundário Plano Local (1-210)+/-3o
Comprimento Plano secundário 8 +/- 1 milímetro
Resistividade (300K) >10^6Ω·cm
Densidade deslocamento <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15um
ARCO <=+/-20um
Acabamento de superfície Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
                             Back Surface:1.Fine ground 
                                                      2.Polished.
Usable Area  ≥ 90 % 

15 milímetros, 10mm, 5 milímetrosFree-standingGaN substrato

Item PAM-FS-GaN15-N PAM-FS-GaN15-SI
PAM-FS-GaN10-N PAM-FS-GaN10-SI
PAM-FS-GaN5-N PAM-FS-GaN5-SI
Tipo de condução N-tipo Semi-isolante
Tamanho 14.0mm*15mm   10.0mm*10.5mm   5.0*5.5mm
Espessura 330-450um
Orientação C-eixo (0001) +/- 0.5o
Primária Plano Local  
Comprimento Plano primária  
Secundário Plano Local  
Comprimento Plano secundário  
Resistividade (300K) <0.5Ω · cm > 106Ω · cm
Densidade deslocamento <5x106cm-2
Marco Defeito Densidade 0cm-2
TTV <= 15um
ARCO <= 20um
Acabamento de superfície Superfície frontal: Ra <0.2nm.Epi-pronto polido
  Superfície de volta: Terra 1.Fine
    Grinded 2.Rough
Área Útil ≥ 90%


            

Nota:

Validation Wafer: Considering convenience of usage, PAM-XIAMEN offers 2″ Sapphire Validation wafer for below 2″ size Freestanding GaN Substrate

Aplicação de GaN substrato

Iluminação de estado sólido: dispositivos de GaN são usados ​​como ultra-alto brilho diodos emissores de luz (LEDs), TVs, automóveis e iluminação geral

DVD Storage: Blue laser diodes

Power Device: Devices fabricated on GaN bulk substrate are used as various components in high-power and high-frequency power electronics like cellular base stations, satellites, power amplifiers, and inverters/converters for electric vehicles (EV) and hybrid electric vehicles (HEV). GaN’s low sensitivity to ionizing radiation (like other group III nitrides) makes it a suitable material for spaceborne applications such as solar cell arrays for satellites and high-power, high-frequency devices for communication, weather, and surveillance satellites


Pure Gallium Nitride Substrate Ideal for III-Nitrides re-growth

Estações Base sem fio: transistores de potência de RF

Acesso sem fio de banda larga: MMICs alta frequência, RF-Circuits MMICs

Sensores de Pressão: MEMS

Sensores de calor: detectores de Pyro-elétricos

Power Condicionado: sinal misto GaN Integração / Si

Automotive Electronics: produtos eletrônicos de alta temperatura

De energia Linhas de Transmissão: eletrônica de alta tensão

Sensores Quadro: detectores de UV

Solar Cells: GaN’s wide band gap covers the solar spectrum from 0.65 eV to 3.4 eV (which is practically the entire solar spectrum), making indium gallium nitride

(InGaN) ligas perfeito para a criação de material da célula solar. Devido a esta vantagem, células solares InGaN cultivadas em substratos de GaN estão prestes a se tornar uma das mais importantes novas aplicações e mercado em crescimento para wafers de substrato de GaN.

Ideal para HEMTs, FETs

GaN Schottky projecto diodo: Nós aceitar personalizada de especificações de diodos Schottky fabricados sobre o, nitreto de gálio que está livre de adulto HVPE (GaN) camadas de n- e p-tipos.
Ambos os contactos (óhmicas e Schottky) foram depositadas na superfície do topo usando Al / Ti e Pd / Ti / Au.
Vamos oferecer relatórios de ensaio, por favor, veja abaixo um exemplo:

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