Independente de GaN substrato
PAM-XIAMEN estabeleceu a tecnologia de fabricação para autoportante (de nitreto de gálio) lâmina de substrato de GaN, que é para UHB-LED e LD. Crescido por tecnologia de hidreto de epitaxia em fase de vapor (HVPE), O nosso substrato de GaN tem baixa densidade de defeitos.
- Descrição
Descrição do produto
substrato de GaN autoportante
As a leading GaN substrate supplier, PAM-XIAMEN has established the manufacturing technology for freestanding (Gallium Nitride)GaN substrato de bolacha which is Bulk GaN substrate for UHB-LED, LD and fabrication as MOS-based devices. Grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) technology, our substrato de GaN for III-nitride devices has low defect density and less or free macro defect density. The GaN substrate thickness is 330~530μm.
In addition to power devices, gallium nitride semiconductor substrates are increasingly used in the manufacture of white light LEDs because the GaN LED substrates provide improved electrical characteristics and their performance exceeds current devices. Moreover, the rapid development of gallium nitride substrate technology has led to the development of high-efficiency GaN free standing substrates with low defect density and free macro defect density. Therefore, such GaN substrates can be increasingly used to white LEDs. As a result, the bulk GaN substrate market is growing rapidly. By the way, bulk GaN wafer can be used for testing vertical power device concepts.
Especificação de substrato autoportante GaN
Aqui mostra especificação de detalhe:
4″ N type Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Item | PAM-FS-GaN100-N+ |
Tipo de condução | N type/Si doped |
Tamanho | 4″(100)+/-1mm |
Espessura | 480+/-50 |
Orientação | C-eixo (0001) +/- 0.5o |
Primária Plano Local | (10-10)+/-0.5o |
Comprimento Plano primária | 32+/-1mm |
Secundário Plano Local | (1-210)+/-3o |
Comprimento Plano secundário | 18+/-1mm |
Resistividade (300K) | <0.05Ω·cm |
Densidade deslocamento | <5x106cm-2 |
FWHM | <=100arc.sec |
TTV | <=30um |
ARCO | <=+/-30um |
Acabamento de superfície | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished |
— | Superfície de volta: Terra 1.Fine |
— | 2.Polished. |
Área Útil | ≥ 90 % |
4″ N type Undoped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Item | PAM-FS-GaN100-N- |
Tipo de condução | N type/undoped |
Tamanho | 4″(100)+/-1mm |
Espessura | 480+/-50 |
Orientação | C-eixo (0001) +/- 0.5o |
Primária Plano Local | (10-10)+/-0.5o |
Comprimento Plano primária | 32+/-1mm |
Secundário Plano Local | (1-210)+/-3o |
Comprimento Plano secundário | 18+/-1mm |
Resistividade (300K) | <0.5Ω · cm |
Densidade deslocamento | <5x106cm-2 |
FWHM | <=100arc.sec |
TTV | <=30um |
ARCO | <=+/-30um |
Acabamento de superfície | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished |
— | Superfície de volta: Terra 1.Fine |
— | 2.Polished. |
Área Útil | ≥ 90 % |
4″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Item | PAM-FS-GaN100-SI |
Tipo de condução | Semi-Insulating |
Tamanho | 4″(100)+/-1mm |
Espessura | 480+/-50 |
Orientação | C-eixo (0001) +/- 0.5o |
Primária Plano Local | (10-10)+/-0.5o |
Comprimento Plano primária | 32+/-1mm |
Secundário Plano Local | (1-210)+/-3o |
Comprimento Plano secundário | 18+/-1mm |
Resistividade (300K) | >10^6Ω·cm |
Densidade deslocamento | <5x106cm-2 |
FWHM | <=100arc.sec |
TTV | <=30um |
ARCO | <=+/-30um |
Acabamento de superfície | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished |
— | Superfície de volta: Terra 1.Fine |
— | 2.Polished. |
Área Útil | ≥ 90 % |
2″ Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Item | PAM-FS-GaN50-N+ | |||
Tipo de condução | N type/Si doped | |||
Tamanho | 2 "(50,8) +/- um milímetro | |||
Espessura | 400+/-50 | |||
Orientação | C-eixo (0001) +/- 0.5o | |||
Primária Plano Local | (10-10)+/-0.5o | |||
Comprimento Plano primária | 16 +/- 1 milímetro | |||
Secundário Plano Local | (1-210)+/-3o | |||
Comprimento Plano secundário | 8 +/- 1 milímetro | |||
Resistividade (300K) | <0.05Ω·cm | |||
Densidade deslocamento | <5x106cm-2 | |||
FWHM | <=100arc.sec | |||
TTV | <= 15um | |||
ARCO | <=+/-20um | |||
Acabamento de superfície | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished | |||
Back Surface:1.Fine ground | ||||
2.Polished. | ||||
Usable Area | ≥ 90 % |
2″ Undoped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Item | PAM-FS-GaN50-N- | ||||
Tipo de condução | N type/undoped | ||||
Tamanho | 2 "(50,8) +/- um milímetro | ||||
Espessura | 400+/-50 | ||||
Orientação | C-eixo (0001) +/- 0.5o | ||||
Primária Plano Local | (10-10)+/-0.5o | ||||
Comprimento Plano primária | 16 +/- 1 milímetro | ||||
Secundário Plano Local | (1-210)+/-3o | ||||
Comprimento Plano secundário | 8 +/- 1 milímetro | ||||
Resistividade (300K) | <0.5Ω · cm | ||||
Densidade deslocamento | <5x106cm-2 | ||||
FWHM | <=100arc.sec | ||||
TTV | <= 15um | ||||
ARCO | <=+/-20um | ||||
Acabamento de superfície | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished | ||||
Back Surface:1.Fine ground | |||||
2.Polished. | |||||
Usable Area | ≥ 90 % |
2″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Item | PAM-FS-GaN50-SI | ||||
Tipo de condução | Semi-Insulating | ||||
Tamanho | 2 "(50,8) +/- um milímetro | ||||
Espessura | 400+/-50 | ||||
Orientação | C-eixo (0001) +/- 0.5o | ||||
Primária Plano Local | (10-10)+/-0.5o | ||||
Comprimento Plano primária | 16 +/- 1 milímetro | ||||
Secundário Plano Local | (1-210)+/-3o | ||||
Comprimento Plano secundário | 8 +/- 1 milímetro | ||||
Resistividade (300K) | >10^6Ω·cm | ||||
Densidade deslocamento | <5x106cm-2 | ||||
FWHM | <=100arc.sec | ||||
TTV | <= 15um | ||||
ARCO | <=+/-20um | ||||
Acabamento de superfície | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished | ||||
Back Surface:1.Fine ground | |||||
2.Polished. | |||||
Usable Area | ≥ 90 % |
15 milímetros, 10mm, 5 milímetrosFree-standingGaN substrato
Item | PAM-FS-GaN15-N | PAM-FS-GaN15-SI | |
PAM-FS-GaN10-N | PAM-FS-GaN10-SI | ||
PAM-FS-GaN5-N | PAM-FS-GaN5-SI | ||
Tipo de condução | N-tipo | Semi-isolante | |
Tamanho | 14.0mm*15mm 10.0mm*10.5mm 5.0*5.5mm | ||
Espessura | 330-450um | ||
Orientação | C-eixo (0001) +/- 0.5o | ||
Primária Plano Local | |||
Comprimento Plano primária | |||
Secundário Plano Local | |||
Comprimento Plano secundário | |||
Resistividade (300K) | <0.5Ω · cm | > 106Ω · cm | |
Densidade deslocamento | <5x106cm-2 | ||
Marco Defeito Densidade | 0cm-2 | ||
TTV | <= 15um | ||
ARCO | <= 20um | ||
Acabamento de superfície | Superfície frontal: Ra <0.2nm.Epi-pronto polido | ||
Superfície de volta: Terra 1.Fine | |||
Grinded 2.Rough | |||
Área Útil | ≥ 90% |
Nota:
Validation Wafer: Considering convenience of usage, PAM-XIAMEN offers 2″ Sapphire Validation wafer for below 2″ size Freestanding GaN Substrate
Aplicação de GaN substrato
Iluminação de estado sólido: dispositivos de GaN são usados como ultra-alto brilho diodos emissores de luz (LEDs), TVs, automóveis e iluminação geral
DVD Storage: Blue laser diodes
Power Device: Devices fabricated on GaN bulk substrate are used as various components in high-power and high-frequency power electronics like cellular base stations, satellites, power amplifiers, and inverters/converters for electric vehicles (EV) and hybrid electric vehicles (HEV). GaN’s low sensitivity to ionizing radiation (like other group III nitrides) makes it a suitable material for spaceborne applications such as solar cell arrays for satellites and high-power, high-frequency devices for communication, weather, and surveillance satellites
Pure Gallium Nitride Substrate Ideal for III-Nitrides re-growth
Estações Base sem fio: transistores de potência de RF
Acesso sem fio de banda larga: MMICs alta frequência, RF-Circuits MMICs
Sensores de Pressão: MEMS
Sensores de calor: detectores de Pyro-elétricos
Power Condicionado: sinal misto GaN Integração / Si
Automotive Electronics: produtos eletrônicos de alta temperatura
De energia Linhas de Transmissão: eletrônica de alta tensão
Sensores Quadro: detectores de UV
Solar Cells: GaN’s wide band gap covers the solar spectrum from 0.65 eV to 3.4 eV (which is practically the entire solar spectrum), making indium gallium nitride
(InGaN) ligas perfeito para a criação de material da célula solar. Devido a esta vantagem, células solares InGaN cultivadas em substratos de GaN estão prestes a se tornar uma das mais importantes novas aplicações e mercado em crescimento para wafers de substrato de GaN.
Ideal para HEMTs, FETs