substrato de GaN autoportante

Descrição do produto

substrato de GaN autoportante

Como fornecedora líder de substrato de GaN, a PAM-XIAMEN estabeleceu a tecnologia de fabricação para autônomo (Nitreto de Gálio)GaN substrato de bolachaque é substrato de GaN em massa para UHB-LED, LD e fabricação como dispositivos baseados em MOS. Cultivado pela tecnologia de epitaxia em fase de vapor de hidreto (HVPE), nossosubstrato de GaNpara dispositivos III-nitreto tem baixa densidade de defeitos e menor ou menor densidade de macro defeitos. A espessura do substrato GaN é de 330~530μm.

Além dos dispositivos de energia, os substratos semicondutores de nitreto de gálio são cada vez mais usados ​​na fabricação de LEDs de luz branca porque os substratos GaN LED fornecem características elétricas aprimoradas e seu desempenho excede os dispositivos atuais. Além disso, o rápido desenvolvimento da tecnologia de substrato de nitreto de gálio levou ao desenvolvimento de substratos livres de GaN de alta eficiência com baixa densidade de defeitos e densidade de macro defeitos livres. Portanto, tais substratos de GaN podem ser cada vez mais usados ​​para LEDs brancos. Como resultado, o mercado de substrato de GaN a granel está crescendo rapidamente. A propósito, o wafer de GaN em massa pode ser usado para testar conceitos de dispositivos de energia vertical.

1. Especificação do substrato GaN independente

 Aqui mostra especificação de detalhe:

1.1 4 ″ GaN dopado com Si tipo N (nitreto de gálio) Substrato autônomo

1.2 4 ″ Tipo N de GaN dopado com baixa dopagem (nitreto de gálio) Substrato autônomo

1.3 4 ″ GaN semi-isolante （Nitreto de gálio) Substrato autônomo

1.4 2″ GaN dopado com Si （Nitreto de gálio) Substrato autônomo

Substrato autônomo de 1,5 2 ″ GaN dopado com baixo teor de gálio (nitreto de gálio)

Substrato autônomo de 1,6 2 ″ GaN semi-isolante (nitreto de gálio)

1,7 15mm,10mm,5mmFree-standingGaN substrato

Nota:

Bolacha de validação:Considerando a conveniência de uso, o PAM-XIAMEN oferece wafer de validação de safira de 2" para substrato de GaN independente de tamanho inferior a 2".

2. Propriedades do substrato independente de GaN

3. Aplicação de substrato GaN

Iluminação de estado sólido: dispositivos de GaN são usados ​​como ultra-alto brilho diodos emissores de luz (LEDs), TVs, automóveis e iluminação geral

Armazenamento de DVD: diodos laser azuis

Dispositivo de energia: Dispositivos fabricados em substrato a granel de GaN são usados ​​como vários componentes em eletrônicos de alta potência e alta frequência, como estações base de celular, satélites, amplificadores de potência e inversores/conversores para veículos elétricos (EV) e veículos elétricos híbridos (HEV). ). A baixa sensibilidade do GaN à radiação ionizante (como outros nitretos do grupo III) o torna um material adequado para aplicações espaciais, como matrizes de células solares para satélites e dispositivos de alta potência e alta frequência para comunicação, clima e satélites de vigilância

Substrato de nitreto de gálio puro Iacordo para o re-crescimento de III-Nitretos

Estações Base sem fio: transistores de potência de RF

Acesso sem fio de banda larga: MMICs alta frequência, RF-Circuits MMICs

Sensores de Pressão: MEMS

Sensores de calor: detectores de Pyro-elétricos

Power Condicionado: sinal misto GaN Integração / Si

Automotive Electronics: produtos eletrônicos de alta temperatura

De energia Linhas de Transmissão: eletrônica de alta tensão

Sensores Quadro: detectores de UV

Células solares: o gap de banda larga do GaN cobre o espectro solar de 0,65 eV a 3,4 eV (que é praticamente todo o espectro solar), produzindo nitreto de índio e gálio

(InGaN) ligas perfeito para a criação de material da célula solar. Devido a esta vantagem, células solares InGaN cultivadas em substratos de GaN estão prestes a se tornar uma das mais importantes novas aplicações e mercado em crescimento para wafers de substrato de GaN.

Ideal para HEMTs, FETs

Projeto de diodo GaN Schottky: Aceitamos especificações personalizadas de diodos Schottky fabricados nas camadas independentes de nitreto de gálio (GaN) cultivadas em HVPE dos tipos n e p.

Ambos os contatos (ôhmico e Schottky) foram depositados na superfície superior usando Al/Ti e Pd/Ti/Au.

Observação:
O governo chinês anunciou novos limites à exportação de materiais de gálio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs e GaSb) e materiais de germânio usados ​​para fabricar chips semicondutores. A partir de 1º de agosto de 2023, a exportação desses materiais só será permitida se obtivermos uma licença do Ministério do Comércio da China. Espero sua compreensão e cooperação!