Nitreto de gálio: N Tipo, tipo P e modelo de nitreto de gálio semi-isolante ou bola Epi GaN para HEMT com baixa densidade de defeitos de Marco e densidade de deslocamento para LED, LD ou outra aplicação. Pam-Xiamen oferece gan siacter gan led Substrate, modelo GAN GAN em salmão de gan e saliamento de gan e salmão de gan, gan-gan Gan Modelo GAN EPIVENIVENEIVE, EPIAN EPIRATET/SICIDENTE, GAN GAN, Gan Subtrate, Gan Model

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  • Substrato GaN independente

    A Pam-Xiamen estabeleceu a tecnologia de fabricação para uma bolacha GaN de substrato GAN de gálio (nitreto de gálio), que é para LD e LD liderado por UHB. Crescido pela tecnologia de epitaxia de fase de vapor de hidreto (HVPE), nosso substrato GaN tem baixo…

  • Modelos GaN

    Os produtos de modelo da Pam-Xiamen consistem em camadas cristalinas de modelos de GaN (nitreto de gálio), modelo de ALN (nitreto de alumínio), modelos de algan de nitreto de alumínio) e (nitreto de gálio de índio) modelos de inganos, que são depositados em saphire

  • Wafer epitaxial de LED baseado em GaN

    A bolacha epitaxial LED baseada em GaN-Xiamen (nitreto de gálio) é para diodos emissores de luz azul e verde de alto brilho (LED) e diodos a laser (LD).

  • Bolacha epitaxial GaN HEMT

    O nitreto de gálio (GaN) HEMTS (transistores de alta mobilidade de elétrons) são a próxima geração de tecnologia de transistor de potência de RF. Graças à tecnologia Gan, a Pam-Xiamen agora oferece a wafer Algan/Gan Hemt Epi na safira…