Atualmente, a maioria das superredes de InAs/GaSb ll são cultivadas em substratos de GaSb combinados com a rede. No entanto, devido ao alto preço do substrato GaSb, a ausência de substrato semi-isolante e a complexidade do processo, buscar cultivar materiais a granel GaSb em novos substratos, como o substrato GaAs, tornou-se uma nova rota técnica para muitos fabricantes internacionais. unidades de pesquisa e desenvolvimento para realizar o crescimento da superrede InAs/GaSb. Além disso, a estrutura p-GaSb/n-GaAs baseada em GaAs pode realizar células fotovoltaicas térmicas de alta eficiência, que é um hotspot de pesquisa. Até agora, GaAs é o material mais maduro com a melhor qualidade de cristal em semicondutores compostos. Portanto, usar GaAs como material de substrato para crescimento heteroepitaxial por várias tecnologias é um assunto de pesquisa muito interessante e tem grande valor prático.A PAM-XIAMEN oferece serviços para crescimento de filmes heteroepitaxiais, como filme fino GaSb heteroepitaxial no substrato GaAs listado abaixo. Para obter informações adicionais sobre nossos produtos, consultehttps://www.powerwaywafer.com/products.html.
1. Especificação do crescimento heteroepitaxial de GaSb no substrato de GaAs
Podemos fornecer wafers GaAs que possuem uma camada epitaxial de GaSb da seguinte forma:
Camada epi GaSb em GaAs(PAM190403 – GASB):
Camada Epi: Espessura 0,5 um. Não dopado, GaSb
Substrato: substrato GaAs semi-isolante de 2”, resistividade >1E8ohm.cm
2. Melhorar o crescimento de filme fino heteroepitaxial GaSb em GaAs adicionando camada tampão
Embora haja grande valor prático para o crescimento de materiais heteroepitaxiais de GaSb, a incompatibilidade de rede entre GaAs e GaSb é grande (~ 7%). Se o GaSb for cultivado diretamente no substrato GaAs, um grande número de defeitos e deslocamentos serão gerados na interface devido ao estresse, o que dificulta o crescimento de materiais epitaxiais de alta qualidade. Para resolver este problema, muitos métodos de crescimento foram adotados para aliviar a incompatibilidade da rede e obter heteroepitaxia de alta qualidade.
Nesse sentido, a camada tampão de crescimento é um dos meios importantes para aliviar a incompatibilidade da rede. Geralmente, a camada intermediária é uma estrutura de camada única ou multicamada com uma certa espessura. Sua função é suprimir o estresse gerado pela incompatibilidade entre o substrato e a camada epitaxial na camada tampão e reduzir o deslocamento e os defeitos gerados pela heteroepitaxia de grande incompatibilidade.
Os materiais InAs, AlSb e GaSb são geralmente selecionados como camadas tampão para o crescimento heteroepitaxial de GaSb. Estuda-se as características estruturais de filmes de GaSb sobre substrato de GaAs (001) em baixa temperatura com diferentes camadas tampão. Os resultados mostram que a camada tampão AlSb ou GaSb é muito útil para melhorar a qualidade dos filmes GaSb crescidos em substratos GaAs.
Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!
Para mais informações, por favor contacte-nos e-mail emvictorchan@powerwaywafer.com e powerwaymaterial@gmail.com.