PAM XIAMEN oferece 4 "diâmetro da bolacha.

4 "diâmetro Wafer

Ge N-tipo 4” , n dopado

Ge da bolacha (111) 4 "de diâmetro x 0,5 mm, 1SP, tipo N (dopado un)
Ge da bolacha (100). N dopado, 4 "de diâmetro x 0,5 mm, 1SP
Ge da bolacha (100). N dopado, 4 "de diâmetro x 0,5 mm, 2SP, R> 50 ohm-cm
Ge da bolacha (110). N dopado, 4 "de diâmetro x 0,5 mm, 1SP, R:> 50 ohm.cm
Ge da bolacha (110). N dopado, 4 "de diâmetro x 0,5 mm, 2SP, R:> 50 ohm.cm
Ge da bolacha (111) 4 "de diâmetro x 0,5 mm, 2SP, tipo N (dopado un)

Ge tipo P 4“ Ga-dopado

Ge da bolacha (100) 100 de diâmetro x 0,5 mm, tipo 1SP P (Ga dopado) R: 1-5 ohm.cm
Ge da bolacha (100). 100 milímetros de diâmetro x 0,5 mm, 2SP, tipo P (Ga dopado) R: 0.004-0.01ohm.cm
Ge da bolacha (100). 100 milímetros de diâmetro x 0,5 mm, 2SP, tipo P (Ga dopado) R: 1,4-1,7 ohm.cm
FCV-Ge bolacha (100) com 6 graus miscut para <111>, 100 mmdia x 0,5 mm, 1SP, tipo P (Ga dopado) R: 0,296-0,326 Ohm.cm
FCV-Ge bolacha (100) 100 milímetros de diâmetro x 0,5 mm, 2SP, tipo P (Ga dopado) R: 0,128-0,303 Ohm.cm
FCV-Ge bolacha (100). 100 milímetros de diâmetro x 0,4 mm, de 2SP, tipo P (Ga dopado) R: 0,0038-0,0158 Ohm.cm
FCV-Ge bolacha (100). 100 mmdia x 0,175 milímetros, 1SP, tipo P (Ga dopado) R: 0,279-0,324 Ohm.cm
FCV-Ge bolacha (100). 100 mmdia x 0,175 milímetros, 2SP, tipo P (Ga dopado) R: 0,1-0,182 ohm.cm
FCV-Ge bolacha (100) 100 mmdia x 0,5 mm, 1SP, tipo P (Ga dopados) R: 0,128-0,303 Ohm.cm

Ge, de tipo N, 4” Sb & A dopado

Ge da bolacha (100) 100 milímetros de diâmetro x 0,5 mm, 2SP, tipo N (Sb dopado) R: 2,5-2,7 ohm.cm
Ge da bolacha (100) com grande plano <110> 100 milímetros de diâmetro x 0,5 mm, 1SP, tipo N (Sb dopado) R: 0,1-0,5 ohm.cm
Ge da bolacha (110) 4 "de diâmetro x 0,5 mm, 2SP, tipo N (Sb dopado) R: 0.1-0.5ohm.cm
Ge da bolacha (110) 4 "de diâmetro x 0,5 mm, 2SP, tipo N (Sb dopado) R: 1-5 ohm.cm
Ge da bolacha (110) 4 "de diâmetro x 0,5 mm, 1SP, tipo N (Sb dopado) R: 1-5 ohm.cm
FCV-Ge bolacha (100) 100 milímetros de diâmetro x 0,5 mm, 1SP, tipo N (As- dopado), R: 0,214-0,250 ohm.cm
FCV-Ge bolacha (100) 100 milímetros de diâmetro x 0,5 mm, 2SP, tipo N (As- dopado), R: ,173-,25 ohm.cm
Ge da bolacha (111) 4 "diâmetro x 0,5 mm, 1SP, tipo N (SB) dopados com resistividades: 0.014-0.022 Ohms-cm
Ge da bolacha (111) 4 "diâmetro x 0,5 mm, 2SP, tipo N (SB) dopados com resistividades: 0.014-0.022 Ohms-cm
Ge da bolacha (100) com a (100) 4 "de diâmetro x 0,5 mm, 1SP, tipo N (Sb dopados) Resistividade planas: 0,1-0,5 ohm-centímetro

Para mais informações, por favor visite nosso website: https://www.powerwaywafer.com,
envie-nos e-mail em sales@powerwaywafer.com e powerwaymaterial@gmail.com

Encontrado em 1990, Xiamen Powerway avançada Material Co., Ltd. (PAM-XIAMEN) é um dos principais fabricantes de material semicondutor na China.PAM-XIAMEN desenvolve crescimento avançado cristal e tecnologias de epitaxia, processos de fabrico, os substratos modificados e dispositivos semicondutores.tecnologias do PAM, Xiamen permitem maior desempenho e menor fabricação custo de wafer semicondutores.

PAM-XIAMEN desenvolve tecnologias avançadas de crescimento de cristais e de epitaxia, gama desde a primeira geração germânio bolacha, segunda geração de arsenieto de gálio com crescimento substrato e epitaxia em III-V de silício dopado tipo n materiais semicondutores com base em Ga, Al, Na, As e P crescido por MBE ou MOCVD, para a terceira geração: carboneto de silício e nitreto de gálio para LED e aplicação do dispositivo de alimentação.