Lingote de germânio monocristalino (Ge) é fornecido com tipo P pela PAM-XIAMEN. Cristal de germânio does not contain large-angle grain boundaries or twin crystals. It has a diamond-shaped crystal structure and is an important semiconductor material. According different applications, single crystal germanium ingot can be divided into solar-grade germanium single crystal, infrared-grade germanium single crystal and detector-grade germanium single crystal. Among them, infrared-grade Ge single crystal is used to prepare basic materials for infrared windows, infrared lenses and other optical components; Ge ingot for semiconductor devices is used to make substrate material for various transistors and solar cells; Detector-grade single crystal Ge is used to prepare high-resolution gamma radiation detector. Take the following specification for example:
1. Especificação do Lingote de Germânio de Cristal Único
No.1 Germanium Cubic Crystal
PAM181102-GE
| Item | Cristal Cúbico de Germânio |
| Tipo de conduta | SCP |
| dopante | Ge-Ga |
| Comprimento | 150 mm |
| Diâmetro | 100,0 ± 0,4 mm |
| Orientação | (100) 6 ° fora em direção a <111> + 5 ° |
| Ângulo de Orientação | 135 ° |
| Flat Primário | (100) + 2 ° |
| PFlat Length | 32,5 + 2,5 mm |
| Plano secundário | Nenhum |
| CC | 1E18 - 2,5 E18 |
| EPD | Ave <500 / cm3 |
| Resistividade | 0,01-0,04 Ohm * cm |
No.2 Germanium Ingot Optical Grade
PAM200408-GE
Germanium ingot D26-0.3mm*L100mm
Germanium ingot D30-0.3mm*L100mm
Type: N-type
Orientation: <111>
Resistivity: 5-40 Ohm*cm
Absorption coefficient: 0.03cm/max @ λ= 10.6um
Refractive index heterogeneity: 5.0*10-9 max @ λ=10.6 um
2. Padrões da indústria para o crescimento de cristais de germânio
A superfície de cristal único de germânio após a esferonização deve estar livre de rachaduras, orifícios, arranhões e a superfície cilíndrica não deve ter lugares desenrolados.
O tipo de condutividade do germânio do tipo lingote deve atender aos requisitos da Tabela 1:
Tabela 1 Tipo de condutividade do lingote de germânio monocristalino
| Tipo de condutividade | dopante | Resistividade p (23 ℃ ± 0,5 ℃) ohm-cm |
| P-tipo | Ga | 0,001 ~ 45,0 |
| Em | 0,001 ~ 45,0 | |
| Au + Ga (ln) | 0,5 ～ 5,0 | |
| N-tipo | Sb | 0,001 ~ 45,0 |
| não dopado | 35,0 ~ 50,0 |
A variação da resistividade radial da boule de cristal único de germânio deve atender aos requisitos da Tabela 2:
Tabela 2 Variação da resistividade radial do cristal de germânio
| Diâmetro (mm) | Variação da resistividade radial (valor absoluto) |
| 10≤d≤50 | ≤10% |
| 50≤d≤100 | ≤15% |
| 100≤d≤150 | ≤20% |
| 150≤d≤200 | ≤25% |
| 200≤d≤300 | ≤30% |
| Nota: O diâmetro refere-se ao tamanho do único cristal de germânio não arredondado. | |
A densidade de deslocamento do lingote Ge para diferentes fins deve atender aos requisitos da Tabela 3:
Tabela 3 Densidade de deslocamento do germânio
| Aplicação | Pcs / cm2 de densidade de deslocamento |
| Dispositivo Semicondutor | ≤1 000 |
| Componente Laser | ≤5 000 |
| Componente Ótico Infravermelho | ≤100000 |
Marca: Os requisitos para parâmetros do cristal de germânio puro produzido serão mais elevados do que os padrões industriais.
3. FAQ for Germanium Ingot
Q: What is the difference of germanium ingot between electronic grade and optical grade?
A: Optical grade germanium single crystal generally is lower requirement to electronic grade, they require transmission rate and different polished condition and orientation, but we often use low electronic grade for optical grade.
Para obter mais informações, entre em contato conosco pelo e-mail victorchan@powerwaywafer.com e powerwaymaterial@gmail.com.