Fosfeto de índio (InP) é um dos semicondutores compostos III-V. É uma nova geração de materiais eletrônicos funcionais após o arsenieto de silício e gálio. O material semicondutor de fosfeto de índio tem muitas propriedades excelentes: estrutura de banda de transição direta, alta eficiência de conversão fotoelétrica, alta mobilidade de elétrons, materiais semi-isolantes fáceis de fazer, adequados para fazer dispositivos e circuitos de microondas de alta frequência, alta temperatura de trabalho (400-500 ℃) e assim por diante. Essas vantagens tornam os wafers de fosfeto de índio amplamente utilizados em luminescência de estado sólido, comunicações de micro-ondas, comunicações ópticas, satélites e outros campos. PAM-XIAMEN é capaz de oferecer wafer semicondutor de fosfeto de índio condutivo. Mais informações adicionais sobre wafer, consulte:https://www.powerwaywafer.com/compound-semiconductor/inp-wafer.html.
Os substratos de fosfeto de índio tipo P, que são preparados principalmente por dopagem de Zn, são listados a seguir para sua referência:
1. Parâmetros do Substrato Semicondutor de Fosfeto de Índio
No. 1 Substrato InP de 50,5 mm
| Item | Parâmetro | UOM | |||
| Material | InP | ||||
| Tipo de Condução/Dopante | SCP/Zn | ||||
| Grau | Primordial | ||||
| Diâmetro | 50,5±0,4 | milímetros | |||
| Orientação | (100) ± 0,5 ° | ||||
| Ângulo de Orientação | / | ||||
| Opção plana | EJ | ||||
| Orientação plana primária | (0-1-1)±0,02° | ||||
| Comprimento Plano primária | 16 ± 1 | ||||
| Orientação plana secundária | (0-11) | ||||
| Comprimento Plano secundário | 7±1 | milímetros | |||
| Concentração transportadora | Min | 0.6E18 | Max | 6E18 | cm-3 |
| Resistividade | Min | / | Max | / | ohm*cm |
| Mobilidade | Min | / | Max | / | cm2/V*seg |
| EPD | avenida | <1000 | Max | / | cm-2 |
| Laser Mark | Verso grande plano | ||||
| Arredondamento de Borda | 0,25 (em conformidade com os padrões SEMI) | mmR | |||
| Espessura | Min | 325 | Max | 375 | μm |
| TTV | Max | 10 | μm | ||
| TIR | Max | 10 | μm | ||
| ARCO | Max | 10 | μm | ||
| Urdidura | Max | 15 | μm | ||
| Superfície | Lado 1 | Polido | Lado 2 | gravado | |
| Contagem de partículas | / | ||||
| Pacote | Recipiente individual preenchido com N2 | ||||
| Epi-ready | Sim | ||||
| Observação | Especificações especiais serão discutidas separadamente | ||||
No.2 76,2mm InP Wafer
| Item | Parâmetro | UOM | |||
| Material | InP | ||||
| Tipo de Condução/Dopante | SCP/Zn | ||||
| Grau | Primordial | ||||
| Diâmetro | 76,2±0,4 | milímetros | |||
| Orientação | (100) ± 0,5 ° | ||||
| Ângulo de Orientação | / | ||||
| Opção plana | EJ | ||||
| Orientação plana primária | (0-1-1) | ||||
| Comprimento Plano primária | 22 ± 1 | ||||
| Orientação plana secundária | (0-11) | ||||
| Comprimento Plano secundário | 12±1 | milímetros | |||
| Concentração transportadora | Min | 0.6E18 | Max | 6E18 | cm-3 |
| Resistividade | Min | / | Max | / | ohm*cm |
| Mobilidade | Min | / | Max | / | cm2/V*seg |
| EPD | avenida | <1000 | Max | / | cm-2 |
| Laser Mark | Verso grande plano | ||||
| Arredondamento de Borda | 0,25 (em conformidade com os padrões SEMI) | mmR | |||
| Espessura | Min | 600 | Max | 650 | μm |
| TTV | Max | 10 | μm | ||
| TIR | Max | 10 | μm | ||
| ARCO | Max | 10 | μm | ||
| Urdidura | Max | 15 | μm | ||
| Superfície | Lado 1 | Polido | Lado 2 | gravado | |
| Contagem de partículas | / | ||||
| Pacote | Recipiente individual preenchido com N2 | ||||
| Epi-ready | Sim | ||||
| Observação | Especificações especiais serão discutidas separadamente | ||||
No.3 100mm InP Semiconductor Wafer
| Item | Parâmetro | UOM | |||
| Material | InP | ||||
| Tipo de Condução/Dopante | SCP/Zn | ||||
| Grau | Primordial | ||||
| Diâmetro | 100±0,4 | milímetros | |||
| Orientação | (100) ± 0,5 ° | ||||
| Ângulo de Orientação | / | ||||
| Opção plana | EJ | ||||
| Orientação plana primária | (0-1-1) | ||||
| Comprimento Plano primária | 32,5±1 | ||||
| Orientação plana secundária | (0-11) | ||||
| Comprimento Plano secundário | 18 ± 1 | milímetros | |||
| Concentração transportadora | Min | 0.6E18 | Max | 6E18 | cm-3 |
| Resistividade | Min | / | Max | / | ohm*cm |
| Mobilidade | Min | / | Max | / | cm2/V*seg |
| EPD | avenida | <5000 | Max | / | cm-2 |
| Laser Mark | Verso grande plano | ||||
| Arredondamento de Borda | 0,25 (em conformidade com os padrões SEMI) | mmR | |||
| Espessura | Min | 600 | Max | 650 | μm |
| TTV | Max | 15 | μm | ||
| TIR | Max | 15 | μm | ||
| ARCO | Max | 15 | μm | ||
| Urdidura | Max | 15 | μm | ||
| Superfície | Lado 1 | Polido | Lado 2 | gravado | |
| Contagem de partículas | / | ||||
| Pacote | Recipiente individual preenchido com N2 | ||||
| Epi-ready | Sim | ||||
| Observação | Especificações especiais serão discutidas separadamente | ||||
2. Quais são as semelhanças e diferenças entre N Tipo InP, P Tipo InP e Semi-isolante InP?
Os monocristais InP podem ser divididos em tipo n, tipo p e tipo semi-isolante. De acordo com as propriedades elétricas, os monocristais de fosfeto de índio podem ser divididos em tipo N, tipo P e tipo semi isolante. As semelhanças e diferenças são analisadas principalmente na tabela abaixo de seu dopante, concentração de portadores, densidade de deslocamento e aplicações de fosfeto de índio:
| Semelhanças e diferenças entre InP tipo N, InP tipo P e InP semi-isolante | ||||
| Item | dopante | Concentração do transportador (cm-3) | Densidade de deslocamento (cm-2) | Aplicações |
| N Tipo InP | não dopado | ≤3,0 x 1016 | ≤5,0 x 102 | LD, LED, PIN PD e PIN APD |
| S | (1~8)x 1018 | ≤5,0 x 102 | ||
| Sn | (1~8)x 1018 | ≤5,0 x 102 | ||
| Tipo P InP | Zn | (1~8)x 1018 | ≤5,0 x 102 | células solares resistentes à radiação de alta eficiência, etc. |
| InP semi-isolante | Fe
|
N / D | ≤5,0 x 102 | dispositivos de microondas de baixo ruído e banda larga, orientação de terminal e dispositivos anti-interferência de ondas milimétricas, circuitos fotoelétricos integrados, etc. |
3. Sobre monocristal de fosfeto de índio tipo P cultivado por VGF
Atualmente, os monocristais de fosfeto de índio são preparados principalmente pelo método VGF (solidificação de gradiente vertical) na fundição de fosfeto de índio. No entanto, existem impurezas de hidroxila (OH) em tubos de quartzo e cadinhos de nitreto de boro usados na preparação de cristais de fosfeto de índio através de VGF, e água existe no óxido de boro como agente de cobertura. As impurezas de hidroxila (OH) e a água são as principais fontes de defeitos doadores VInH4 e defeitos doadores vagos no cristal semicondutor de fosfeto de índio, enquanto os defeitos doadores VInH4 e defeitos doadores vagos são os principais fatores que afetam as propriedades elétricas do monocristal InP tipo P de baixa concentração materiais.
Os parâmetros elétricos e o campo térmico de crescimento dos policristais InP usados para preparar monocristais de fosfeto de índio podem afetar a eficiência de ativação de dopagem do zinco e, em seguida, afetar a concentração de dopagem de zinco dos monocristais de fosfeto de índio tipo P.
Para obter mais informações, entre em contato conosco pelo e-mail victorchan@powerwaywafer.com e powerwaymaterial@gmail.com.