Bolacha de Fosfeto de Índio de Grau Fictício

Bolacha de Fosfeto de Índio de Grau Fictício

A pastilha de fosfeto de índio de cristal único de grau fictício está disponível com dopagem S cultivada por VGF. A concentração de elétrons da bolacha de fosfeto de índio tipo N atinge 1018cm-3, e a resistividade do fosfeto de índio é muito baixa, geralmente 10-2~10-3Ω·cm. It is mostly used in high-speed optoelectronic devices, such as LD, LED, PIN- PD, PIN-APD and etc. EPD map of InP can be offered if necessary, please contact us at victorchan@powerwaywafer.com. The specifications of the test grade InP wafers são listados da seguinte forma:

Wafer de fosforeto de índio

1. Especificações do Wafer de Fosfeto de Índio em Grau Fictício

Item 1:

Item Parâmetro UOM
Material Bolacha de Fosfeto de Índio
Grau Grau de manequim
Diâmetro 50,0 ± 0,5 milímetros
Espessura Mín: 300 Máx .: 400 hum
Orientação (100) ± 0,5 °
Tipo de condutividade / dopante SCN / S
Comprimento Plano primária 16 ± 2 milímetros
Orientação plana primária EJ (0-1-1)
Comprimento Plano secundário 7 ± 1 milímetros
Orientação plana secundária EJ (0-11)
Concentração transportadora Mínimo máximo: / cm-3
Resistividade Mínimo máximo: / ohm-cm
Mobilidade Mínimo máximo: / cm2/ V * Sec
EPD Média: / Máx .: <1000 cm-2 cm-2
TTV 10 hum
TIR 10 hum
ARCO 10 hum
Urdidura 15 hum
Superfície P / P, P / E
Arredondamento de Borda 0,25 (em conformidade com os padrões SEMI) mmR
Epi-ready Sim
Laser Mark /
Área dupla lamelar área útil de cristal único com (100) orientação> 80%
Pacote recipiente individual preenchido com N2  

 

Item 2:

Item Parâmetro UOM
Material Substrato de Fosfeto de Índio
Grau Grau de manequim
Diâmetro 76,2 ± 0,5 milímetros
Espessura Mín: 600 Máx .: 650 hum
Orientação (100) ± 0,5 °
Tipo de condutividade / dopante SCN / S
Comprimento Plano primária 22 ± 1 milímetros
Orientação plana primária EJ
Comprimento Plano secundário 12 ± 1 milímetros
Orientação plana secundária EJ
Concentração transportadora Mínimo máximo: / cm-3
Resistividade Mínimo máximo: / ohm-cm
Mobilidade Mínimo máximo: / cm2/ V * Sec
EPD Média: / Máx .: <1000 cm-2 cm-2
TTV 10 hum
TIR 10 hum
ARCO 10 hum
Urdidura 15 hum
Superfície P / P, P / E
Arredondamento de Borda 0,25 (em conformidade com os padrões SEMI) mmR
Epi-ready Sim
Laser Mark /
Área dupla lamelar área útil de cristal único com (100) orientação> 80%
Pacote recipiente individual preenchido com N2

 

Item 3:

Item Parâmetro UOM
Material Bolacha de Fosfeto de Índio
Grau Grau de manequim
Diâmetro 100,0 ± 0,5 milímetros
Espessura Mín: 600 Máx .: 650 hum
Orientação (100) ± 0,5 °
Tipo de condutividade / dopante SCN / S
Comprimento Plano primária 32,5 ± 1 milímetros
Orientação plana primária EJ
Comprimento Plano secundário 18 ± 1 milímetros
Orientação plana secundária EJ
Concentração transportadora Mínimo máximo: / cm-3
Resistividade Mínimo máximo: / ohm-cm
Mobilidade Mínimo máximo: / cm2/ V * Sec
EPD Média: / Máx .: <1000 cm-2 cm-2
TTV 10 hum
TIR 10 hum
ARCO 10 hum
Urdidura 15 hum
Superfície P / P, P / E
Arredondamento de Borda 0,25 (em conformidade com os padrões SEMI) mmR
Epi-ready Sim
Laser Mark /
Área dupla lamelar área útil de cristal único com (100) orientação> 80%
Pacote recipiente individual preenchido com N2

 

 

2. Aplicações de Fosfeto de Índio de Grau Fictício

O wafer InP de grau fictício é usado para o teste do processo de crescimento epitaxial e caracterização da composição na camada epitaxial. Não é adequado para decapagem de estruturas de dispositivos, por exemplo, guia de ondas e grade óptica por causa dos cristais gêmeos e possíveis orifícios da orientação do wafer no lado duplo.

Microtwin ou linhagem da superfície do wafer <20% é aceitável.

3. Propriedades do Fosfeto de Índio

Indium phosphide is a group III-V compound semiconductor material compounded by the combination of group III element indium (In) and group V element phosphorus (P). It has a zinc blende structure with a indium phosphide lattice constant of 0.586 9 nm. InP single crystal is soft and brittle, silver-gray with metallic luster. The indium phosphide band gap at room temperature is 1.344 eV, which is a direct transition band structure. The emission wavelength is 0.92 um, the intrinsic carrier concentration of InP at room temperature is 2×107cm-3, e a mobilidade do elétron e do buraco é de 4 500 cm2/ Vs e 150 cm2 / V · s respectivamente.

Estrutura de cristal de fosfeto de índio

Estrutura Cristal de Fosfeto de Índio

4. Processo de fabricação de wafer InP

O fosfeto de índio tem quase a mesma estrutura de cristal cúbico de face centrada que o arsenieto de gálio GaAs e a maioria dos semicondutores III-V. As bolachas de fosfeto de índio devem ser preparadas antes da fabricação do dispositivo e devem ser sobrepostas para eliminar danos à superfície durante o fatiamento. O dummy wafer de InP é então polido químico-mecânico (CMP) para a etapa final de remoção do material, permitindo a obtenção de uma superfície espelhada com rugosidade ultra plana em escala atômica.

However, the growth process of indium phosphide from raw materials to ingots to wafers is very difficult. During the growth process, a high temperature of 1070℃ and extreme pressure are required. In addition, the atomic structure may change. What comes out may not meet expectations. From raw materials to ingots to a 2-inch or 4-inch indium phosphide single crystal wafer, the yield is generally about 28%, and the technical threshold is very high. Therefore, PAM-XIAMEN is one of the indium phosphide wafer suppliers that can successfully control the growth technology of indium phosphide. Relying on VGF, VB method crystal growth technology, high surface quality wire cutting technology, ultra-flat mechanical chemical polishing technology, ultra-clean surface cleaning technology and other related core technologies, the commercialization of indium phosphide wafers tends to be stable, and the products provided by PAM-XIAMEN are mainly used in optical fiber communications, optical detectors, infrared optics, high-frequency millimeter wave communications and other fields. In addition to the current application areas, the monocrystalline indium phosphide wafer substrate will expand in the terahertz field used in 6G communications.

5. Desenvolvimento Futuro de Materiais InP

In fact, InP substrate material is the most critical core material in the optical communication industry chain, ultra-high frequency millimeter wave radar, infrared detection and other fields. It is  inseparable from indium phosphide since the demand for higher bandwidth continues to grow, especially in the Human-driven cars, 5G communications, even the implementation and application of 6G, 7G, and 8G in the future. The indium phosphide wafer market at dummy or prime grade will usher in rapid growth, thereby, the indium phosphide wafer cost will go down.

powerwaywafer

Para obter mais informações, entre em contato conosco pelo e-mail victorchan@powerwaywafer.com e powerwaymaterial@gmail.com.

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