Estruturas de transistor emissor de luz (LET) InGaAsP/InP *S

O crescimento epitaxial deSemicondutores compostos III-V InGaAs, InAlGaAs, and InGaAsP alloys that match the InP lattice is widely used in the manufacture of electronic and optoelectronic devices, such as heterojunction bipolar transistors (HBTs), light-emitting transistors (LETs), light-emitting diodes (LEDs), laser diodes (LDs), and photodetectors, especially for high-speed electronic and fiber optic communication system applications. PAM-XIAMEN can grow InGaAsP/InP epitaxial wafer for light emitting transistor fabrication. The specific structure is as follows, for reference only:

1. Estrutura do transistor emissor de luz InGaAsP/InP

1) Wafer epitaxial InGaAsP/InP para Shallow Ridge LET

2) Epitaxia InGaAsP/InP para Deep Ridge LET

2. Sobre o Transistor Emissor de Luz (LET)

As características do LET exigem que o semicondutor luminescente usado tenha alta mobilidade de portadores e alta eficiência de fluorescência. No entanto, os semicondutores usados ​​atualmente para transistores emissores de luz vêm principalmente de transistores de efeito de campo (FETs) ou diodos emissores de luz orgânicos (OLEDs). A estrutura dos transistores emissores de luz é semelhante à dos OLEDs, usando principalmente estruturas multicamadas, como camadas de transporte de elétrons, camadas de transporte de buracos e camadas emissoras de luz. A separação da camada de transporte de carga e da camada emissora de luz reduz a extinção de excitons por cargas, o que é benéfico para melhorar a eficiência do dispositivo de emissão de luz.

LET produz luz mais rápido que o LED. Outra vantagem é que a intensidade da luz pode ser controlada ajustando a corrente. Além disso, a terceira porta de transistor permite melhor controle das saídas elétricas e ópticas. As futuras aplicações do transistor emissor de luz incluem a substituição de fios em dispositivos eletrônicos por fibras ópticas para produzir dispositivos de maior desempenho.

3. Euinfluência deExexternoEelétricoFicampo emExcitonBencontrarEenergia em InGaAsP/InPPerguntas frequentes

O material do poço quântico InGaAsP/InP possui alta simetria cristalina e uma grande taxa de desvio de elétrons de saturação. Suas propriedades elétricas podem ser alteradas pela aplicação de um campo elétrico externo, o que apresenta grandes vantagens em dispositivos optoeletrônicos semicondutores. A optoeletrônica é um campo importante na indústria da informação, e a emissão de excitons desempenha um papel importante em dispositivos ativos emissores de luz. A força motriz das aplicações de dispositivos tem promovido grandemente pesquisas extensas sobre excitons. Os excitons também têm aplicações potenciais em informações quânticas de estado sólido, e os estados de excitons podem servir como portadores eficazes de informações quânticas. Preparar vários estados de excitons ideais e controlá-los de forma coerente é de grande importância tanto para a pesquisa fundamental quanto para a aplicada.

Os pesquisadores usaram o método variacional sob a aproximação de massa efetiva para calcular a energia de ligação do exciton em poços quânticos InGaAsP/InP em função da largura do poço e da composição In, e também discutiram o efeito do campo elétrico externo na energia de ligação do sistema exciton. resultados, pode-se observar que para poços quânticos InxGa1 − xAsyP1 − y / InP, devido ao efeito combinado da interação de Coulomb e do potencial de confinamento quântico, a energia de ligação do exciton aumenta com o aumento da largura do poço quando a largura do poço é pequena. Quando a largura do poço atinge um determinado valor, a energia de ligação atinge um pico e depois diminui com o aumento da largura do poço. O componente In tem uma certa influência no tamanho da largura do poço correspondente à energia máxima de ligação do exciton. À medida que o componente In aumenta, o bandgap do material diminui, resultando em uma diminuição correspondente na largura do poço no valor máximo A influência do campo elétrico na energia de ligação do exciton não é significativa dentro de uma determinada faixa No entanto, quando o campo elétrico é grande , elétrons e lacunas são mais afetados pelo campo elétrico, o que enfraquece o efeito do exciton. Esses resultados podem fornecer uma base teórica para o projeto de dispositivos emissores de luz de poços quânticos InGaAsP/InP, como o transistor emissor de luz.

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