Filme fino LT GaAs para fotodetectores e fotomisturadores

Filme fino LT GaAs para fotodetectores e fotomisturadores

O filme fino de arseneto de gálio (GaAs) cultivado em baixa temperatura (LTG) no substrato de GaAs está disponível para fotodetectores e fotomisturadores. Além disso, podemos fornecer wafer epi gaas, para mais wafer de filme fino GaAs, consultehttps://www.powerwaywafer.com/gaas-wafers/gaas-epiwafer.html. LTG-GaAs é GaAs cultivado a uma temperatura baixa de 250-300 graus Celsius usando MBE. O LT-GaAs tem uma vida útil de sub-picossegundos e alta resistência após o recozimento, com uma resistividade de 107Ω*cm, que pode prevenir a formação de óxidos e prevenir o efeito de fixação da interface metal-semicondutor. Além disso, o filme fino de arseneto de gálio cultivado em baixa temperatura tem campos elétricos de alta degradação e mobilidade relativamente grande. Essas propriedades tornam o LT-GaAs um dos materiais preferidos para vários dispositivos optoeletrônicos rápidos e sensíveis, como fotodetectores e fotoemisturadores. Para mais folhas de dados de filmes finos de GaAs, consulte a tabela abaixo:

Wafer de filme fino GaAs

1. Filme fino LT GaAs cultivado para fotodetectores e fotomisturadores

PAMP16051-LTGAAS

Material da camada Espessura Nota
LT GaAs Pode fazer com tempo de vida curto <1ps
AlAs 500nm
Substrato de GaAs de 2"

 

Nota:

Comparado com GaAs, a camada de AlAs possui maior constante de rede, o que permite o crescimento de LT-GaAs com maior constante de rede. A geração de fotocorrente em GaAs cultivados em baixa temperatura pode ser significativamente melhorada pelo crescimento inter-inserção de AlAs. A camada de AlAs permite que mais arsênico seja incorporado na camada de LT GaAs, evitando a difusão de corrente no substrato de GaAs.

2. Desenvolvimento de Dispositivos Optoeletrônicos Fabricados em Filme LTG GaAs

Marsch relatou a fabricação e o desempenho de alta frequência de fotocondutores e fotomisturadores independentes baseados em LT GaAs. A fotoresposta dos dispositivos mostrou efeitos elétricos transitórios com largura de 0ps~55ps e tensão de amplificação de 1,3V.

Malooci relatou LTG GaAs como um misturador óptico de guia de onda em aplicações mmWave e THz.

Mayorga usa absorção LTG CaAs para misturar dois lasers (infravermelho próximo) para produzir sinais de alta frequência, que podem ser usados ​​como sinais de referência para osciladores em massa THz para aplicações como ALMA (Atacama Large Millimeter Aray Research Project).

Wingender usou um misturador óptico feito de fabricação de filme fino LT GaAs para criar um laser de diodo de estado estacionário com feedback óptico.

Han Qin et ai. fabricou um fotodetector de 1,55um ressonador aprimorado (RCE) baseado em GaAs usando material LTG GaAs como uma camada de absorção de luz e analisou e estudou suas propriedades fotoelétricas. A corrente escura do dispositivo é 8,0x 10-12A; o comprimento de onda de pico do espectro de fotocorrente é 1563 nm; a metade da largura do espectro de resposta é de 4 nm, com boa seletividade de comprimento de onda.

As principais aplicações e o progresso da pesquisa da epicamada de LT GaAs em dispositivos optoeletrônicos são brevemente apresentados, que são muito significativos para melhorar o desempenho de dispositivos de filme fino de LT GaAs. Quando o dispositivo entra no nível sub-mícron, o contato ôhmico sem liga pode ser formado, evitando o processo de tratamento térmico de contato ôhmico para o dispositivo, e a eficiência e o desempenho do dispositivo também serão bastante aprimorados. Acredita-se que o LT-GaAs se tornará um material funcional de informação indispensável em dispositivos baseados em GaAs em um futuro próximo.

 

Remark:
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!

Para obter mais informações, entre em contato conosco pelo e-mail victorchan@powerwaywafer.com e powerwaymaterial@gmail.com.

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