Magnetoresistor de película fina de antimoneto de índio (InSb), que é o elemento sensível do núcleo do sensor de magnetorresistência (MR), é fornecido pelo PAM-XIAMEN com características de medição sem contato, tamanho pequeno, alta confiabilidade, alta relação sinal-ruído e ampla resposta de frequência (0-100kHz). A magnetorresistência InSb é um novo tipo de elemento sensível feito usando o efeito da magnetorresistência de Filme InSb. Ele pode usar um campo magnético como meio para converter várias grandezas não elétricas (como vários deslocamentos e velocidades) em mudanças nos valores de resistência, de modo a medir ou controlar grandezas não elétricas. Como esta conversão é realizada sem contato, o sensor de magnetorresistência possui as características de alta confiabilidade, pequeno tamanho e leveza para fabricar vários sensores com ele. Este tipo de dispositivo magnético sensível tem uma ampla gama de utilizações na indústria e em muitos campos científicos e tecnológicos. A magnetorresistência existente de PAM-XIAMEN são como se segue:

1. Especificações do Magnetoresistor InSb

Estrutura magnetorresistiva:

Marca: A produção do magnetorresistor de película fina InSb adota tecnologia avançada de produção de película fina e fotoetching planar, e seu padrão, tamanho e resistência podem ser projetados de forma flexível de acordo com as necessidades.

Existem três parâmetros principais do sensor magneto-resistivo:

• Relação de magnetorresistência: refere-se à relação entre o valor da resistência do magnetorresistor e o valor da resistência sob indução magnética zero sob a intensidade de indução magnética especificada.
• Coeficiente magnetorresistivo: refere-se à relação entre o valor da resistência de um sensor magnético e o seu valor de resistência nominal sob determinada intensidade de indução magnética.
• Sensibilidade magnetorresistiva: refere-se à taxa de variação relativa do valor da resistência de um sensor de campo de magnetorresistividade com a densidade de fluxo magnético sob uma densidade de fluxo magnético especificada.

2. Princípio de funcionamento do sensor de magnetorresistência

O sensor magnetorresistivo fabricado em filme fino InSb é frequentemente uma solução ideal para medição de alta velocidade, controle de ângulo, controle de posição, rastreamento de sinal, etc. Sua resistência R muda com a mudança da densidade do fluxo magnético B passando por ele perpendicularmente: quando B <0,1T , R∝; quando B> 0,1T, R∝B; quando B = 0,3T> 2,0, conforme mostrado na figura abaixo.

Usando este recurso, é conveniente usar o campo magnético como meio para converter a não eletricidade (como deslocamento, posição, velocidade, deslocamento angular, pressão, aceleração, etc.) em energia elétrica sem contato, a fim de medir e controlar a não-eletricidade.

3. Efeito de resistência magnética em filme fino InSb

O material InSb é um material semicondutor composto típico. Comparado com silício, germânio e arseneto de gálio, tem um efeito de magnetorresistência significativo. Portanto, os sensores de magnetorresistência usam materiais InSb para fazer o efeito de magnetorresistência de materiais semicondutores, incluindo efeito de magnetorresistência física e efeito de magnetorresistência geométrica. O efeito de magnetorresistência física também é denominado efeito de magnetorresistência. Em um chip semicondutor retangular, quando uma corrente flui ao longo da direção do comprimento, se um campo magnético for aplicado na direção da espessura perpendicular à corrente, a resistividade aumenta na direção do comprimento do chip SMR. Este fenômeno é denominado efeito magnetorresistivo físico ou efeito magnetorresistivo.

4. Aplicações de sensores de magnetorresistência

Como um sensor MR, os princípios de funcionamento de vários sensores de elemento de resistência magnética que usam magnetorresistor como elemento central são os mesmos, mas os tipos são diferentes de acordo com a finalidade e a estrutura. Portanto, pode ser utilizado em sensor magnético, que serve como instrumento de medição do magnetismo residual de campo magnético constante e campo magnético alternado ou maquinário elétrico, e equipamentos de navegação de navegação e aviação. Além disso, o sensor de magnetorresistência pode ser para sensor de velocidade, sensor de deslocamento angular e sensor ferromagnético. A combinação de magnetoresistor e componentes eletrônicos pode formar conversor AC-DC, multiplicador de frequência, modulador e oscilador.

Mais sobre o sensor de magnetorresistência, leia:https://www.powerwaywafer.com/magnetoresistive-sensor.html

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