Deposição de metal em pastilha de silício

Deposição de metal em pastilha de silício

Wafers de silício com vários depósitos de metal estão à venda em tamanhos de 2 a 12 polegadas. A deposição de metal na pastilha de silício é geralmente processada na superfície do substrato, e a espessura do substrato normalmente é de 300um ~ 700um. Uma lista de wafer é mostrada abaixo para sua referência:

1. Lista de Wafer de Deposição de Metal em Wafer de Silício

Não. Material Tamanho (inch) Acabamento de superfície Tipo Espessura (um) Espessura do filme (nm) Resis. (Ohm.cm) Borda de Referência
M2 Wafer de silício revestido de ouro 4 SSP N100 450 ± 15 10nmCr + 100nmAu 0,01 ~ 0,02 2
M4 Wafer de silício revestido de ouro 2 SSP P100 430 ± 10 20nmTi + 100nmAu 0 ~ 0,005
M5 Wafer de silício banhado a ouro 2 SSP N100 430 ± 10 20nmTi + 1200nmAu 0 ~ 0,05 1
M14 Wafer de silício revestido de cobre 6 SSP N100 675 ± 25 2000nmCu 1 ~ 100
M15 Wafer de silício revestido de alumínio 8 SSP P100 700 ± 25 500nmAl 1 ~ 100
M18 Bolacha de Si Banhado a Cobre 12 SSP P100 700 ± 25 1000nmCu 1 ~ 100
M19 Wafer de Si Revestido com Cobre 12 SSP P100 700 ± 25 500nmCu 1 ~ 100
M20 Bolacha de Si Banhado a Cobre 6 SSP N100 625 ± 25 125nmCu 0,01 ~ 0,02
M21 Wafer de silício revestido de ouro 2 SSP P100 400 ± 15 10nmCr + 100nmAu 0 ~ 0,0015
M22 Wafer de silício banhado a ouro 2 SSP N100 280 ± 15 10nmCr + 100nmAu 0 ~ 0,05
M33 Wafer de silício revestido de platina 2 SSP P100 430 ± 15 30nmTi + 150nmPt 0 ~ 0,0015
M34 Wafer de Si Banhado A Ouro 4 DSP 100 110 ± 25 10nmCr- + 50nmAu 0,01 ~ 0,05
M35 Wafer de Si Banhado A Ouro 6 DSP 100 200 ± 25 10nmCr + 50nmAu 0,005 ~ 0,01
M36 Wafer de Si Revestido a Ouro 6 SSP N100 625 ± 25 10nmCr + 50nmAu 0,01 ~ 0,02
M37 Wafer de Si Revestido a Ouro 4 DSP P100 200 ± 10 50nmCr + 10nmAu 2 ~ 3
M40 Wafer de Si Platinizado 4 SSP P100 515 ± 15 300nmSi02 + 30nmTi + 300nmPt 0,008 ~ 0,012 2
M41 Wafer de Si Platinizado 4 SSP P100 525 ± 25 300nmSi02 + 30nnTi + 300nmPt 0,01 ~ 0,02 2
M42 Bolacha de Si Au Coated 6 DSP 100 200 ± 25 10nmCr + 50nmAu 0,005 ~ 0,01
M43 Pt Coated Si Wafer 4 SSP P100 500 ± 15 300nmSi02 + 30nmTi + 150nmPt 0 ~ 0,0015 2
M44 Pt banhado Si Wafer 4 SSP P100 500 ± 15 500nmSi02 + 30nmTi + 150nmPt 0 ~ 0,0015 2
M46 Wafer de Si Au Plated 4 SSP N100 525 ± 15 30nmCr + 125nmAu 0 ~ 0,005
M47 Bolacha Si Plated Cu 4 SSP N100 525 ± 15 30nmCr + 100nmCu 0 ~ 0,005
M49 Bolacha Si Plated Cu 4 SSP P100 525 ± 15 30nmCr + 100nmCu 8 ~ 12 2
M50 Wafer de Si Au Plated 4 SSP N100 450 ± 15 90nmSi02 + 10nmCr + 100nmAu 0,012 ~ 0,018
M51 Pt Coated Si Wafer 4 SSP P100 500 ± 10 280nmSi02 + 150nmPt 0 ~ 0,0015 1
M52 Wafer Cr Coated Si 4 SSP N100 525 ± 25 200nmCr 0,01 ~ 0,02 2
M54 Wafer Ag Coated Si 4 SSP P100 500 ± 10 30nmCr + 200nmAg 0 ~ 0,05 2
M55 Wafer de silício revestido de cobre 4 DSP P100 500 ± 10 20nmTi + 100nmAu 0 ~ 0,05 2
M56 Wafer de silício folheado a cobre 4 DSP P100 500 ± 10 20nmNi + 100nmAu 0 ~ 0,05 2
M57 Wafer de silício revestido de cobre 4 SSP N100 500 ± 10 Superfície não polida 20nnTi + 100nmAu 1 ~ 3 2
M58 Wafer de silício revestido com ouro 4 DSP N100 525 ± 25 20nmTi + 100nmAu 0 ~ 0,01 2
M59 Wafer de Silício Banhado a Ouro 4 SSP P100 525 ± 20 Superfície não polida 20nmNi + 100nmAu 1-3 2

 

Pegue o wafer de silício revestido de platina (Pt), por exemplo: Como a camada de platina tem alta dureza, baixa resistência e boa soldabilidade, a condutividade, dureza e resistência à corrosão do wafer de silício platinizado são aumentadas, o que faz com que possa ser usado como um condutor substrato.

2. Sobre o revestimento de platina em wafer de silício

A deposição de metal na pastilha de silício se refere a um processo de metalização em que filmes finos metálicos são depositados na pastilha para formar um circuito condutor. Os metais são comumente ouro, platina, alumínio, cobre, prata e assim por diante. Ligas de metal também podem ser usadas.

A tecnologia de deposição a vácuo é frequentemente usada no processo de metalização. Já para o processo de deposição, pulverização catódica, evaporação por feixe de elétrons, evaporação instantânea e evaporação por indução são os métodos usuais para a fabricação de filme de platina em wafer de Si.

O wafer de silício é comumente usado para depositar e cultivar filmes finos ferroelétricos de fontes de pulverização catódica. A temperatura de sinterização geralmente pode atingir 650 ~ 850 ° C. Durante a sinterização, a tensão muda muito, e a tensão ou compressão diminuirá quando atingir gigapascals. Depois disso, a tensão típica da película fina ferroelétrica é de cerca de 10o gigapascal. O filme fino de Pt terá pequenas rachaduras quando a temperatura estiver acima de 750 ° C. Portanto, a camada de metal Pt no processamento de wafer de silício deve ser depositada a uma temperatura inferior a 750 ° C.

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