SiC Wafer

PAM-XIAMEN oferece wafer SiC e Epitaxy: O wafer SiC é o material semicondutor de banda larga de terceira geração com excelente desempenho. Tem as vantagens de amplo bandgap, alta condutividade térmica, alto campo elétrico de ruptura, alta temperatura intrínseca, resistência à radiação, boa estabilidade química e alta taxa de deriva de saturação de elétrons. O wafer SiC também tem grandes perspectivas de aplicação na indústria aeroespacial, trânsito ferroviário, geração de energia fotovoltaica, transmissão de energia, novos veículos de energia e outros campos, e trará mudanças revolucionárias à tecnologia de eletrônica de potência. A face Si ou face C é CMP como grau epi-pronto, embalada com gás nitrogênio, cada wafer está em um recipiente de wafer, em menos de 100 salas de aula limpas.
Epi-ready SiC wafers has N type or Semi-insulating, its polytype are 4H or 6H in different quality grades, Micropipe Density (MPD): Free, <5/cm2, <10/cm2, <30/cm2,<100/cm2, and the available size is 2”,3”,4” and 6”.Regarding SiC Epitaxy, its Wafer to wafer thickness uniformity: 2% , and Wafer to wafer doping uniformity: 4%, available doping concentration are from undoped, E15,E16,E18,E18/cm3, n type and p type epi layer are both available, epi defects are below 20/cm2; All the substrate should be used production grade for epi growth;N-type epi layers <20 microns are preceded by n-type,  E18 cm-3, 0.5 μm buffer layer; N-type epi layers≥20 microns are preceded by n-type,  E18, 1-5 μm buffer layer; N-type doping is determined as an average value across the wafer (17 points) using Hg probe CV; Thickness is determined as an average value across the wafer (9 points) using FTIR.