lingote de silício
Você pode comprar lingotes de cristal de silício tipo P ou tipo N da PAM-XIAMEN, que é uma empresa fabricante de lingotes de silício. Para obter o lingote de silício monocristalino, o material de silício é derretido em um forno de cristal único e, em seguida, passa por uma série de processos para crescer em hastes de silício de cristal único e subsequente usinagem das hastes de silício de cristal único e, finalmente, obter o cristal boule de silício.
1. Lista de Lingotes de Silício
| Número do lingote | Diâmetro do Lingote | Tipo, Orientação | Comprimento do lingote (mm) | Resistividade | Tempo de vida | Qt |
| PAM-XIAMEN-INGOT-24 | 103.4 | N111 | 167 | 15000 | - | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-25 | 103.5 | N111 | 196 | 17000 | - | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-62 | 105 | N100 | 165 | 810 | - | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-67 | MC200 | P110 | 243 | 0.313 | 3.51% | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-89 | 200 | P110 | 186 | 1.61 | 10.56% | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-93 | 86 | N100 | 76 | 4700 | - | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-94 | 82 | N100 | 75 | 6800 | - | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-95 | 79 | N100 | 102 | 13000 | - | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-100 | 8 " | - | 300 milímetros | - | - | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-108 | 4 " | - | 95 milímetros | - | - | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-109 | 6 " | - | 252 mm | - | - | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-113 | 2 " | - | 195mm | - | - | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-114 | 3 " | - | 95 milímetros | - | - | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-127 | Lado A 140 mm e lado B 170 mm | - | 100 milímetros | - | - | 1 |
2. Classificação do Cristal de Silício de acordo com o Método de Crescimento
O silício monocristalino é um material de silício cristalino muito importante. De acordo com diferentes métodos de crescimento de lingotes de silício pela fábrica de lingotes de silício, ele pode ser dividido em silício monocristalino fundido por zona e silício monocristalino Czochralski.
* O silício monocristalino derretido por zona é preparado pelo método de fundição por zona flutuante, por isso também é chamado de monocristalino de silício FZ. O lingote de silício FZ é usado principalmente em dispositivos de alta potência e representa apenas uma pequena parte do mercado de silício monocristalino.
* O silício monocristalino Czochralski é preparado pelo método Czochralski, denominado silício monocristalino CZ. O lingote de silício CZ é usado principalmente em circuitos integrados microeletrônicos e células solares.
3. Normas da indústria para lingote de silício cristalino CZ ou FZ
Os lingotes de silício para energia solar, dispositivos de energia ou outros campos são de alta qualidade e preços competitivos. Além disso, os parâmetros docristal de silício monocristalinoatender às normas estipuladas. Além disso, você pode personalizar a pureza do lingote de silício.
3.1 Resistividade de cristal único de silício e vida útil do portador
A faixa de resistividade e a vida útil dos portadores minoritários dos lingotes de Si de alta resistência FZ devem atender aos requisitos da tabela a seguir:
| Tipo de condutividade | dopante | Diâmetro/mm | Faixa de resistividade/(Ω-cm) | Vida útil da operadora minoritária/nós |
| p | B | 30~200 | 3.000 ~ 20.000 | > 500 |
| n | p | 30~200 | 800~10.000 | >1.000 |
| O valor da resistividade é a resistividade do cristal único de silício medida com duas sondas. | ||||
A faixa de resistividade e a variação da resistividade radial do lingote de cristal de silício atendem aos requisitos da tabela a seguir.
A vida útil do lingote CZ Si deve ser determinada por negociação entre o fornecedor e o comprador.
| Tipo de condutividade | Elemento de dopagem | Faixa de resistividade/(Ω-cm) | Variação da resistividade radial b/% | ||||||
| <50,8 mm (100)/(111) | 50,8 mm (100)/(111) | 76,2 mm (100)/(111) | 100 mm (100)/(111) | 125 mm (100)/(111) | 150 mm (100)/(111) | 200 mm (100) | |||
| p | B | 0,001~0,1 | ≤8 | ≤8 | ≤8 | ≤6/≤6 | ≤6/≤9 | ≤5/≤8 | ≤12 |
| >0,1~60 | ≤8 | ≤8 | ≤8 | ≤8/≤9 | ≤6/≤9 | ≤5/≤8 | ≤5 | ||
| n | P | 0,001~0,1 | ≤15/≤25 | ≤15/≤25 | ≤15/≤25 | ≤15/≤25 | ≤15/≤25 | ≤15/≤25 | ≤15 |
| >0,1~60 | ≤12/≤20 | ≤12/≤20 | ≤12/≤20 | ≤12/≤25 | ≤12/≤25 | ≤12/≤25 | ≤15 | ||
| n | Sb | ≤0,02 | ≤12/20 | ≤12/20 | ≤12/20 | ≤12/≤25 | ≤10/≤25 | ≤10/≤35 | ≤12 |
| Como | ≤0,006 | ≤12/20 | ≤12/20 | ≤12/20 | ≤12/≤25 | ≤12/≤30 | ≤12/≤30 | ≤12 | |
* O valor da resistividade é medido na seção transversal de um único cristal de silício usando um pino reto de quatro pinos;
* O valor da variação da resistividade radial é medido na face final especificada do lingote de silício usando uma linha reta de quatro agulhas.
3.2 Método Padrão para Teste de Orientação de Lingotes de Silício
O desvio da orientação do cristal CZ deve ser </= 2°, e o desvio da orientação do cristal do lingote de silício FZ deve ser </=5°. Existem 2 métodos principais para testar a orientação do lingote de silício:
a) Método de orientação por difração de raios X
Os átomos de um lingote de silício dispostos em uma estrutura cristalina periódica tridimensional podem ser considerados como os átomos dispostos em uma série de planos paralelos com uma distância vertical de d no espaço. Quando um raio X monocromático paralelo atinge o plano, e a diferença do caminho óptico entre os planos adjacentes dos raios X é um múltiplo inteiro de seu comprimento de onda, ocorre difração (reflexão).
b) Orientação do padrão de luz
Depois que a superfície do lingote de silício for retificada e preferencialmente gravada, muitos pequenos buracos aparecerão. Esses poços são restringidos no plano relacionado à direção principal da bocha do material, e esses planos limites determinam o formato do poço da superfície gravada. O padrão de luz do pequeno plano composto por pontos está relacionado à direção cristalográfica do plano medido, portanto o padrão de luz pode ser usado para determinar a direção cristalográfica da superfície e seu ângulo de desvio.
4. Mais postagens sobre lingote de silício, leia:
Lingote de Silício FZ de 1″ com Diâmetro 25mm
Lingote de Silício FZ de 2″ com Diâmetro 50mm
Cristal de silício tipo P ou N com orientação de (100), (110) ou (111)
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