Bolacha de Silício

PAM-XIAMEN, uma empresa de fabricação de wafer de silício, oferece wafer de silício: Wafer de silício FZ, wafer de monitor de wafer de teste, wafer fictício, wafer de teste, wafer CZ, wafer epitaxial, wafer polido, wafer de gravação.

O processo de fabricação de wafer de silício consiste em extração de cristal, corte em cubos, retificação, chanframento, gravação, polimento, limpeza e inspeção, entre os quais extração de cristal, polimento de wafer e inspeção são os principais elos da fabricação de wafer de Si. Como substrato semicondutor básico, os wafers de silício devem ter altos padrões de pureza, planicidade de superfície, limpeza e contaminação por impurezas para manter as funções originais projetadas do chip. Os requisitos de alta especificação dos wafers de silício semicondutores tornam seu processo de fabricação complicado. As quatro etapas principais incluem purificação de polissilício e fundição de lingotes de polissilício, crescimento de wafer de Si de cristal único e corte e modelagem de wafer de Si. Como matéria-prima para a fabricação de wafers, a qualidade dos wafers de silício determina diretamente a estabilidade do processo de aplicação dos wafers. Wafers de silício de grande porte tornaram-se a tendência futura de desenvolvimento de wafers de silício. A fim de melhorar a eficiência da produção e reduzir custos, são utilizadas cada vez mais pastilhas de silício de grande porte.