O detector SWIR (infravermelho de onda curta) é amplamente utilizado em sensoriamento remoto aeroespacial, visão noturna com pouca luz, diagnóstico médico, indústria agrícola, monitoramento de segurança e outros campos. O detector InGaAs infravermelho de ondas curtas possui as características de alta taxa de detecção, alta uniformidade e alta estabilidade, sendo uma das escolhas ideais para o desenvolvimento de sistemas optoeletrônicos infravermelhos de ondas curtas miniaturizados, de baixa potência e alta confiabilidade. Em termos do plano focal InGaAs de comprimento de onda convencional, ele desenvolveu de 256 × 1, 512 × 1 isolinhas de elemento para 320 × 256, 640 × 512, 1280 × 1024 e outras especificações da matriz de área. E a detectabilidade e a corrente escura são continuamente melhoradas.PAM-XIAMENpode oferecer o detector SWIR baseado em InGaAs com pixels de 320 × 256, 640 × 512 e 1280 × 1024. Mais parâmetros, consulte as folhas de dados abaixo:
1. Folha de dados para detectores SWIR InGaAs
1.1 640 x 512 InGaAs (simulação) detector infravermelho
| Produto | Parâmetros principais | |
| MW 640 x 512 InGaAs (simulação) Detector infravermelho | Número de pixels | 640 x 512 |
| Pixel pitch | 15 um | |
| Operabilidade de pixel | 99% | |
| Heterogeneidade da resposta | ≤6% | |
| Faixa de resposta espectral do detector | 0,9 um ~ 1,7 um | |
| Taxa máxima de quadros | ≥300 Hz@8Passageway | |
| Sinal de saída | simulação | |
| Ganho | 3 barras | |
| Canal de saída | 04/02/08 | |
| Integração | ITR ou IWR | |
| Eficiência quântica | ≥70%@(1,0-1,6 um) | |
| Corrente escura do dispositivo | ≤20fA@-0.1V, 273k | |
| Consumo Típico de Energia | 280mW | |
| Temperatura de operação | -40℃-+50℃ | |
| Temperatura de armazenamento | -55℃-+70℃ | |
| Peso | ≤20g | |
| Outros recursos | CDS INTERNOS, abertura de janela | |
1.2 Detector IR baseado em InGaAs, 640 x 512 (Números)
| Produto | Parâmetros principais | |
| MW 640 x 512 InGaAs (números) Detector infravermelho | Número de pixels | 640 x 512 |
| Pixel pitch | 15 um | |
| Operabilidade de pixel | 99% | |
| Heterogeneidade da resposta | ≤6% | |
| Faixa de resposta espectral do detector | 0,9 um ~ 1,7 um | |
| Taxa máxima de quadros | ≥60 Hz | |
| Sinal de saída | números | |
| Ganho | 2 barras | |
| Canal de saída | 2 | |
| Integração | ITR ou IWR | |
| Eficiência quântica | ≥70%@(1,0-1,6 um) | |
| Corrente escura do dispositivo | ≤20fA@-0.1V, 273K | |
| Consumo Típico de Energia | 300 mW | |
| Temperatura de operação | -40℃-+50℃ | |
| Temperatura de armazenamento | -55℃-+70℃ | |
| Peso | ≤20g | |
| Outros recursos | Construído em ADC de 14 bits | |
1.3 320 x 256 Detector InGaAs (Simulação)
| Produto | Parâmetros principais | |
| MW 320 x 256 InGaAs (simulação) Detector infravermelho | Número de pixels | 320 x 256 |
| Pixel pitch | 30 um | |
| Operabilidade de pixel | 99% | |
| Heterogeneidade da resposta | ≤6% | |
| Faixa de resposta espectral do detector | 0,9 um ~ 1,7 um | |
| Taxa máxima de quadros | ≥300 Hz@4Passageway | |
| Sinal de saída | simulação | |
| Ganho | 2 barras | |
| Canal de saída | 1/2/4 | |
| Integração | ITR ou IWR | |
| Eficiência quântica | ≥70%@(1,0-1,6 um) | |
| Corrente escura do dispositivo | ≤100fA@-0.1V, 273k | |
| Consumo Típico de Energia | 280mW | |
| Temperatura de operação | -40℃-+50℃ | |
| Temperatura de armazenamento | -55℃-+70℃ | |
| Peso | ≤20g | |
| Outros recursos | CDS INTERNOS, abertura de janela | |
1.4 Detector SWIR InGaAs Estendido com 1280 x 1024 Pixels (Números)
| Produto | Parâmetros principais | |
| MW 1280 x 1024 InGaAs (números) Detector infravermelho | Número de pixels | 1280 x 1024 |
| Pixel pitch | 10 um | |
| Operabilidade de pixel | 99% | |
| Heterogeneidade da resposta | ≤6% | |
| Faixa de resposta espectral do detector | 0,9 um ~ 1,7 um | |
| Taxa máxima de quadros | ≥50 Hz@4Passageway | |
| Sinal de saída | números | |
| Ganho | ≥2 barras | |
| Canal de saída | 4 | |
| Integração | ITR ou IWR | |
| Eficiência quântica | ≥70%@(1,0-1,6 um) | |
| Corrente escura do dispositivo | ≤10fA@-0.1V, 273k | |
| Consumo Típico de Energia | 370mW | |
| Temperatura de operação | -40℃-+50℃ | |
| Temperatura de armazenamento | -55℃-+70℃ | |
| Peso | ≤20g | |
| Outros recursos | ADC DE 15 BITS INTEGRADO, faixa dinâmica ≥80dB | |
2. Recursos da tecnologia de imagem baseada na matriz de detectores SWIR
Os geradores de imagens SWIR InGaAs têm principalmente as seguintes características:
1) A imagem SWIR é baseada principalmente no princípio da imagem de luz refletida no alvo. A imagem tem as características de alto contraste de imagem e detalhes claros do alvo;
2) O gerador de imagens baseado em pontos quânticos SWIR é menos afetado pela dispersão atmosférica de longa distância de detecção efetiva e tem forte capacidade de penetrar neblina, neblina e fumaça. A adaptabilidade do detector SWIR às condições climáticas e ambientes de campo de batalha é superior à imagem de luz visível;
3) A irradiância do fóton é distribuída principalmente na banda SWIR de 1,0-1,8 um na visão noturna, tornando os detectores SWIR InGaAs para visão noturna no objetivo mais poderosos do que a imagem de visão noturna de luz visível;
4) Since the maturity of laser light source technology, SWIR InGaAs focal plane imaging has an obvious comparative advantage in stealth active imaging.
Para obter mais informações, entre em contato conosco pelo e-mail victorchan@powerwaywafer.com e powerwaymaterial@gmail.com.