O laser de poço quântico InGaAsN de longo comprimento de onda baseado em substrato de GaAs é uma das direções de desenvolvimento mais promissoras. As estruturas de laser InGaAsN são geralmente cultivadas por epitaxia por feixe molecular (MBE) ou deposição de vapor orgânico metálico (MOCVD). O material InGaNAs é um material promissor para lasers de cavidade vertical de comprimento de onda longo, que pode ser...
Destaques •Uma estrutura rebaixada foi usada nas células solares GaAs/Si para reduzir o caminho da corrente. •A resistência em série associada foi reduzida por uma estrutura rebaixada. •A perda de recombinação da portadora foi melhorada devido à estrutura recuada em forma de pirâmide. Neste estudo, camadas epitaxiais de células solares baseadas em GaAs foram cultivadas em substratos de Si usando um método molecular...
O processo de remoção epitaxial permite a separação das camadas do dispositivo III-V dos substratos de arsenieto de gálio e tem sido extensivamente explorado para evitar o alto custo dos dispositivos III-V através da reutilização dos substratos. Os processos convencionais de remoção epitaxial requerem várias etapas de pós-processamento para restaurar o substrato a uma condição epi-pronta. Aqui apresentamos um epitaxial ...
Crescimento epitaxial de baixa densidade de deslocamento de rosqueamento InSb em GaAs usando deslocamento interfacial desajustado periódico automontado Destaques •InSb de alta qualidade foi cultivado em GaAs pela MBE usando um método “livre de buffer”. •A energia de deformação é aliviada por deslocamentos desajustados interfaciais observados por TEM. •O tipo e a separação dos deslocamentos são consistentes com a previsão teórica. •O filme InSb é...
São relatados lasers emissores de borda de poço quântico (QW) InGaNAs / GaAs de alta potência e área ampla em substratos de GaAs na faixa de 1200 nm. As camadas epitaxiais dos wafers de laser InGaNAs / GaAs QW foram cultivadas em substratos n + -GaAs usando deposição de vapor químico metal-orgânico (MOCVD). A espessura das camadas InGaNAs/GaAs QW é 70 Å/1200 Å. O teor de índio (x)...