ZnO / Pt / filme de Ti em Si

ZnO / Pt / filme de Ti em Si

PAM XIAMEN offers ZnO/Pt/Ti coated Si wafer.

ZnO/Pt/Ti coated Si wafer ,4″x0.525mm,1sp P-type B-doped,( ZnO=150nm ,Pt=150nm Ti=20-40nm)

Silicon Wafer Specifications:

Film:         ZnO/Pt/Ti   thin film on Si (100) (P-type) substrate ,4″x0.525mm,1sp
ZnO=150nm,  ZnO film: c-axis, medium (001) orientation 
 Pt/Ti film: highly (111) orientation    Pt=150nm  Ti( Glue layer)=20-40 nm
Resistivity:                  1-10 ohm.cm
Substrate Size:            4″ diameter +/- 0.5 mm x 0.525 mm
Polish:                        one side polished
Surface roughness:      < 20 A RMS
Maximum Thermal Budget of Pt film: ~750 degree C / 1 hr

Para mais informações, visite nosso site:https://www.powerwaywafer.com,
envie-nos um e-mail parasales@powerwaywafer.com e powerwaymaterial@gmail.com

Fundada em 1990, a Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) é um fabricante líder de material semicondutor na China.A PAM-XIAMEN desenvolve tecnologias avançadas de crescimento de cristais e epitaxia, processos de fabricação, substratos projetados e dispositivos semicondutores.As tecnologias da PAM-XIAMEN permitem maior desempenho e menor custo de fabricação de wafer semicondutor.

PAM-XIAMEN develops advanced crystal growth and epitaxy technologies, range from the first generation Germanium wafer, second generation Gallium Arsenide with substrate growth and epitaxy on III-V silicon doped n-type semiconductor materials based on Ga, Al, In, As and P grown by MBE or MOCVD, to the third generation: Silicon carbide and Gallium Nitride for LED and power device application.

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