2009 yr work

Кто Мы

До 1990 года мы заявили, принадлежащий физике конденсированных сред исследовательский центр. В 1990 году центр начал Xiamen POWERWAY Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), в настоящее время является ведущим производителем полупроводникового соединения материала в Китае. РАМ-СЯМЫНЬ разрабатывает передовые роста кристаллов и технологии эпитаксии, диапазон от Германий пластины первого поколения, второго поколения арсенида галлия с ростом подложки и эпитаксии на ...

почему выбрали нас

null

Хорошее обслуживание продаж

Наша цель состоит в том, чтобы удовлетворить все ваши требования, независимо от того, как небольших заказов и как сложные вопросы, они могут быть, для поддержания устойчивого и прибыльного роста для каждого клиента с помощью наших квалифицированных продуктов и сытного обслуживания.
null

25+ лет опыта

С более чем 25 + лет опыта в области полупроводникового соединения материального и экспортного бизнеса, наша команда может гарантировать, что мы можем понять ваши требования и иметь дело с вашим проектом профессионально.
null

Надежное качество

Качество является нашим первым приоритетом. PAM-СЯМЫНЬ была ISO9001: 2008, владеет и разделяет четыре современных facories, которые могут обеспечить достаточно большой спектр квалифицированных продуктов для удовлетворения различных потребностей наших клиентов, и каждый заказ должен быть обработано с помощью нашей строгой системы контроля качества. Протокол испытаний предоставляется на каждую партию, и каждая из пластин являются гарантия.
null

Поддержка свободных и профессиональных технологий

Вы можете получить бесплатную услугу технологий от запроса до послепродажного обслуживания на основе наших 25+ опыта в полупроводниковой линии.
После более чем 20 лет накопления и развития, наша компания имеет очевидное преимущество в области технологических инноваций и талантах.
В будущем, мы должны ускорить темпы фактического действия, чтобы предоставить клиентам лучшие продукты и услуги

Доктор Чан - Генеральный директор Сямэнь POWERWAY Advanced Material Co., Ltd

Самые известные университеты и компании в мире доверяют нам

Partners

Последние новости

Каковы основные параметры эпитаксиальной пластины SiC?

What is the Key Parameters of SiC Epitaxial Wafer? The most basic and key parameters of SiC epitaxial materials are [...]

Зачем нам нужна эпитаксиальная пластина из карбида кремния?

Why do We Need Silicon Carbide Epitaxial Wafer? Silicon carbide epitaxial wafer is a kind of silicon carbide wafer [...]

Фононные свойства SiC-пластины

Phonon Properties of SiC Wafer Nanyang Technological University use our SiC wafer to research Phonon Properties. They research focused on [...]

Низкотемпературный выращенный InGaAs

Low Temperature Grown InGaAs  PAM-XIAMEN offer low temperature grown InGaAs on GaAs Substrate(LT-InGaAs) for InGaAs Photo Conductive antenna substrate for [...]

Одномодовый лазерный чип 980

980 Single Mode Laser Chip (PAM200827-LD) PAM XIAMEN offers 980 Single Mode Laser Chip   Powerwaywafer 980 Single mode laser chip property Minimum Typical Maximum Central Wavelength [...]

(20-2-1) Плоская отдельностоящая подложка из GaN из Si-GaN

(20-2-1) Plane Si-GaN Freestanding GaN Substrate PAM-XIAMEN offers (20-2-1) Plane Si-GaN Freestanding GaN Substrate Item PAM-FS-GAN(20-2-1)-SI Dimension 5 x 10 mm2 Thickness 380+/-50um Orientation (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° Conduction Type Semi-Insulating Resistivity (300K) >106 Ω·cm TTV ≤ 10 µm BOW BOW ≤ 10 µm Surface Roughness: Front side: Ra<0.2nm, epi-ready; Back side: Fine [...]

(20-2-1) Плоская отдельно стоящая подложка из GaN из N-GaN

(20-2-1) Plane N-GaN Freestanding GaN Substrate PAM-XIAMEN offers (20-2-1) Plane N-GaN Freestanding GaN Substrate Item PAM-FS-GAN(20-2-1)-N Dimension 5 x 10 mm2 Thickness 380+/-50um Orientation (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° Conduction Type N-type Resistivity (300K) < 0.05 Ω·cm TTV ≤ 10 µm BOW BOW ≤ 10 µm Surface Roughness: Front side: Ra<0.2nm, epi-ready; Back side: Fine [...]

(20-2-1) Плоская автономная подложка из GaN из U-GaN

(20-2-1) Plane U-GaN Freestanding GaN Substrate PAM-XIAMEN offers (20-2-1) Plane U-GaN Freestanding GaN Substrate Item PAM-FS-GAN(20-2-1)-U Dimension 5 x 10 mm2 Thickness 380+/-50um Orientation (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° Conduction Type N-type Resistivity (300K) < 0.1 Ω·cm TTV ≤ 10 µm BOW BOW ≤ 10 µm Surface Roughness: Front side: Ra<0.2nm, epi-ready; Back side: Fine [...]

Вопросы и ответы