2009 г. работы

Кто Мы

До 1990 года мы являлись собственником исследовательского центра физики конденсированного состояния. В 1990 году центр основал компанию Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), которая в настоящее время является ведущим производителем сложных полупроводниковых материалов в Китае. PAM-XIAMEN разрабатывает передовые технологии роста кристаллов и эпитаксии, начиная от германиевых пластин первого поколения до арсенида галлия второго поколения с выращиванием подложки и эпитаксией на…

Подробнее ...

почему выбрали нас

ноль

Хорошее обслуживание продаж

Наша цель - удовлетворить все ваши требования, независимо от того, насколько малы заказы и насколько сложны они могут быть вопросы, чтобы поддерживать устойчивый и прибыльный рост для каждого клиента за счет наших квалифицированных продуктов и удовлетворительного обслуживания.
ноль

25+ лет опыта

Обладая более чем 25-летним опытом работы в области полупроводниковых материалов и экспорта, наша команда может заверить вас, что мы понимаем ваши требования и профессионально справимся с вашим проектом.
ноль

Надежное качество

Качество - наш главный приоритет. PAM-XIAMEN имеет сертификат ISO9001: 2008, владеет четырьмя современными предприятиями, которые могут предоставить довольно большой ассортимент квалифицированной продукции для удовлетворения различных потребностей наших клиентов, и каждый заказ должен обрабатываться с помощью нашей строгой системы качества. Отчет об испытаниях предоставляется на каждую партию, и на каждую пластину дается гарантия.
ноль

Бесплатная и профессиональная техническая поддержка

Вы можете получить наши бесплатные технологические услуги от запроса до послепродажного обслуживания, основываясь на нашем более чем 25 опыте работы в области полупроводников.
После более чем 20 лет накопления и развития наша компания имеет очевидное преимущество в области технологических инноваций и кадрового резерва.
В будущем Нам необходимо ускорить темпы реальных действий, чтобы предоставлять клиентам более качественные продукты и услуги.

Доктор Чан - Генеральный директор компании Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd.

Нам доверяют самые известные университеты и компании мира

Партнеры
ФРАУНХОФЕР
SHARP
SBIR STTR
OSRAM
СИЛОВЫЕ ИНТЕГРАЦИИ
ЛОГОТИП ibm

Последние новости

High Voltage Power Supply

PAMDPU-1000-01 is a direct current power supply unit in low ripple, low thermal drift and long- term stability. It [...]

2021-11-26
Структура солнечного элемента, эпитаксиально выращенная на пластине InP

InP epitaxial wafers with solar cell structure that a p-InGaAs lattice matched to n-InP substrate can be provided by [...]

2021-11-19
Удельное сопротивление германия, измеренное линейным четырехточечным датчиком постоянного тока - критерий

The single crystal germanium is n type at room temperature, and the resistivity shows non-single dependence on temperature. When [...]

2021-11-10
Фотолитографическая маска

Photolithography chrome masks are for sale. According to the different substrate materials, it can be divided into quartz mask, [...]

2021-11-09
Заготовка для фотошаблона хрома

Photomask blank with antireflective chromium is available. Photomasks are mainly used in integrated circuits, flat panel displays (including LCD, [...]

2021-11-09
Хром фотошаблоны

Chrome photomask is available for transferring high-precision circuit design. The photomask is the pattern film in the chip manufacturing [...]

2021-11-05
Si MEMS Wafer, выращенная FZ

FZ grown high-resistance silicon wafer is offered by PAM-XIAMEN for the fabrication of MEMS (Micro-electro Mechanical System). Silicon wafer [...]

2021-11-03
Метод определения плотности дислокаций монокристаллического германия

This standard specifies the test method for the dislocation density of germanium single crystal. This standard method is applicable [...]

2021-11-02
Вопросы и ответы
Арсенид галлия облатки, P / P

Q: Please let us know if you could supply below wafer, qty 25/50/300. Gallium Arsenide wafers, P/P 150.00±0.25 mm) 6″Ø×650±25µm, VGF SI undoped GaAs:-[100-2.0°towards[110]]±0.5°, u > 4,000cm²/Vs, Both-sides-polished, 1 Flat 57.5±2.5 mm @ 110±°1, TTV<7µm, BOW<4µm, Warp<10µm, TIR<6µm, Certificate: obligatory, Sealed under nitrogen in single wafer cassette A: Yes, will check the [...]

2018-09-13meta-author
EPD для подложки из GaAs и эпитаксиальной пластины

В: Не могли бы вы посоветовать гарантированный EPD для указанных ниже субстратов и эпи? Пластины из арсенида галлия, P / E 2 ″ Ø × 380 ± 25 мкм, LEC SI, нелегированный GaAs: - [100] ± 0,5 °, n-тип Ro = (0,8E8-0,9E8) Ом · см, полировка с одной стороны, обратная сторона- с боковым матовым травлением, 2 плоскости, LT-GaAs EPI: 1-2 мкм, удельное сопротивление> 1E7 Ом-см, срок службы носителя <1ps, запаивается под азотом в одной пластинчатой ​​кассете. A: Плотность дислокации <1 × 10 ^ 6 см-2

2018-09-06meta-author