Кто Мы
До 1990 года мы заявили, принадлежащий физике конденсированных сред исследовательский центр. В 1990 году центр начал Xiamen POWERWAY Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), в настоящее время является ведущим производителем полупроводникового соединения материала в Китае. РАМ-СЯМЫНЬ разрабатывает передовые роста кристаллов и технологии эпитаксии, диапазон от Германий пластины первого поколения, второго поколения арсенида галлия с ростом подложки и эпитаксии на ...
почему выбрали нас
Хорошее обслуживание продаж
25+ лет опыта
Надежное качество
Поддержка свободных и профессиональных технологий
После более чем 20 лет накопления и развития, наша компания имеет очевидное преимущество в области технологических инноваций и талантах.
В будущем, мы должны ускорить темпы фактического действия, чтобы предоставить клиентам лучшие продукты и услуги
Доктор Чан - Генеральный директор Сямэнь POWERWAY Advanced Material Co., Ltd
Самые известные университеты и компании в мире доверяют нам
Последние новости
On-Demand Генерация одного кремния Вакансии Дефекты в карбиде кремния
We are an expert of semiconductor wafers in semiconductor industry, and we offer technology support and wafers selling for thousands of univerisities and industrial customers by our decades experience, including Cornell University, Stanford Univeristy,Peking University, Shandong Univerity, university of south carolina,Caltech Faraon lab (USA）,University of California, Irvine (USA),Singapore MIT Alliance for Research and Technology Centre (SMART),West Virginia University,Purdue Univerity, University of California, Los Angeles,King Abdullah University of Science & Technology,Massachusetts Institute of Technology,University of Houston,University of Wisconsin,University of Science and Technology of China etc. And now we show one article example as follows, who [...]
GaN, светодиоды изготовлены с использованием плазмы SF6 RIE
We are an expert of semiconductor wafers in semiconductor industry, and we offer technology support and wafers selling for thousands of univerisities and industrial customers by our decades experience, including Cornell University, Stanford Univeristy,Peking University, Shandong Univerity, university of south carolina,Caltech Faraon lab (USA）,University of California, Irvine (USA),Singapore MIT Alliance for Research and Technology Centre (SMART),West Virginia University,Purdue Univerity, University of California, Los Angeles,King Abdullah University of Science & Technology,Massachusetts Institute of Technology,University of Houston,University of Wisconsin,University of Science and Technology of China etc. And now we show one article example as follows, who [...]
Роль Si в поверхностном Damage механизме РБ-SiC, Si / Под механической нагрузкой
We are an expert of semiconductor wafers in semiconductor industry, and we offer technology support and wafers selling for thousands of univerisities and industrial customers by our decades experience, including Cornell University, Stanford Univeristy,Peking University, Shandong Univerity, university of south carolina,Caltech Faraon lab (USA）,University of California, Irvine (USA),Singapore MIT Alliance for Research and Technology Centre (SMART),West Virginia University,Purdue Univerity, University of California, Los Angeles,King Abdullah University of Science & Technology,Massachusetts Institute of Technology,University of Houston,University of Wisconsin,University of Science and Technology of China etc. And now we show one article example as follows, who [...]
Структурные модификации и зонного Tunning кубической AlN тонкой пленки ионами углерода облучений
We are an expert of semiconductor wafers in semiconductor industry, and we offer technology support and wafers selling for thousands of univerisities and industrial customers by our decades experience, including Cornell University, Stanford Univeristy,Peking University, Shandong Univerity, university of south carolina,Caltech Faraon lab (USA）,University of California, Irvine (USA),Singapore MIT Alliance for Research and Technology Centre (SMART),West Virginia University,Purdue Univerity, University of California, Los Angeles,King Abdullah University of Science & Technology,Massachusetts Institute of Technology,University of Houston,University of Wisconsin,University of Science and Technology of China etc. And now we show one article example as follows, who [...]
Неразрушающая оценка распределения деформации в области выбрана-He + ионе облучает 4H-SiC
Мы эксперт полупроводниковых пластин в полупроводниковой промышленности, а также мы предлагаем техническую поддержку и вафель, продающих тысячи univerisities и промышленных потребителей по нашему опыту десятилетий, в том числе Корнельского университета, Стэнфордского Univeristy, Пекинский университет, Шаньдун Univerity, Университет Южной Каролины, Калифорнийский технологический институт Фараон лаборатории (США), Калифорнийский университет в Ирвине (США), Сингапуре MIT Альянс исследований и технологий центра (SMART), West Virginia University, Purdue Univerity, Калифорнийский университет, Лос-Анджелес, король Абдулла университет науки и технологии, Массачусетс технологический институт, университет Хьюстона, университет штата Висконсин, университет науки и техники Китая и т.д. а теперь мы покажем, [...]
Портняжничать структурные и оптические характеристики InGaN / GaN многослойных тонких пленок Si 12 МэВ ионов облучений
Мы эксперт полупроводниковых пластин в полупроводниковой промышленности, а также мы предлагаем техническую поддержку и вафель, продающих тысячи univerisities и промышленных потребителей по нашему опыту десятилетий, в том числе Корнельского университета, Стэнфордского Univeristy, Пекинский университет, Шаньдун Univerity, Университет Южной Каролины, Калифорнийский технологический институт Фараон лаборатории (США), Калифорнийский университет в Ирвине (США), Сингапуре MIT Альянс исследований и технологий центра (SMART), West Virginia University, Purdue Univerity, Калифорнийский университет, Лос-Анджелес, король Абдулла университет науки и технологии, Массачусетс технологический институт, университет Хьюстона, университет штата Висконсин, университет науки и техники Китая и т.д. а теперь мы покажем, [...]
New research of SiC and GaN technology
New research of SiC and GaN technology along with LED technology can be shared, and we can send you [...]
4H-SiC p–i–n diodes grown by sublimation epitaxy in vacuum (SEV) and their application as microwave diodes
Sublimation epitaxy under vacuum (SEV) was investigated as a method for growing 4H-SiC epitaxial structures for p–i–n diode fabrication. [...]
Арсенид галлия облатки, P / P
Вопрос: Пожалуйста, дайте нам знать, если вы могли бы поставить под пластиной, Qty 25/50/300. Арсенид галлия вафель, P / P 150,00 ± 0,25 мм) 6 "× диаметр 650 ± 25 мкм, ВГФ SI нелегированных GaAs: - [100-2.0 ° в направлении [110]] ± 0,5 °, и> 4,000cm² / Vs, обе стороны- -polished, 1 Плоские 57,5 ± 2,5 мм @ 110 ± 1 °, ТТВ <7 мкм, ЛУК <4 мкм, Деформация <10 мкм, МДП <6 мкм, Сертификат: обязательно, герметичная в атмосфере азота в одной пластины кассеты A: Да, будет проверять [ ...]
EPD для GaAs подложки и эпитаксиальных вафельного
Вопрос: Не могли бы вы, пожалуйста, рекомендуем гарантированно EPD для ниже субстрата и эпи? Арсенид галлия вафель, P / E 2 "× Ø 380 ± 25 мкм, LEC SI нелегированных GaAs: - [100] ± 0,5 °, п-типа Ро = (0.8E8-0.9E8) Ohmcm, Односторонняя полировкой, обратно- матовая сторона травлению, 2 квартиры, LT-GaAs, EPI: 1-2μm, удельное сопротивление> 1E7 Ом-см, срок службы несущей <1ps, герметичная в атмосфере азота в одной кассете пластин. А: Плотность дислокаций <1 × 10 ^ 6 см-2
2 "LT-GaAs, вафельные
Вопрос: Мы хотели бы купить LT-GaAs, не могли бы вы рекомендовать спецификации, которые подходят для применения? А: 2 "LT-GaAs вафельные Спецификация: Diamater (мм) Ф 50,8 ± 1 мм Толщина 1-2um Marco Дефект Density≤ 5 см-2 Удельное сопротивление (300K)> 10 ^ 8 Ом-см жизни носителей <1ps или 15ps плотность дислокаций <1 × 10 ^ 6 см-2 Полезная площадь Area≥80% Полировка: Односторонний полированные субстрат: GaAs подложки