Кто Мы

До 1990 года мы заявили, принадлежащий физике конденсированных сред исследовательский центр. В 1990 году центр начал Xiamen POWERWAY Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), в настоящее время является ведущим производителем полупроводникового соединения материала в Китае. РАМ-СЯМЫНЬ разрабатывает передовые роста кристаллов и технологии эпитаксии, диапазон от Германий пластины первого поколения, второго поколения арсенида галлия с ростом подложки и эпитаксии на ...

почему выбрали нас

null

Хорошее обслуживание продаж

Наша цель состоит в том, чтобы удовлетворить все ваши требования, независимо от того, как небольших заказов и как сложные вопросы, они могут быть, для поддержания устойчивого и прибыльного роста для каждого клиента с помощью наших квалифицированных продуктов и сытного обслуживания.
null

25+ лет опыта

С более чем 25 + лет опыта в области полупроводникового соединения материального и экспортного бизнеса, наша команда может гарантировать, что мы можем понять ваши требования и иметь дело с вашим проектом профессионально.
null

Надежное качество

Качество является нашим первым приоритетом. PAM-СЯМЫНЬ была ISO9001: 2008, владеет и разделяет четыре современных facories, которые могут обеспечить достаточно большой спектр квалифицированных продуктов для удовлетворения различных потребностей наших клиентов, и каждый заказ должен быть обработано с помощью нашей строгой системы контроля качества. Протокол испытаний предоставляется на каждую партию, и каждая из пластин являются гарантия.
null

Поддержка свободных и профессиональных технологий

Вы можете получить бесплатную услугу технологий от запроса до послепродажного обслуживания на основе наших 25+ опыта в полупроводниковой линии.
После более чем 20 лет накопления и развития, наша компания имеет очевидное преимущество в области технологических инноваций и талантах.
В будущем, мы должны ускорить темпы фактического действия, чтобы предоставить клиентам лучшие продукты и услуги

Доктор Чан - Генеральный директор Сямэнь POWERWAY Advanced Material Co., Ltd

Самые известные университеты и компании в мире доверяют нам

Partners

Последние новости

Электронные и магнитные свойства GaN / МНН / GaN и МНН / GaN / прослоек МНН

In this work we execute computational calculations to investigate the structural, electronic and magnetic properties of the GaN/MnN/GaN and [...]

N Тип GaN

2″GaN Free-standing Substrate Item      PAM-FS-GaN50-N Conduction Type N-type Size 2″(50.8)+/-1mm Thickness 300+/-25um Orientation C-axis(0001)+/-0.5o Primary Flat Location (1-100)+/-0.5o Primary Flat Length 16+/-1mm Secondary Flat Location (11-20)+/-3o Secondary Flat Length 8+/-1mm Resistivity(300K) <0.5Ω·cm Dislocation Density <5×106cm-2 Marco Defect Density A grade<=2cm-2 B grade>2cm-2 TTV <=15um BOW <=20um Surface Finish Front Surface:Ra<0.2nm.Epi-ready [...]

Нитрид Semiconductor вафельные

Nitride Semiconductor Wafer  Free-standing Gallium Nitride  Item No. Type Orientation Thickness Grade Micro Defect Density Surface Usable area          N-Type   PAM-FS-GaN50-N 2″ N type 0°±0.5° 300±25um A/B 0/<2/cm2 P/P or P/L >90%  PAM-FS-GaN45-N dia.45mm,N type 0°±0.5° 300±25um A/B 0/<2/cm2 P/P or P/L >90%  PAM-FS-GaN40-N dia.40mm,N type 0°±0.5° 300±25um A/B 0/<2/cm2 P/P or [...]

GaN-подложка

What we provide: Item undoped N- Si doped N+ Semi-insulating P+ Freestanding GaN substrate yes yes yes GaN on sapphire yes yes yes yes InGaN on sapphire yes *** AlN on sapphire yes LED wafer (p+GaN/MOW/N+GaN/N-AlGaN/N+GaN/N-GaN/sapphire) Freestanding GaN substrate/GaN on sapphire/LED [...]

4 "FZ Prime Silicon Вафли-6

PAM XIAMEN offers4″ FZ Prime Silicon Wafer-6 Substrate Monocrystalline Silicon Diameter 100 ±0.3mm Growth method Fz Lifetime>1000µsec Thickness 600± 25µm Type/DopantN/Phosphorus Orientation[110]±0.5° Resistivity>5,000 Ωcm TTV<10µm Bow/Warp<40µm Primary Flat Location@[111]±<0.25° Primary Flat [...]

6 "CZ Prime вафельные 1

PAM XIAMEN offers6″ CZ Prime Wafer 1 6 inch Prime CZ-Si wafer 6 inch (+/- 0.5 mm), thickness = 200 [...]

4″ CZ Prime Silicon Wafer Thickness = 200 ± 25 µm-3

PAM XIAMEN offers4″ CZ Prime Silicon Wafer Thickness = 200 ± 25 µm-3 4inch Prime CZ-Si wafer 4 inch (+/- [...]

8″ Silicon Wafer-3

PAM XIAMEN offers8″ Silicon Wafer-3 Silicon Wafer P-Type Diameter 200.00±0.5 mm Thickness 725±50μm Dislocation density < 10-2 cm-2 Dopant – Boron Resistivity- 10-40 Ω.cm Notch SEMI STD Chamfer [...]

faqs