Полупроводниковые пластины, монокристалл пластина, пластина субстрат-СЯМЫНЬ POWERWAY

Кто Мы

До 1990 года мы заявили, принадлежащий физике конденсированных сред исследовательский центр. В 1990 году центр начал Xiamen POWERWAY Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), в настоящее время является ведущим производителем полупроводникового соединения материала в Китае. РАМ-СЯМЫНЬ разрабатывает передовые роста кристаллов и технологии эпитаксии, диапазон от Германий пластины первого поколения, второго поколения арсенида галлия с ростом подложки и эпитаксии на ...

Подробнее ...

почему выбрали нас

Хорошее обслуживание продаж

Наша цель состоит в том, чтобы удовлетворить все ваши требования, независимо от того, как небольших заказов и как сложные вопросы, они могут быть, для поддержания устойчивого и прибыльного роста для каждого клиента с помощью наших квалифицированных продуктов и сытного обслуживания.

25+ лет опыта

С более чем 25 + лет опыта в области полупроводникового соединения материального и экспортного бизнеса, наша команда может гарантировать, что мы можем понять ваши требования и иметь дело с вашим проектом профессионально.

Надежное качество

Качество является нашим первым приоритетом. PAM-СЯМЫНЬ была ISO9001: 2008, владеет и разделяет четыре современных facories, которые могут обеспечить достаточно большой спектр квалифицированных продуктов для удовлетворения различных потребностей наших клиентов, и каждый заказ должен быть обработано с помощью нашей строгой системы контроля качества. Протокол испытаний предоставляется на каждую партию, и каждая из пластин являются гарантия.

Поддержка свободных и профессиональных технологий

Вы можете получить бесплатную услугу технологий от запроса до послепродажного обслуживания на основе наших 25+ опыта в полупроводниковой линии.

После более чем 20 лет накопления и развития, наша компания имеет очевидное преимущество в области технологических инноваций и талантах.
В будущем, мы должны ускорить темпы фактического действия, чтобы предоставить клиентам лучшие продукты и услуги

Доктор Чан - Генеральный директор Сямэнь POWERWAY Advanced Material Co., Ltd

Самые известные университеты и компании в мире доверяют нам

Последние новости

Каковы основные параметры эпитаксиальной пластины SiC?

What is the Key Parameters of SiC Epitaxial Wafer? The most basic and key parameters of SiC epitaxial materials are [...]

2020-09-22

Зачем нам нужна эпитаксиальная пластина из карбида кремния?

Why do We Need Silicon Carbide Epitaxial Wafer? Silicon carbide epitaxial wafer is a kind of silicon carbide wafer [...]

2020-09-22

Фононные свойства SiC-пластины

Phonon Properties of SiC Wafer Nanyang Technological University use our SiC wafer to research Phonon Properties. They research focused on [...]

2020-09-21

Низкотемпературный выращенный InGaAs

Low Temperature Grown InGaAs PAM-XIAMEN offer low temperature grown InGaAs on GaAs Substrate(LT-InGaAs) for InGaAs Photo Conductive antenna substrate for [...]

2020-09-16

Одномодовый лазерный чип 980

980 Single Mode Laser Chip (PAM200827-LD) PAM XIAMEN offers 980 Single Mode Laser Chip Powerwaywafer 980 Single mode laser chip property Minimum Typical Maximum Central Wavelength [...]

2020-09-16

(20-2-1) Плоская отдельностоящая подложка из GaN из Si-GaN

(20-2-1) Plane Si-GaN Freestanding GaN Substrate PAM-XIAMEN offers (20-2-1) Plane Si-GaN Freestanding GaN Substrate Item PAM-FS-GAN(20-2-1)-SI Dimension 5 x 10 mm2 Thickness 380+/-50um Orientation (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° Conduction Type Semi-Insulating Resistivity (300K) >106 Ω·cm TTV ≤ 10 µm BOW BOW ≤ 10 µm Surface Roughness: Front side: Ra<0.2nm, epi-ready; Back side: Fine [...]

2020-09-02

(20-2-1) Плоская отдельно стоящая подложка из GaN из N-GaN

(20-2-1) Plane N-GaN Freestanding GaN Substrate PAM-XIAMEN offers (20-2-1) Plane N-GaN Freestanding GaN Substrate Item PAM-FS-GAN(20-2-1)-N Dimension 5 x 10 mm2 Thickness 380+/-50um Orientation (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° Conduction Type N-type Resistivity (300K) < 0.05 Ω·cm TTV ≤ 10 µm BOW BOW ≤ 10 µm Surface Roughness: Front side: Ra<0.2nm, epi-ready; Back side: Fine [...]

2020-09-02

(20-2-1) Плоская автономная подложка из GaN из U-GaN

(20-2-1) Plane U-GaN Freestanding GaN Substrate PAM-XIAMEN offers (20-2-1) Plane U-GaN Freestanding GaN Substrate Item PAM-FS-GAN(20-2-1)-U Dimension 5 x 10 mm2 Thickness 380+/-50um Orientation (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° Conduction Type N-type Resistivity (300K) < 0.1 Ω·cm TTV ≤ 10 µm BOW BOW ≤ 10 µm Surface Roughness: Front side: Ra<0.2nm, epi-ready; Back side: Fine [...]

2020-09-02

Арсенид галлия облатки, P / P

Вопрос: Пожалуйста, дайте нам знать, если вы могли бы поставить под пластиной, Qty 25/50/300. Арсенид галлия вафель, P / P 150,00 ± 0,25 мм) 6 "× диаметр 650 ± 25 мкм, ВГФ SI нелегированных GaAs: - [100-2.0 ° в направлении [110]] ± 0,5 °, и> 4,000cm² / Vs, обе стороны- -polished, 1 Плоские 57,5 ± 2,5 мм @ 110 ± 1 °, ТТВ <7 мкм, ЛУК <4 мкм, Деформация <10 мкм, МДП <6 мкм, Сертификат: обязательно, герметичная в атмосфере азота в одной пластины кассеты A: Да, будет проверять [ ...]

2018-09-13мета-автор

EPD для GaAs подложки и эпитаксиальных вафельного

Вопрос: Не могли бы вы, пожалуйста, рекомендуем гарантированно EPD для ниже субстрата и эпи? Арсенид галлия вафель, P / E 2 "× Ø 380 ± 25 мкм, LEC SI нелегированных GaAs: - [100] ± 0,5 °, п-типа Ро = (0.8E8-0.9E8) Ohmcm, Односторонняя полировкой, обратно- матовая сторона травлению, 2 квартиры, LT-GaAs, EPI: 1-2μm, удельное сопротивление> 1E7 Ом-см, срок службы несущей <1ps, герметичная в атмосфере азота в одной кассете пластин. А: Плотность дислокаций <1 × 10 ^ 6 см-2

2018-09-06мета-автор

2 "LT-GaAs, вафельные

Вопрос: Мы хотели бы купить LT-GaAs, не могли бы вы рекомендовать спецификации, которые подходят для применения? А: 2 "LT-GaAs вафельные Спецификация: Diamater (мм) Ф 50,8 ± 1 мм Толщина 1-2um Marco Дефект Density≤ 5 см-2 Удельное сопротивление (300K)> 10 ^ 8 Ом-см жизни носителей <1ps или 15ps плотность дислокаций <1 × 10 ^ 6 см-2 Полезная площадь Area≥80% Полировка: Односторонний полированные субстрат: GaAs подложки

2018-07-25мета-автор