Кто Мы

До 1990 года мы заявили, принадлежащий физике конденсированных сред исследовательский центр. В 1990 году центр начал Xiamen POWERWAY Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), в настоящее время является ведущим производителем полупроводникового соединения материала в Китае. РАМ-СЯМЫНЬ разрабатывает передовые роста кристаллов и технологии эпитаксии, диапазон от Германий пластины первого поколения, второго поколения арсенида галлия с ростом подложки и эпитаксии на ...

Подробнее ...

почему выбрали нас

null

Хорошее обслуживание продаж

Наша цель состоит в том, чтобы удовлетворить все ваши требования, независимо от того, как небольших заказов и как сложные вопросы, они могут быть, для поддержания устойчивого и прибыльного роста для каждого клиента с помощью наших квалифицированных продуктов и сытного обслуживания.
null

25+ лет опыта

С более чем 25 + лет опыта в области полупроводникового соединения материального и экспортного бизнеса, наша команда может гарантировать, что мы можем понять ваши требования и иметь дело с вашим проектом профессионально.
null

Надежное качество

Качество является нашим первым приоритетом. PAM-СЯМЫНЬ была ISO9001: 2008, владеет и разделяет четыре современных facories, которые могут обеспечить достаточно большой спектр квалифицированных продуктов для удовлетворения различных потребностей наших клиентов, и каждый заказ должен быть обработано с помощью нашей строгой системы контроля качества. Протокол испытаний предоставляется на каждую партию, и каждая из пластин являются гарантия.
null

Поддержка свободных и профессиональных технологий

Вы можете получить бесплатную услугу технологий от запроса до послепродажного обслуживания на основе наших 25+ опыта в полупроводниковой линии.
После более чем 20 лет накопления и развития, наша компания имеет очевидное преимущество в области технологических инноваций и талантах.
В будущем, мы должны ускорить темпы фактического действия, чтобы предоставить клиентам лучшие продукты и услуги

Доктор Чан - Генеральный директор Сямэнь POWERWAY Advanced Material Co., Ltd

Самые известные университеты и компании в мире доверяют нам

Partners

Последние новости

(Приглашен) Штамм Engineered Crack-Free GaN на Si для интегрированных вертикальных высокой мощности GaN устройств с Si CMOS

Способность к росту тонких слоев GaN на подложках Si приводит к развитию латеральной высокой мощности [...]

2020-01-20
Гетероэпитаксиальный Рост SiC на Si (100) и (111) метода химического осаждения из паровой фазы Использования триметилсилана

Гетероэпитаксиальные роста 3C-SiC на Si метода химического осаждения из паровой фазы были исследованы с использованием триметилсилана предшественника. Для оптимизации [...]

2020-01-20
Топ 10 Публикация в области микроэлектроники и электронной упаковки по Цитирование

Топ 10 Публикация в области микроэлектроники и электронной упаковки по Citation сообщение: PAM-Сямынь, дата: Jan 13,2020 PAM-СЯМЫНЬ составил топ 10 [...]

2020-01-13
Анализ следовых уровней Ge переносили в Si вафельных поверхности во SiGe вафельных обработки

Влияние уровней следовых Ge переносили на поверхности Si в процессе термической обработки SiGe пластин представлены здесь. [...]

2020-01-13
Изготовление и Термальный бюджет Соображение Advanced Ge и InP подошвы подложек

Кремния на подложке Lattice Engineered (СОЛЕС) Платформа позволяет монолитной интеграции III-V полупроводникового соединения (III-V) и кремний (Si), [...]

2020-01-13
Селективный эпитаксиальный рост SiC: Термодинамический анализ SiC-Cl-H и SiC-Cl-H-O система

Термодинамический анализ был проведен, чтобы определить условия, необходимые для селективного эпитаксиального роста (SEG) из карбида кремния на маскируется Si [...]

2020-01-07
Двумерные массивы нанометрового масштаба отверстий и нано-V-образных канавок в окисленных подложках Si для селективного роста Ge точек или Ge / Si гетеро-нанокристаллов

Двумерная (2D) массивов масштаба отверстий нанометрового были открыты в тонких слоях SiO2 на кремнии с помощью электронно-лучевой литографии и [...]

2020-01-07
2018 ТОП 100 высшего образования США R & D РАСХОДЫ

2018 TOP 100 US ВУЗЫ R & D РАСХОДЫ вывесить даты РАМ-СЯМЫНЬ: Jan 03,2020 Университет является важным исследований и разработок при условии [...]

2020-01-03
faqs
Арсенид галлия облатки, P / P

Вопрос: Пожалуйста, дайте нам знать, если вы могли бы поставить под пластиной, Qty 25/50/300. Арсенид галлия вафель, P / P 150,00 ± 0,25 мм) 6 "× диаметр 650 ± 25 мкм, ВГФ SI нелегированных GaAs: - [100-2.0 ° в направлении [110]] ± 0,5 °, и> 4,000cm² / Vs, обе стороны- -polished, 1 Плоские 57,5 ​​± 2,5 мм @ 110 ± 1 °, ТТВ <7 мкм, ЛУК <4 мкм, Деформация <10 мкм, МДП <6 мкм, Сертификат: обязательно, герметичная в атмосфере азота в одной пластины кассеты A: Да, будет проверять [ ...]

2018-09-13мета-автор
EPD для GaAs подложки и эпитаксиальных вафельного

Вопрос: Не могли бы вы, пожалуйста, рекомендуем гарантированно EPD для ниже субстрата и эпи? Арсенид галлия вафель, P / E 2 "× Ø 380 ± 25 мкм, LEC SI нелегированных GaAs: - [100] ± 0,5 °, п-типа Ро = (0.8E8-0.9E8) Ohmcm, Односторонняя полировкой, обратно- матовая сторона травлению, 2 квартиры, LT-GaAs, EPI: 1-2μm, удельное сопротивление> 1E7 Ом-см, срок службы несущей <1ps, герметичная в атмосфере азота в одной кассете пластин. А: Плотность дислокаций <1 × 10 ^ 6 см-2

2018-09-06мета-автор
2 "LT-GaAs, вафельные

Вопрос: Мы хотели бы купить LT-GaAs, не могли бы вы рекомендовать спецификации, которые подходят для применения? А: 2 "LT-GaAs вафельные Спецификация: Diamater (мм) Ф 50,8 ± 1 мм Толщина 1-2um Marco Дефект Density≤ 5 см-2 Удельное сопротивление (300K)> 10 ^ 8 Ом-см жизни носителей <1ps или 15ps плотность дислокаций <1 × 10 ^ 6 см-2 Полезная площадь Area≥80% Полировка: Односторонний полированные субстрат: GaAs подложки

2018-07-25мета-автор