2009 г. работы

Кто Мы

До 1990 года мы являлись собственником исследовательского центра физики конденсированного состояния. В 1990 году центр основал компанию Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), которая в настоящее время является ведущим производителем сложных полупроводниковых материалов в Китае. PAM-XIAMEN разрабатывает передовые технологии роста кристаллов и эпитаксии, начиная от германиевых пластин первого поколения до арсенида галлия второго поколения с выращиванием подложки и эпитаксией на…

Подробнее ...

почему выбрали нас

ноль

Хорошее обслуживание продаж

Наша цель - удовлетворить все ваши требования, независимо от того, насколько малы заказы и насколько сложны они могут быть вопросы, чтобы поддерживать устойчивый и прибыльный рост для каждого клиента за счет наших квалифицированных продуктов и удовлетворительного обслуживания.
ноль

25+ лет опыта

Обладая более чем 25-летним опытом работы в области полупроводниковых материалов и экспорта, наша команда может заверить вас, что мы понимаем ваши требования и профессионально справимся с вашим проектом.
ноль

Надежное качество

Качество - наш главный приоритет. PAM-XIAMEN имеет сертификат ISO9001: 2008, владеет четырьмя современными предприятиями, которые могут предоставить довольно большой ассортимент квалифицированной продукции для удовлетворения различных потребностей наших клиентов, и каждый заказ должен обрабатываться с помощью нашей строгой системы качества. Отчет об испытаниях предоставляется на каждую партию, и на каждую пластину дается гарантия.
ноль

Бесплатная и профессиональная техническая поддержка

Вы можете получить наши бесплатные технологические услуги от запроса до послепродажного обслуживания, основываясь на нашем более чем 25 опыте работы в области полупроводников.
После более чем 20 лет накопления и развития наша компания имеет очевидное преимущество в области технологических инноваций и кадрового резерва.
В будущем Нам необходимо ускорить темпы реальных действий, чтобы предоставлять клиентам более качественные продукты и услуги.

Доктор Чан - Генеральный директор компании Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd.

Нам доверяют самые известные университеты и компании мира

Партнеры
ФРАУНХОФЕР
SHARP
SBIR STTR
OSRAM
СИЛОВЫЕ ИНТЕГРАЦИИ
ЛОГОТИП ibm

Последние новости

405nm GaN Laser Diode Wafer

Group III nitride materials are a kind of direct band gap materials, which have the advantages of wide band [...]

2022-11-25
GaN Fabrication Services for HEMT Devices

PAM-XIAMEN supplies GaN HEMT epitaxial wafers and GaN fabrication services. Our GaN fabrication services supplied include front-end process and [...]

2022-11-23
Услуги GaN Foundry для изготовления светодиодов

PAM-XIAMEN can offer LED epitaxy wafers and is able to offer GaN foundry services & supplies for LEDs. The [...]

2022-11-22
Лазерная пластина высокой мощности 1060 нм

InGaAs quantum well (QW), as a commonly used two-dimensional material in near-infrared band, has important applications in semiconductor lasers, [...]

2022-10-28
Структура фотодиода InGaAs

Ternary compound semiconductor material InxGa1-xAs is a mixed solid solution formed by GaAs and InAs. It is a sphalerite [...]

2022-10-19
УФ-светодиодная пластина AlGaN

AlGaN is a direct wide band gap semiconductor material. By changing the composition of AlGaN material, the band gap [...]

2022-10-14
Положительная светодиодная пластина на основе GaAs-подложки

GaAs-based AlGaInP red LED epi-wafer is a common visible light LED material that has been widely developed in recent [...]

2022-10-09
Идентификация содержания металлических примесей в моно- и поликристаллических кристаллах кремния

Примесные элементы в материалах из кристаллического кремния в основном включают неметаллические примеси, такие как углерод, кислород, бор и фосфор, [...]

2022-09-27
Вопросы и ответы
Арсенид галлия облатки, P / P

Q: Пожалуйста, дайте нам знать, если вы можете поставить пластину ниже, количество 25/50/300. Пластины арсенида галлия, P/P 150,00±0,25 мм) 6″Ø×650±25 мкм, VGF SI, нелегированный GaAs:-[100-2,0° в направлении [110]]]±0,5°, u > 4000 см²/Вс, обе стороны -полированный, 1 плоскость 57,5±2,5 мм при 110±°1, TTV<7 мкм, BOW<4 мкм, Warp<10 мкм, TIR<6 мкм, сертификат: обязателен, запечатан азотом в кассете с одной пластиной A: Да, проверим [ ...]

2018-09-13meta-author
EPD для подложки GaAs

PAM-XIAMEN can supply GaAs wafer with EPD less than 5000/cm2. Q: Could you please advise guaranteed EPD for below substrate and epi? Gallium Arsenide wafers, P/E 2″Ø×380±25µm, LEC SI undoped GaAs:-[100]±0.5°, n-type Ro=(0.8E8-0.9E8)Ohmcm, One-side-polished, back-side matte etched, 2 Flats, LT-GaAs EPI: 1-2µm, Resistivity >1E7 Ohm-cm, Carrier [...]

2018-09-06meta-author