2009 г. работы

Кто Мы

До 1990 года мы являлись собственником исследовательского центра физики конденсированного состояния. В 1990 году центр основал компанию Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), которая в настоящее время является ведущим производителем сложных полупроводниковых материалов в Китае. PAM-XIAMEN разрабатывает передовые технологии роста кристаллов и эпитаксии, начиная от германиевых пластин первого поколения до арсенида галлия второго поколения с выращиванием подложки и эпитаксией на…

Подробнее ...

почему выбрали нас

ноль

Хорошее обслуживание продаж

Наша цель - удовлетворить все ваши требования, независимо от того, насколько малы заказы и насколько сложны они могут быть вопросы, чтобы поддерживать устойчивый и прибыльный рост для каждого клиента за счет наших квалифицированных продуктов и удовлетворительного обслуживания.
ноль

25+ лет опыта

Обладая более чем 25-летним опытом работы в области полупроводниковых материалов и экспорта, наша команда может заверить вас, что мы понимаем ваши требования и профессионально справимся с вашим проектом.
ноль

Надежное качество

Качество - наш главный приоритет. PAM-XIAMEN имеет сертификат ISO9001: 2008, владеет четырьмя современными предприятиями, которые могут предоставить довольно большой ассортимент квалифицированной продукции для удовлетворения различных потребностей наших клиентов, и каждый заказ должен обрабатываться с помощью нашей строгой системы качества. Отчет об испытаниях предоставляется на каждую партию, и на каждую пластину дается гарантия.
ноль

Бесплатная и профессиональная техническая поддержка

Вы можете получить наши бесплатные технологические услуги от запроса до послепродажного обслуживания, основываясь на нашем более чем 25 опыте работы в области полупроводников.
После более чем 20 лет накопления и развития наша компания имеет очевидное преимущество в области технологических инноваций и кадрового резерва.
В будущем Нам необходимо ускорить темпы реальных действий, чтобы предоставлять клиентам более качественные продукты и услуги.

Доктор Чан - Генеральный директор компании Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd.

Нам доверяют самые известные университеты и компании мира

Партнеры
ФРАУНХОФЕР
SHARP
SBIR STTR
OSRAM
СИЛОВЫЕ ИНТЕГРАЦИИ
ЛОГОТИП ibm

Последние новости

Как PAM-XIAMEN выращивает эпитаксиальные пластины GaN-светодиодов?

Gallium Nitride (GaN) is the basic material of blue LED and has important applications in LED and ultraviolet laser. PAM-XIAMEN [...]

2023-04-26
Выращивание кремниевых пластин для изготовления фотодетекторов

Монокристаллический кремний широко используется в микроэлектронике из-за его низкой стоимости, отработанного производственного процесса, высокой мобильности [...]

2023-04-14
Пластина лазерного диода 1300 нм

PAM-XIAMEN может предоставить лазерную структуру InP с квантовой ямой InAlGaAs для лазеров с длиной волны 1300 нм. Системы материалов с квантовыми ямами InGaAsP/InP и AlGaInAs/InP стали [...]

2023-04-04
200-мм SiC-пластины

Монокристаллы карбида кремния (SiC) находятся в авангарде цепочки производства карбида кремния и являются основой [...]

2023-03-31
Эпитаксия тонких пленок AlGaAs для фотонных интегральных микросхем

GaAs представляет собой типичный прямозонный полупроводниковый материал III-V с превосходными оптоэлектронными свойствами и высокой подвижностью, что делает [...]

2023-03-24
SiC Epi Wafer для МОП-конденсатора

Благодаря отличной электрической, термической и радиационной стойкости карбид кремния стал потенциальным материалом для [...]

2023-03-17
Поликристаллическая пластина GaAs

Полупроводниковые материалы GaAs в основном используются в активных устройствах оптической связи, полупроводниковых светоизлучающих диодах (СИД), высокоэффективных [...]

2023-03-03
Гетероструктура InGaN/GaN

III-нитриды в основном состоят из InN-GaN-AlN и его сплавов, из которых InGaN является наиболее важным и широко используемым. [...]

2023-02-16
Вопросы и ответы
Арсенид галлия облатки, P / P

Q: Пожалуйста, дайте нам знать, если вы можете поставить пластину ниже, количество 25/50/300. Пластины арсенида галлия, P/P 150,00±0,25 мм) 6″Ø×650±25 мкм, VGF SI, нелегированный GaAs:-[100-2,0° в направлении [110]]]±0,5°, u > 4000 см²/Вс, обе стороны -полированный, 1 плоскость 57,5±2,5 мм при 110±°1, TTV<7 мкм, BOW<4 мкм, Warp<10 мкм, TIR<6 мкм, сертификат: обязателен, запечатан азотом в кассете с одной пластиной A: Да, проверим [ ...]

2018-09-13метаавтор
EPD для подложки GaAs

PAM-XIAMEN can supply GaAs wafer with EPD less than 5000/cm2. Q: Could you please advise guaranteed EPD for below substrate and epi? Gallium Arsenide wafers, P/E 2″Ø×380±25µm, LEC SI undoped GaAs:-[100]±0.5°, n-type Ro=(0.8E8-0.9E8)Ohmcm, One-side-polished, back-side matte etched, 2 Flats, LT-GaAs EPI: 1-2µm, Resistivity >1E7 Ohm-cm, Carrier [...]

2018-09-06метаавтор