Полупроводниковые пластины, монокристалл пластина, пластина субстрат-СЯМЫНЬ POWERWAY

Кто Мы

До 1990 года мы заявили, принадлежащий физике конденсированных сред исследовательский центр. В 1990 году центр начал Xiamen POWERWAY Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), в настоящее время является ведущим производителем полупроводникового соединения материала в Китае. РАМ-СЯМЫНЬ разрабатывает передовые роста кристаллов и технологии эпитаксии, диапазон от Германий пластины первого поколения, второго поколения арсенида галлия с ростом подложки и эпитаксии на ...

Подробнее ...

почему выбрали нас

Хорошее обслуживание продаж

Наша цель состоит в том, чтобы удовлетворить все ваши требования, независимо от того, как небольших заказов и как сложные вопросы, они могут быть, для поддержания устойчивого и прибыльного роста для каждого клиента с помощью наших квалифицированных продуктов и сытного обслуживания.

25+ лет опыта

С более чем 25 + лет опыта в области полупроводникового соединения материального и экспортного бизнеса, наша команда может гарантировать, что мы можем понять ваши требования и иметь дело с вашим проектом профессионально.

Надежное качество

Качество является нашим первым приоритетом. PAM-СЯМЫНЬ была ISO9001: 2008, владеет и разделяет четыре современных facories, которые могут обеспечить достаточно большой спектр квалифицированных продуктов для удовлетворения различных потребностей наших клиентов, и каждый заказ должен быть обработано с помощью нашей строгой системы контроля качества. Протокол испытаний предоставляется на каждую партию, и каждая из пластин являются гарантия.

Поддержка свободных и профессиональных технологий

Вы можете получить бесплатную услугу технологий от запроса до послепродажного обслуживания на основе наших 25+ опыта в полупроводниковой линии.

После более чем 20 лет накопления и развития, наша компания имеет очевидное преимущество в области технологических инноваций и талантах.
В будущем, мы должны ускорить темпы фактического действия, чтобы предоставить клиентам лучшие продукты и услуги

Доктор Чан - Генеральный директор Сямэнь POWERWAY Advanced Material Co., Ltd

Самые известные университеты и компании в мире доверяют нам

Последние новости

Коэффициент пропускания стеклянной пластины

Transmittance of Glass Wafer Different Glass wafer material has different transmittance. The end user should check their detail application, and [...]

2020-06-18

1470/1550 нм Мощный лазерный чип

1470 / 1550nm High Power Laser Single Chip PAM XIAMEN offers 1470 / 1550nm high power laser single chip as [...]

2020-06-17

6 ″ CZ Prime Кремниевая Вафля-3

PAM XIAMEN offers 6″CZ Prime Silicon Wafer-3 6″ Silicon Wafer CZ, <111>, thickness 1.0 mm, p-type resistivity 1-80ohm.cm, warp < 50 um, single side polished For more information, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com

2020-06-15

8 ″ CZ Prime Кремниевая Вафля-1

PAM XIAMEN offers 8″CZ Prime Silicon Wafer-1 8″ Silicon Wafer Orientation<100> Thickness 380±25μm SEMI Notch P type Resistivity 1-10Ωcm Double Side Polish For more information, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com

2020-06-15

2 ″ FZ Si вафли с SSP

PAM XIAMEN offers 2″ FZ Si wafer with SSP 2″ Undoped Silicon Wafer Diameter: 50.8mm Thickness: 300um Polished : Single Side Polished Orientation: <100> Resistivity >10,000Ωcm For more information, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com

2020-06-15

6 ″ CZ Si вафли

PAM XIAMEN offers 6″ CZ Si Wafer Wafer Si CZ (100) Dia 6” x Thickness 675µm Type p doped B Resistivity 1-20 ohm.cm With [...]

2020-06-15

4 ″ CZ Prime Кремниевая пластина-14

PAM XIAMEN предлагает 4-х дюймовую кремниевую пластину Prime-Silicon-14 диаметром 4 дюйма, толщиной 500 мкм, типа P, с сопротивлением бора или N, с сопротивлением 1-10 Ом см 100. Для получения дополнительной информации отправьте нам письмо по адресу sales@powerwaywafer.com и powerwaymaterial @. gmail.com

2020-06-12

2 ″ CZ Prime Silicon Wafer-3

PAM XIAMEN предлагает 2-дюймовую кремниевую пластину Prime Cil Prime-3, кремниевая пластина диаметром 2 дюйма, толщиной 280 мкм, тип P, легированное бором или N, с сопротивлением 1-10 Ом см-100. Для получения дополнительной информации отправьте нам письмо по адресу sales@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com

2020-06-12

Арсенид галлия облатки, P / P

Вопрос: Пожалуйста, дайте нам знать, если вы могли бы поставить под пластиной, Qty 25/50/300. Арсенид галлия вафель, P / P 150,00 ± 0,25 мм) 6 "× диаметр 650 ± 25 мкм, ВГФ SI нелегированных GaAs: - [100-2.0 ° в направлении [110]] ± 0,5 °, и> 4,000cm² / Vs, обе стороны- -polished, 1 Плоские 57,5 ± 2,5 мм @ 110 ± 1 °, ТТВ <7 мкм, ЛУК <4 мкм, Деформация <10 мкм, МДП <6 мкм, Сертификат: обязательно, герметичная в атмосфере азота в одной пластины кассеты A: Да, будет проверять [ ...]

2018-09-13мета-автор

EPD для GaAs подложки и эпитаксиальных вафельного

Вопрос: Не могли бы вы, пожалуйста, рекомендуем гарантированно EPD для ниже субстрата и эпи? Арсенид галлия вафель, P / E 2 "× Ø 380 ± 25 мкм, LEC SI нелегированных GaAs: - [100] ± 0,5 °, п-типа Ро = (0.8E8-0.9E8) Ohmcm, Односторонняя полировкой, обратно- матовая сторона травлению, 2 квартиры, LT-GaAs, EPI: 1-2μm, удельное сопротивление> 1E7 Ом-см, срок службы несущей <1ps, герметичная в атмосфере азота в одной кассете пластин. А: Плотность дислокаций <1 × 10 ^ 6 см-2

2018-09-06мета-автор

2 "LT-GaAs, вафельные

Вопрос: Мы хотели бы купить LT-GaAs, не могли бы вы рекомендовать спецификации, которые подходят для применения? А: 2 "LT-GaAs вафельные Спецификация: Diamater (мм) Ф 50,8 ± 1 мм Толщина 1-2um Marco Дефект Density≤ 5 см-2 Удельное сопротивление (300K)> 10 ^ 8 Ом-см жизни носителей <1ps или 15ps плотность дислокаций <1 × 10 ^ 6 см-2 Полезная площадь Area≥80% Полировка: Односторонний полированные субстрат: GaAs подложки

2018-07-25мета-автор