InP пластины

PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor InP wafer – Indium Phosphide which are grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) or VGF(Vertical Gradient Freeze) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111)or(100).

  • Описание

Описание продукта

PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor InP wafer – фосфида индия которые выросли на LEC (жидкий инкапсулированный Чохральского) или VGF (вертикальный градиент замораживания) в качестве эпи-готового или механического класса с п-типа, р-типа или полуизолирующую в различной ориентацией (111) или (100).

Индий фосфид (InP) является двоичным полупроводником, состоящий из индии и фосфора. Он имеет гранецентрированную кубическую ( «цинковую обманку») кристаллическую структуру, идентичную GaAs и большинство из фосфида III-V semiconductors.Indium может быть получено в результате реакции белого фосфора и йодида индии [разъяснение необходимости] при 400 ° с., [5] также путем непосредственного сочетания очищенных элементов при высокой температуре и давлении, или путем термического разложения смеси соединения триалкилалюминия индия и фосфида. InP используется в мощных и высокочастотной электронике [править] из-за его превосходной скорости электронов по отношению к более общим полупроводники кремния и арсенида галлия.

Вот спецификация деталь:
2 "(50,8) Спецификация InP вафельной
3 "(76,2 мм) Спецификация Inp вафельной
4 "(100 мм) InP вафельные Specificatio
2″ InP Wafer Specification
Item Specifications
добавка N-type N-type P-type SI-type
Conduction Type Undoped Sulphur Zinc lron
Wafer Diameter 2″
Wafer Orientation (100)±0.5°
Wafer Thickness 350±25um
Primary Flat Length 16±2mm
Secondary Flat Length 8±1mm
Carrier Concentration 3×1016cm-3 (0.8-6)x1018cm-3 (0.6-6)x1018cm-3 N / A
Mobility (3.5-4)x103cm2/V.s (1.5-3.5)x103cm2/V.s 50-70×103cm2/V.s >1000cm2/V.s
Resistivity N / A N / A N / A N / A
EPD <1000cm-2 <500cm-2 <1×103cm-2 <5×103cm-2
TTV <10um
BOW <10um
WARP <12um
Laser marking upon request
Suface finish P/E, P/P
Epi ready yes
Package Single wafer container or cassette

 


3″ InP Wafer Specification 

 

Item Specifications
добавка N-type N-type P-type SI-type
Conduction Type Undoped Sulphur Zinc lron
Wafer Diameter 3″
Wafer Orientation (100)±0.5°
Wafer Thickness 600±25um
Primary Flat Length 16±2mm
Secondary Flat Length 8±1mm
Carrier Concentration ≤3×1016cm-3 (0.8-6)x1018cm-3 (0.6-6)x1018cm-3 N / A
Mobility (3.5-4)x103cm2/V.s (1.5-3.5)x103cm2/V.s 50-70×103cm2/V.s >1000cm2/V.s
Resistivity N / A N / A N / A N / A
EPD <1000cm-2 <500cm-2 <1×103cm-2 <5×103cm-2
TTV <12um
BOW <12um
WARP <15um
Laser marking upon request
Suface finish P/E, P/P
Epi ready yes
Package Single wafer container or cassette

 

 4″ InP Wafer Specification 
Item Specifications
добавка N-type N-type P-type SI-type
Conduction Type Undoped Sulphur Zinc lron
Wafer Diameter 4″
Wafer Orientation (100)±0.5°
Wafer Thickness 600±25um
Primary Flat Length 16±2mm
Secondary Flat Length 8±1mm
Carrier Concentration ≤3×1016cm-3 (0.8-6)x1018cm-3 (0.6-6)x1018cm-3 N / A
Mobility (3.5-4)x103cm2/V.s (1.5-3.5)x103cm2/V.s 50-70×103cm2/V.s >1000cm2/V.s
Resistivity N / A N / A N / A N / A
EPD <1000cm-2 <500cm-2 <1×103cm-2 <5×103cm-2
TTV <15um
BOW <15um
WARP <15um
Laser marking upon request
Suface finish P/E, P/P
Epi ready yes
Package Single wafer container or cassette

Вам также может понравиться ...