Кремниевая пластина 150 мм и 200 мм

Кремниевая пластина 150 мм и 200 мм

PAM XIAMEN предлагает кремниевые пластины диаметром 150 и 200 мм.

Диаметр Тип добавка рост
метод		 Ориентация Удельное сопротивление Толщина Поверхность класс
150 N Фос CZ -100 1-20 180-200 P / P ОСНОВНОЙ
150 N Фос CZ -100 1-100 500-550 P / P ОСНОВНОЙ
150 N Фос CZ -100 1-100 500-600 P / E, TEST
150 N Фос CZ -100 1-100 650-700 P/E/DTOx ОСНОВНОЙ
150 N Фос CZ -100 1-100 650-700 П/Э/Ни ОСНОВНОЙ
150 N Фос CZ -100 1-20 650-700 П/Э/ОХ ОСНОВНОЙ
150 N Фос CZ -100 1-20 650-700 P/E/WTOx
150 P Бор CZ -100 1-20 180-200 P / P ОСНОВНОЙ
150 P Бор CZ -100 1-100 500-550 P / P ОСНОВНОЙ
150 P Бор CZ -100 1-100 500-600 P / E, TEST
150 P Бор CZ -100 .001-.005 650-700 P / E, ОСНОВНОЙ
150 P Бор CZ -100 1-100 650-700 P/E/DTOx ОСНОВНОЙ
150 P Бор CZ -100 1-100 650-700 П/Э/Ни ОСНОВНОЙ
150 P Бор CZ -100 1-20 650-700 П/Э/ОХ ОСНОВНОЙ
150 P Бор CZ -100 1-20 650-700 P/E/WTOx
150 P Бор CZ -100 1-20 950-1050 P / E, ОСНОВНОЙ
150 P Бор CZ -100 1-20 950-1050 P / P ОСНОВНОЙ
150 нелегированный VGF -100 >1E7 500-600 P / P
150 нелегированный VGF -100 >1E7 500-600 P / P
150 N си VGF -100 650-700 P / E, ОСНОВНОЙ
150 P Zn VGF -100 650-700 P / E, ОСНОВНОЙ
150 си нелегированный VGF -100 >1E7 500-600 P / P TEST
150 си нелегированный VGF -100 >1E7 500-600 P / P TEST
150 си нелегированный VGF -100 >1E7 610-660 P / P EPI
150 си нелегированный VGF -100 >1E7 650-700 P / E, ОСНОВНОЙ
150 Одиночный отправитель вафель ePak Крышка/основание/пружина Вмещает1Вафля Чистый номер
150 Круглый Одиночный отправитель вафель ePak Крышка/основание/пружина Вмещает1Вафля Чистый номер
150 Транспортировочная кассета ePak Вмещает25Вафель Чистый номер
200 N Фос CZ -100 1-20 700-750 П/Э/ОХ ОСНОВНОЙ
200 P Бор CZ -100 1-100 600-800 P / E, TEST
200 P Бор CZ -100 1-20 700-750 П/Э/ОХ ОСНОВНОЙ

Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт:https://www.powerwaywafer.com,
отправьте нам письмо по адресуsales@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com

Компания Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), основанная в 1990 году, является ведущим производителем полупроводниковых материалов в Китае. PAM-XIAMEN разрабатывает передовые технологии выращивания кристаллов и эпитаксии, производственные процессы, специальные подложки и полупроводниковые устройства. PAM-XIAMEN's технологии позволяют повысить производительность и снизить затраты на производство полупроводниковых пластин.

Имея более чем 25-летний опыт работы в области сложных полупроводниковых материалов и экспортном бизнесе, наша команда может заверить вас, что мы сможем понять ваши требования и профессионально заняться вашим проектом.

2019-03-04

Поделиться этой записью

Связанный Сообщений

Анализ производительности хранения соединения InSb

Indium antimonide (InSb) compound semiconductor, as a direct bandgap semiconductor material, has low electron effective mass, high mobility, and narrow bandgap width. At low temperatures, InSb compound has a high absorption coefficient for infrared light, with a quantum efficiency greater than or equal to 80%. [...]

2024-01-19мета-автор
Esia: semiconductor sales in line with seasonal patterns

As reported by Esia(European Semiconductor Industry Association), in January worldwide sales of semiconductors amounted to US$ 26.880 billion. These results are in line with seasonal patterns – as the first months of the year are usually slower for semiconductors – and represent a 2.7% [...]

2016-04-18мета-автор
Tatalum Metal Substrate & Foil ( Polycrystalline )

PAM XIAMEN offers Tatalum Metal Substrate & Foil ( Polycrystalline ). General Properties  for Tantalum Symbol                   Ta Atomic Number      73 Atomic Weight:      180.95 Density:                16.69 g/cm3 Melting Point:        2996 °C Boiling Point:       5425+/-100 °C Ta – Tantalum Polycrystalline Metallic Foil: 0.05mm thick x 200mm Width x 400 [...]

2019-05-20мета-автор
Growth of SiC nanowires/nanorods using a Fe–Si solution method

A new solution technique to grow SiC nanowires/nanorods was developed by simply heating Fe–Si melt on a graphite plate in argon atmosphere to 1600 °C for 3 and 6 h. SiC nanowires/nanorods with diameters of 100 nm and lengths of several tens of micrometres were [...]

2019-11-15мета-автор
GaN Substrates Offer High Performance At A Price

GaN Substrates Offer High Performance At A Price   GaN substrates are manufactured by only a handful of companies at prices prohibitive to volume production, but offer great potential for high-performance devices. Richard Stevenson reports.The GaN component market was worth $1.35 billion in 2003 according to [...]

2013-03-21мета-автор
Something about Intrinsic and Extrinsic Semiconductors

There are three basic types of semiconductor materials: intrinsic semiconductors, extrinsic semiconductors, also known as impurity semiconductors. Both types of semiconductor materials can be supplied by PAM-XIAMEN. 1. What Is Intrinsic Semiconductor? Intrinsic semiconductor refers to a pure semiconductor that is completely free of impurities and [...]

2022-06-20мета-автор