PAM-XIAMEN предлагает пластину для лазерного диода 1550 нм, которая представляет собой эпитаксиальную пластину структуры диодного лазера, излучающую около 1550 нм (на подложке InP), а размер пластины для лазерного диода 1550 нм может составлять 2 дюйма или 3 дюйма. Вы можете изготовить лазер для своего приложения, например, с выходной мощностью в непрерывном режиме около 10-20 мВт. Ниже приведены Эпитаксиальные пластины GaAs на основе InP, которые включают множественную квантовую яму, которая имеет оптический отклик на длине волны 1,55 мкм (обычно MQW InGaAsP \ InAsP \ InP) для модуляторов @ 1,55 мкм и высокоскоростных модуляторов в телекоммуникационной индустрии.
1. Структуры пластины лазерного диода 1550 нм.
Структура1:
| Слой | Материал | Толщина (нм) | Концентрат-носитель (cm-3) |
Тип | добавка |
| Контакт | In0.53GaAs | — | — | P | - |
| Омический контакт | 1.52Q InGaAsP |
— | — | P | Zn |
| Омический контакт | 1.3Q InGaAsP |
— | — | P | - |
| Облицовка | InP | — | — | P | Zn |
| Etchstop | 1.1Q InGaAsP |
— | — | P | - |
| распорка | InP | — | — | P | Zn |
| Подложка | AlInAs | — | — | — | — |
| ГРИН-СЧ | [AlxGa]InyAs | — | — | — | — |
| QB | [AlxGa]InyAs | — | — | — | — |
| QW | [AlxGa]InyAs | — | — | — | — |
| ГРИН-СЧ | [AlxGa]InyAs | — | — | — | — |
| Sub Cladding | [[AlxGa]InyAs | — | — | — | — |
| Graded layer | [[AlxGa]InyAs | — | — | N | си |
| Облицовка | InP | — | — | N | си |
| Буфер | InP | — | — | — | си |
| подложка | InP Substrate | ||||
Structure2: PAM-200604-LD-1550
| Слой | Материал | Толщина (нм) | Carrier Concentration(cm-3) | добавка | Тип |
| 6 | InP | 20 | — | цинк | P |
| 5 | GAIN (х) Как | — | — | цинк | P |
| 4 | GaIn (x) As (v) P | — | — | цинк | P |
| 3 | InP | 2300 | — | цинк | P |
| 2 | AlGaInAs MQW | — | — | нелегированный | U / D |
| PL 1500 ~ 1560 нм | — | — | — | — | |
| 1 | Буфер InP | — | — | кремний | N |
| Подложка InP | — | — | — | — |
2. Разработка и применение пластины с лазерным диодом 1550 нм.
In recent years, optical communication technology has achieved unprecedented vigorous development all over the world. Therefore, the research of lasers as the most widely used core component of the optical emission part has aroused people’s great interest. InGaAsP material is an important material for the production of optoelectronic and microwave devices. The laser made of InGaAsP material can continuously change its emission wavelengths in the range of 1.1um to 1.65um, and this range covers the wavelength of 1.3um and 1.55um of quartz fiber, which are the windows of low dispersion and low loss.
Поскольку новая инфраструктура стимулирует развитие 5G и центров обработки данных, смартфоны используют технологию 3D-зондирования и непрерывное развитие промышленной лазерной обработки, лазерного лечения, лидаров и других приложений. Оптоэлектронные эпитаксиальные пластины на основе GaAs / InP, являющиеся основным материалом для лазеров и детекторных чипов, находятся в дефиците. Лазерный диод с длиной волны 1550 нм, изготовленный на подложке на основе GaAs / InP, изготавливается производственными технологическими и упаковочными компаниями. Пластины для лазерных диодов с длиной волны 1550 нм широко используются в таких отраслях промышленности, как оптоволоконная связь, лазерное зондирование, а также в областях бытовой электроники, таких как смартфоны и AR / VR.
3. FAQ of Laser Diode Wafer
Q：Actually, I aminterested to know about epitaxial growth of InP to make laser at 1550 nm. I appreciate if you could comment on that based on your experience, and give me a comment on the output power of laser.
A：The lasers fabricated on PAM-200604 InP based 1550nm laser diode wafer has following electrical characteristics:
Output power: 3W
Input power:11.2W
@100um stripe width, 7A, 1.2V. (190306)
Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте наvictorchan@powerwaywafer.com иpowerwaymaterial@gmail.com