PAM-XIAMEN предлагает полуизолирующие пластины SiC 4H с легированной или нелегированной ванадием высокой чистоты, полуизолирующие, размером от 2 до 6 дюймов. Скорость передачи полуизолирующего карбида кремния 4H толщиной 353 мкм, отполированного с двух сторон, показана на рисунке:

Скорость передачи полуизолирующей пластины SiC 4H

Мы также можем предложить прозрачные данные о подложке SiC. Для получения подробной информации обращайтесь по адресу:victorchan@powerwaywafer.com.

1. Цена:

PAM-XIAMEN предлагает лучшую цену на рынке на высококачественные пластины SiC и кристаллические подложки SiC. Наша политика согласования цен гарантирует, что вы получите лучшую цену на изделия из кристаллов SiC с сопоставимыми характеристиками.

2. Пользовательский:

Продукты из кристаллов SiC могут быть изготовлены по индивидуальному заказу в соответствии с особыми требованиями и спецификациями клиентов. Например, мы предоставляем услуги по нарезке ломтиков 10 мм x 10 мм, см. Пример ниже:

4-часовой полуавтомат–изолирующий SiC, 5 мм * 5 мм, 10 мм * 10 мм с толщиной 330 мкм;

4-часовой полуавтоматизолирующий SiC, 15 мм * 15 мм, 20 мм * 20 мм, толщина 330 мкм;

Подложка 4H SiC по оси C(0001), толщина 180+/-25 мкм.

3. Спецификация полуизолирующей подложки SiC 4H:

№ 1: Полуизолирующая пластина SiC 2 ”4H, класс C
4H-SI диаметром 2 дюйма,
Тип / легирующая добавка: полуизолирующая / V или нелегированная
Ориентация: <0001> +/- 0,5 градуса
Толщина: 330 ± 25 мкм
Класс C, MPD ＜ 50 см-2
Класс C, RT: ≥1E5 Ом • см
Двойная полировка поверхности/Si-лицевая поверхность готова к эпиляции с CMP, шероховатость поверхности: <0,5 нм

№ 2: Полуизолирующая пластина SiC 2 ”4H, класс B
4H-SI диаметром 2 дюйма,
Тип / легирующая добавка: полуизолирующая / V или нелегированная
Ориентация: <0001> +/- 0,5 градуса
Толщина: 330 ± 25 мкм
Класс B, MPD ＜ 15 см-2
Класс B, RT: ≥1E7 Ом • см
Двойная полировка поверхности/Si-лицевая поверхность готова к эпиляции с CMP, шероховатость поверхности: <0,5 нм

№ 3: 3 ”4H Полуизолирующая пластина SiC, класс C
4H-SI 3 ″ диаметром,
Тип / легирующая добавка: полуизолирующая / V или нелегированная
Ориентация: <0001> +/- 0,5 градуса
Толщина: 350 ± 25 мкм
Класс C, MPD ＜ 50 см-2
Класс C, RT: ≥1E5 Ом • см
Двойная полировка поверхности/Si-лицевая поверхность готова к эпиляции с CMP, шероховатость поверхности: <0,5 нм

№ 4: 3 ”4H Полуизолирующая пластина SiC, класс B
4H-SI 3 ″ диаметром,
Тип / легирующая добавка: полуизолирующая / V или нелегированная
Ориентация: <0001> +/- 0,5 градуса
Толщина: 350 ± 25 мкм
Класс C, MPD ＜ 15 см-2
Класс C, RT: ≥1E7 Ом • см
Двойная полировка поверхности/Si-лицевая поверхность готова к эпиляции с CMP, шероховатость поверхности: <0,5 нм

№ 5: Полуизолирующая пластина SiC 4 ”4H, класс C
4H-SI диаметром 4 ″,
Тип / легирующая добавка: полуизолирующая / V или нелегированная
Ориентация: <0001> +/- 0,5 градуса
Толщина: 350 или 500 ± 25 мкм
Класс C, MPD ＜ 50 см-2
Класс C, RT: ≥1E5 Ом • см
Двойная полировка поверхности/Si-лицевая поверхность готова к эпиляции с CMP, шероховатость поверхности: <0,5 нм

№ 6: Полуизолирующая пластина SiC 4 ”4H, класс B
4H-SI диаметром 4 ″,
Тип / легирующая добавка: полуизолирующая / V или нелегированная
Ориентация: <0001> +/- 0,5 градуса
Толщина: 350 или 500 ± 25 мкм
Класс C, MPD ＜ 15 см-2
Класс C, RT: ≥1E7 Ом • см
Двойная полировка поверхности/Si-лицевая поверхность готова к эпиляции с CMP, шероховатость поверхности: <0,5 нм

№ 7: 6 ”4H полуизолирующая пластина SiC, класс C
4H-SI диаметром 6 дюймов,
Тип / Легирующая добавка: Полуизолирующая / V
Ориентация: <0001> +/- 0,5 градуса
Толщина: 500 ± 25 мкм
Класс C, MPD ＜ 50 см-2
Класс C, RT: ≥1E5 Ом • см
Двойная полировка поверхности/Si-лицевая поверхность готова к эпиляции с CMP, шероховатость поверхности: <0,5 нм

№ 8: 6 ”4H Полуизолирующая пластина SiC, класс B
4H-SI диаметром 6 дюймов,
Тип / легирующая добавка: полуизолирующая / V или нелегированная
Ориентация: <0001> +/- 0,5 градуса
Толщина: 500 ± 25 мкм
Класс C, MPD ＜ 15 см-2
Класс C, RT: ≥1E7 Ом • см
Двойная полировка поверхности/Si-лицевая поверхность готова к эпиляции с CMP, шероховатость поверхности: <0,5 нм

4. Применение полуизолирующей подложки и пластины кристалла SiC 4H.

Кристаллы карбида кремния (SiC) обладают уникальными физическими и электронными свойствами. Устройства на основе SiC использовались для коротковолнового фотоэлектричества, высоких температур и защиты от радиации. Мощные и высокочастотные электронные устройства, изготовленные из полуизолирующих подложек карбида кремния, превосходят устройства на основе Si и GaAs, а полуизолирующие пластины SiC 4H в основном используются в силовых и радиочастотных устройствах. Более того, его можно использовать в качестве носителя для временного склеивания. Для прозрачной полуизолированной подложки SiC она имеет степень прозрачности около 70% и подходит для оптики рассеивания тепла.

5. Часто задаваемые вопросы по пластинам SiC

Q1:Нам нужен полуизолирующий SiC толщиной 170 мкм, возможно ли это?

:С использованием современных технологий вырастить полуизоляционный материал 4H-SiC толщиной 170 мкм не составит труда.

Q2:Не могли бы вы объяснить мне разницу между пластиной типа N и полуизолирующей пластиной 4H SiC?

:Разница в том, что удельное сопротивление пластины SiC типа N составляет <1 Ом·см, а удельное сопротивление полуизолирующей пластины > 1E5 Ом·см.

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресу victorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.